Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

OFP-Tretyak-Lozovski

.pdf
Скачиваний:
68
Добавлен:
19.03.2015
Размер:
13 Мб
Скачать
☆

153

Розділ 8. СТАТИСТИКА ЕЛЕКТРОНІВ …

впевненості в тому, що незаповнені електронні стани в майже повністю заповненій (валентній) зоні можна розглядати як частинки – дірки, визначимо динамічні характеристики таких станів. Розглянемо двовимірну зону Бриллюена, яка в невеликому околі поблизу центра зони зайнята електронними станами. Візьмемо для простоти систему за нульової температури, коли зайняті стани різко відділені від вільних. Нехай на таку систему діє зовнішнє електричне поле E, під дією якого всі стани зсуваються в оберненому просторі на величину

P = eEτ,

(8.14)

де τ – середній час вільного пробігу електронів. Оскільки зсув (8.14) не залежить від початкового стану Pi (0), то кожний зайнятий стан зсу-

вається у зоні Бриллюена на однакову величину. Це означає, що за досить значного часу (що суттєво перевищує час вільного пробігу електронів, t >> τ) всі зайняті стани як ціле зсунуться на величину (рис. 8.3)

ky

0Pa kx

E

Рис. 8.3. Зсув електронних станів у зоні Бриллюена

під дією електричного поля Е

Pi (t)= Pi (0)+eEτ .

(8.15)

Оскільки число всіх заповнених станів дорівнює n, то повний імпульс усіх електронів задаватиметься сумою

n

Pt = ∑Pi (t). (8.16) i=1

Зважаючи на той факт, що завдяки симет-

n

рії зайнятих станів сума ∑Pi (0)= 0, маємо

i =1

Pt =neEτ =nPa .

(8.17)

Тут Pa – середній імпульс, що приходиться на один електрон. Стану Pi відповідає швидкість електрона vi = Pi/m* та елементарний струм Ji =evi. Повний струм, що створює система електронів під дією елек-

тричного поля Е, визначатиметься сумою елементарних струмів за всіма зайнятими станами

 

e

n

 

 

 

e

 

 

Jt =

∑Pi =

 

neτE .

(8.18)

*

*

 

m

 

i=1

 

m

 

Якщо ввести рухливість електронів за допомогою формули

 

 

 

µ

=

eτ

,

(8.19)

 

 

 

то повний струм у системі

 

 

n

m*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Jt = enµnE .

(8.20)

ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

154

Розглянемо тепер ситуацію, коли зона майже повністю заповнена. Нехай у зоні N' станів заповнені електронами, а p станів – вільні, причому останні знаходяться поблизу екстремуму енергії у центрі зони Бриллюена в околі точки k = 0 (рис. 8.4 а). Під дією зовнішнього електричного поля всі стани зсунуться на однаковий вектор ∆P = eEτ так, що і-й стан характеризуватиметься імпульсом

 

 

 

 

 

Pi (t)= Pi (0)+eEτ .

 

 

 

(8.21)

 

ky

 

 

ky

 

ky

 

 

 

 

 

 

kx

 

 

 

 

 

 

kx

 

 

 

 

 

kx

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

Pa

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а

 

 

б

 

в

 

 

 

 

 

 

Рис. 8.4. Зсув електронних станів

 

 

 

 

 

умайже повністю заповненій зоні Бриллюена під дією поля Е

Урезультаті переміщення зайнятих станів частина з них перейде із першої зони Бриллюена до другої, а в першій з'явиться деяка частина додаткових незайнятих станів (рис. 8.4 б). Але всі стани із другої зони шляхом додавання до них вектора оберненої ґратки можна перевести до першої зони. Тому всі зайняті стани знаходитимуться в першій зоні

Бриллюена, а незайняті – зсунуться щодо точки k = 0 на вектор Pa.

Знайдемо тепер повний імпульс, яким характеризуватиметься система електронів

N ′

N ′

b

b

N

b

Pt = ∑Pi = ∑Pi + ∑Pi −∑Pi = ∑Pi −∑Pi .

i=1

i=1

i=1

i=1

i=1

i=1

Візьмемо до уваги, що сума всіх станів повністю заповненої зони Бриллюена дорівнює нулю, тобто перша сума у правій частині останньої рівності дає нуль. Тоді

b

Pt = −∑Pi = −peEτ . (8.22) i=1

Таким чином, завдяки періодичності кристалічного потенціалу сумарний імпульс сукупності N' електронних станів зсунеться не вздовж напрямку сили eE, а проти неї. Середній квазіімпульс, що приходиться на

один електрон, дорівнює Pt/N', отже середня швидкість електронів

va = −

peτ

E .

