- •Содержание
- •Введение
- •Раздел 1. Геометрическая и структурная кристаллографии
- •Тема 1.1. Основные характеристики
- •Кристаллического состояния вещества
- •Тема 1.2. Кристаллографические индексы узлов, узловых рядов и узловых плоскостей
- •Тема 1.3. Кристаллографические проекции
- •Тема 1.4. Элементы симметрии кристаллических многогранников
- •Тема 1.5. Классы симметрии, сингонии и категории кристаллов
- •Классов симметрии кристаллов
- •Тема 1.6. Специфические элементы симметрии кристаллических структур
- •Тема 1.7. Трансляция и системы трансляций (решетки бравэ)
- •Тема 1.8. Условия выбора и характеристики элементарных ячеек
- •Тема 1.10. Пространственные группы симметрии и правильные системы точек
- •Раздел 2. Элементы кристаллохимии и кристаллофизики
- •Тема 2.1.Типы взаимодействия частиц
- •В кристаллах
- •Тема 2.2. Координационные числа и координационные многогранники
- •Тема 2.3. Плотноупакованные слои и многослойные плотнейшие упаковки
- •Тема 2.4. Пустоты в плотнейших упаковках
- •Тема 2.5. Основные структурные типы металлических элементов
- •Тема 2.6. Изоморфизм и полиморфизм
- •Тема 2.7. Структурные типы алмаза и графита
- •Тема 2.8. Симметрия и анизотропия физических свойств кристаллов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 3. Идеальный кристалл и дефекты строения реальных кристаллических материалов. Точечные дефекты
- •Тема 3.1. Понятие об идеальном кристалле
- •Тема 3.2. Точечные, линейные, поверхностные и объемные дефекты кристаллического строения. Виды точечных дефектов.
- •Тема 3.3. Энергия образования и равновесная концентрация вакансий и межузельных атомов. Миграция точечных дефектов
- •Вакансия 1,5 ± 0,5 1,0 ± 0,5
- •Тема 3.4. Источники и стоки точечных дефектов
- •Тема 3.5. Комплексы точечных дефектов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 4. Дислокации, их движение и упругие свойства
- •Тема 4.1. Теоретическая и реальная прочность
- •Кристаллов
- •Тема 4.2. Основные