(8.23)

*

 

m N ′

 

 

155

Розділ 8. СТАТИСТИКА ЕЛЕКТРОНІВ …

Оскільки ми розглядаємо стани майже заповненої зони, то N ≈ N' і p/N' <<1. Це означає, що під дією зовнішнього поля електрони набувають невеликої швидкості, тобто стани Pa знаходяться поблизу

точки P = 0 (рис. 8.4 в) або поблизу максимуму енергії, де ефективна маса є від'ємною. Таким чином можна визначити струм, що утворюється електронами майже заповненої зони Бриллюена

JzB = −eN ′µzB E ,

(8.24)

де формально введено рухливість електронів майже заповненої зони Бриллюена

µ

zB

= −

epτ

 

.

(8.25)

m*N

′

 

 

 

 

Якщо тепер ввести нові квазічастинки – дірки, згідно із правилом (дірки є квазічастинками, динамічні властивості яких тотожні динамічним властивостям сукупності електронів майже повністю заповненої зони), то статистику станів майже заповненої зони можна замінити статистикою елементарних збуджень – дірок. Дійсно, нехай

P(p) = P ,

(8.26)

t

t

 

де Pt(p) – сумарний квазіімпульс дірок. Природно вважати, що число ді-

рок дорівнює числу всіх незайнятих станів. При цьому квазіімпульс дірки визначатиметься як казіімпульс вільного стану, взятий зі знаком мінус

Pp = −P0.

(8.27)

У цьому легко переконатися, якщо для простоти припустити, що в зоні існує єдиний незаповнений стан. Тоді сумарний імпульс електронів із майже заповненої зони

N ′

Pt = ∑Pi

i=1

можна знайти, зважаючи на те, що сумарний імпульс повністю заповненої зони є нулем, тобто при додаванні до суми величини квазіімпульсу вільного стану отримаємо суму квазіімпульсів усіх заповнених станів і квазіімпульс вільного стану зі знаком мінус

N

Pt = ∑Pi −P0 = −P0 .

i=1

Таке визначення квазіімпульсу дірки дозволяє зрозуміти, що передача квазіімпульсу діркою ґратці означає передачу квазіімпульсу ґратці сукупністю електронів, що майже повністю заповнюють стани у зоні Бриллюена. Оскільки dP0/dt = eE, то

dPp

= −

dP0

= − eE =|e|E .

(8.28)

dt

dt

 

 

 

ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

156

Прирощення квазіімпульсу дірки відбувається так, начебто заряд частинки позитивний, тобто дірка є квазічастинкою із зарядом, що дорівнює заряду електрона, але позитивним. Запишемо тепер струм, що формується системою електронів, які майже повністю заповнюють стани в зоні Бриллюена

JzB = −|e|p

eτ

E =|e|p|e|*τ

E .

(8.29)

*

m

mp

 

Якщо масу дірки визначити як масу електрона зі знаком мінус, то для струму, який виникає під дією поля Е, у системі електронів, що майже повністю заповнюють стани у зоні Бриллюена, можна записати вираз, який означає струм, утворений позитивно зарядженими частинками з

ефективною масою m*p = − m* . Тобто ефективну масу дірки можна

визначити як похідну другого порядку від закону дисперсії майже заповненої електронної зони.

1

= −

1

= −

1

d2E(k).

(8.30)

m*p

 

m*

 

2 dk2

 

При цьому дірка характеризується позитивною ефективною масою, якщо знаходиться поблизу стелі валентної зони, і негативною – якщо поблизу дна зони. Із (8.29) випливає, що на противагу електронам, які під дією електричного поля рухаються в напрямку проти поля, дірки рухаються в напрямку, що збігається з напрямком вектора поля, отже дрейфова швидкість дірки направлена по полю. Крім того, із (8.30) видно, що можна ввести закон дисперсії дірок через закон дисперсії

електронів у валентній зоні Ep(p) = −E(p). Це правило показує, що закон

дисперсії дірки визначається законом дисперсії електрона, але напрямок відрахування енергії буде протилежний щодо напрямку відрахування енергії електрона.

Таким чином, усі характеристики нової квазічастинки визначаються через характеристики електрона у валентній зоні.

Тепер легко визначити функцію розподілу для дірок, оскільки вони визначаються як квазічастинки, що займають у зоні Бриллюена вільні від електронів стани

f p =1− f .

(8.31)

Підставляючи сюди формулу для функції розподілу електронів (8.12), отримаємо

f p =

 

 

 

 

1

 

.

(8.32)

 

(E

p

−E

 

)/kT

 

e

 

 

F

 

+1

 

Зважаючи на (8.31), легко зрозуміти сенс указаної на рис. 8.2 площі, що характеризує кількість дірок у системі як кількість не заповнених електронами станів.

157

Розділ 8. СТАТИСТИКА ЕЛЕКТРОНІВ …

8.3. Щільність станів

При розгляді властивостей електронної системи у напівпровіднику часто доводиться визначати експериментальні величини, що залежать від кількості дозволених станів електронів, які приходяться на одиничний інтервал енергії. В інтервалі енергії dE може міститися різна кількість станів dS, що має бути пропорційною dE, і коефіцієнт пропорційності має залежати від величини енергії, в околі якої визначається елементарний інтервал dE, тобто можна записати, що

dS = N(E )dE ,

(8.33)

де N(E) – кількість станів в одиничному інтервалі енергії для одиничного об'єму кристала. Якщо ймовірність заповнення станів з енергієюЕ дорівнює f0(E, T), то число електронів у цих станах

dn = 2f0(E,T )dS = 2f0 (E ,T )N (E )dE .

(8.34)

Фактор 2 означає, що рівень з однаковою енергією можуть займати два електрони із різними спінами. Тоді, інтегруючи (8.34) за всіма дозволеними значеннями енергії, отримаємо формулу, якою визначається концентрація електронів

n(T )= 2 ∫ f0(E,T )N (E )dE .

(8.35)

(E )

 

Тут інтегрування треба проводити від дна зони провідності до її стелі. Але, враховуючи різку залежність функції розподілу від енергії, верхню межу інтегрування можна розповсюдити до нескінченності

∞

f0(E,T )N(E )dE .

 

E∫C

 

n(T )= 2

(8.36)

Величина N(E) називається щільністю станів і визначається формою ізоенергетичних поверхонь. Дійсно, побудуємо в зоні Бриллюена дві

ізоенергетичні поверхні E та E + dE, що виділяють деякий шар простору квазіімпульсів. Нехай об'єм цього шару dp. Йому відповідає об'єм фазового простору

dΓ =Vdp .

(8.37)

Число фазових комірок у ньому dГ/ 3, а число станів для одиничного об'єму – dS = dГ/ 3V. Таким чином

 

1 dΓ

 

dp

 

dk

 

N(E )dE =

 

3

=

3

=

 

.

(8.38)

V

8π3

ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

158

Величину dk можна визначити, якщо відомі рівняння ізоенергетичних поверхонь. Зважаючи на те, що щільність станів є дуже важливою характеристикою електронної системи напівпровідника, обчислимо її для різних систем, що характеризуються різними законами дисперсії.

8.3.1. Сферичні ізоенергетичні поверхні

Нехай мінімум енергії знаходиться у центрі зони Бриллюена

Ek = Ec +

2k2

.

(8.39)

*

 

2m

 

Між ізоенергетичними поверхнями Е та dE можна виділити сферичний шар товщиною dk та об'ємом dk

 

 

dk = 4πk2dk = 2πk 2kdk .

Використовуючи (8.39), представляємо k через Е

 

*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

* 1/2

k2 =

2m

(E −Ec )

 

 

k

=

2m2

(E −Ec )1/2 .

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Оскільки із першої рівності (8.41) маємо

 

 

 

 

2kdk =

2m

*

dE ,

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

* 3/2

 

 

 

 

 

то (8.40) дає

dk = 2π

2m2

 

(E −Ec )1/2dE .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Підставляючи (8.43) до (8.38), маємо

 

 

 

 

 

 

 

 

2π

 

 

* 3/2

 

 

N(E )dE =

 

2m2

 

(E −Ec )1/2dE .

 

3

 

 

 

8π

 

 

 

 

 

(8.40)

(8.41)

(8.42)

(8.43)

(8.44)

Звідси отримуємо щільність станів для сферичної ізоенергетичної поверхні

 

2m2

* 3/2

 

N(E )= 2π

 

(E −Ec )1/2 .

(8.45)

 

h

 

 

 

Таким чином, щільність станів для квадратичного закону дисперсії зі сферичними ізоенергетичними поверхнями визначається квадратним коренем із енергії, відрахованої від дна зони провідності, та є пропорційною квадратному кореню від куба ефективної маси зонного електрона: чим більш пологою є парабола, що описує закон дисперсії

159

Розділ 8. СТАТИСТИКА ЕЛЕКТРОНІВ …

квазічастинки поблизу дна зони про-

відності, тим більшими є ефективна маса частинок і щільність станів таких збуджень. Зрозуміло, що подібні викладки можна виконати і для дірок. Результат збігається із (8.45), де замість ефективної маси електронів необхідно підставити ефективну масу дірки, а замість енергії дна зони провідності EC

– енергію стелі валентної зони – EV.

N(E)

E

EC

Рис. 8.5. Щільність станів для сферичної ізоенергетичної поверхні

8.3.2. Еліпсоїдальні ізоенегретичні поверхні

Енергія у випадку еліпсоїдальних енергетичних поверхонь залежить від компонентів хвильового вектора як

 

 

 

2

k2

 

 

ky2

 

k2

 

 

E(k)= E

c

+

 

x

+

 

 

+

z

.

(8.46)

2

m*

 

 

m*

 

 

m*

 

 

 

 

 

 

1

 

2

 

3

 

 

Закон дисперсії у канонічній формі має вигляд рівняння поверхні еліпсоїда в оберненому просторі

 

k2

 

 

ky2

 

k2

=1,

 

 

 

 

 

x

+

 

 

 

+

 

 

 

z

 

 

 

(8.47)

 

a2

 

 

 

a2

 

a2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

2

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2m*(E −E

C

) 1/2

 

 

 

 

де

ai =

 

 

 

 

i

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

(8.48)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Об'ємом еліпсоїда з напіввісями a1, a2, a3 є

 

 

 

 

ν =

4πa a a

=

4π

 

(8m*m*m* )1/2

(E −E

C

)3/2 .

(8.49)

 

 

 

3 1 2 3

 

 

3 3

 

 

1 2 3

 

 

 

Елементом об'єму між двома еліпсоїдами є еліпсоїдальний шар, об'єм якого визначається формулою dV =V (E +dE )−V (E )= (dV/dE )dE . Таким

чином, у випадку еліпсоїдальних ізоенергетичних поверхонь

dk =

2π

(8m*m*m* )1/2

(E −E

C

)1/2dE .

(8.50)

 

3

1 2 3

 

 

 

Підставляючи цей вираз до (8.38) і враховуючи, що в зоні Бриллюена може існувати кілька мінімумів енергії (напр., у германії їх чотири, у кремнії – шість), маємо

ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

160

N(E )= M

2π

(8m*m*m* )1/2

(E −E

C

)1/2

,

(8.51)

 

3

1 2 3

 

 

 

 

де М – кількість мінімумів у зоні. Введемо ефективну масу для щільності станів

(m* )3

= M 2m*m*m*

,

(8.52)

d

1 2 3

 

 

тоді (8.51) можна переписати у вигляді, аналогічному (8.45)

 

* 3/2

 

 

 

 

N(E )= 2π

2md

 

(E −E

C

)1/2 .

(8.53)

 

 

h2

 

 

 

Аналогічну формулу можна отримати й для станів поблизу краю валентної зони. При цьому необхідно тільки зважати на те, що в цьому випадку елементи тензора ефективної маси електронів є від'ємними. У результаті матимемо ефективну масу для щільності станів дірок

(m*

= (M 2m* m* m*

)1/3 , де m*

= −m* , EV – стеля валентної зони)

 

pd

p1 p2 p3

pi

i

 

 

 

 

 

 

*

3/2

 

 

 

 

N(E )= 2π

2mpd

 

(E −E )1/2 .

(8.54)

 

 

h2

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

Формули (8.50), (8.53) та (8.54) отримано за активного використання квад- ратичності закону дисперсії електронів поблизу екстремумів.

8.3.3. Щільність станів для неквадратичного закону дисперсії

У випадку, коли закон дисперсії носіїв не є квадратичним, можна запропонувати інші підходи до обчислення щільності станів. Використовуватимемо визначення

n = ∞∫

f0(E,T )

dk

.

(8.55)

3

EC

 

8π

 

 

 

 

 

Для обчислення щільності станів визначимо елемент об'єму в імпульсному просторі як добуток елемента площі ізоенергетичної поверхні та нормального до нього компонента хвильового вектора

dk = dSEdkn .

(8.56)

Для визначення dkn маємо

 

 

 

 

 

dE = dE dk =

 

 

k

E

 

dk .

(8.57)

 

 

dk

 

 

 

 

n

 

 

 

 

 

 

 

 

Тоді, згідно із (8.55), щільність електронів у системі

 

161

Розділ 8. СТАТИСТИКА ЕЛЕКТРОНІВ …

n =

1

∫ f (E,T )

dSEdE

= 2∫ f (E,T )dE ∫

dSE

 

 

.

4π3

 

 

k

E

 

 

8π3

 

 

k

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Звідси для щільності станів отримаємо

N(E )= 1 ∫ dSE .

8π3 SE kE

(8.58)

(8.59)

Знайдемо на основі цієї формули щільність станів для системи, що підлягає закону дисперсії Кейна. Якщо для зони провідності за початок відліку енергії прийняти дно зони провідності, то після віднімання Eg

маємо

E(k)= −

Eg

 

2k2

 

Eg2

2P2k2

,

 

 

+

 

+

 

 

+

3

(8.60)

2

2m

4

де параметр P пов'язаний із матричним елементом імпульсу для взаємодіючих зон. Для багатьох напівпровідників оцінка модуля P дає

величину P 6 10–8 eB є. Це означає, що за малих значень імпульсу другий доданок у (8.60) можна відкинути. Тоді маємо

 

 

 

 

Eg

2

 

 

 

Eg2

 

 

 

2P2k2

.

 

 

 

E(k)−

 

 

 

 

=

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

(8.61)

 

2

 

 

 

4

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Звідси отримуємо

2P2k2

=

E(k)

 

 

 

 

 

+

 

.

 

 

(8.62)

 

3

 

 

 

E(k)

 

Eg

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Із (8.60) знаходимо вираз для градієнта

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

| kE|

=

2k

 

+

 

 

 

 

(4P2/3)k

.

 

(8.63)

 

 

 

 

m

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

P

2

k

2

+

Eg2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

З іншого боку, для сферичних ізоенергетичних поверхонь маємо

 

 

 

 

4πk2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k2

 

 

 

 

N(E )=

8π3 | kE|=

2π2 | kE|.

(8.64)

Підставляючи сюди (8.63) і нехтуючи другим доданком у правій частині, маємо

 

 

2

2

 

2

 

Eg2

 

 

 

3k

 

P

k

 

+

 

 

 

N(E )=

3

 

4

.

(8.65)

 

8π2P2

 

 

 

 

 

 

 

 

Виключимо звідси, згідно із (8.62), хвильовий вектор і знайдемо остаточно

ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

162

 

 

N(E )=

E1/2(Eg +E )1/2(E +Eg/2)

 

 

 

(8.66)

 

 

 

 

4π2(2P2/3)3/2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

або

N(E )=

1

 

2mn*

3/2

E

1/2

E 1/2

 

 

E

 

,

(8.67)

 

 

 

 

 

 

 

 

1+

 

 

1

+2

 

 

 

2

 

 

2

 

 

 

 

2π

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Eg

 

 

Eg

 

 

де ефективна маса на дні зони провідності

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m*

=

 

3 2Eg

.

 

 

 

 

 

(8.68)

 

 

 

 

 

 

 

 

n

 

 

4P2

 

 

 

 

 

 

 

 

8.3.4. Щільність станів електронів напівпровідника в магнітному полі

Іноді для обчислення щільності станів можна використовувати підхід, що ґрунтується на прямому інтегруванні закону дисперсії. Ідея такого підходу полягає в наступному. Якщо необхідно обчислити інтеграл від деякої функції F(E(k)), що непрямо залежить від хвильового вектора

I = ∫

dk

F(E(k)),

(8.69)

(2π)3

то можна використати функцію щільності станів і записати інтеграл у вигляді

I = ∫dEN(E )F(E ).

(8.70)

Із порівняння цих формул маємо вираз для обчислення щільності станів прямим інтегруванням

N(E )= ∫

dk

δ(E −E(k)).

(8.71)

(2π)3

Тут через E(k) позначено функцію, що зв'язує енергію з хвильовим век- тором – закон дисперсії.

Тепер за допомогою (8.71) обчислимо щільність станів електронів напівпровідника в магнітному полі. Як ми з'ясували раніше, у магнітному полі спектр енергії електронів характеризується появою рівнів Ландау

E

=

2kz2

+ ω

(n

+

1

) ,

EC

= .

(8.72)

 

2m*

0

 

2

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Підставимо закон дисперсії (8.72) до (8.71) і врахуємо, що інтегрування за kx та ky замінюється на підсумовування за n. Маємо

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]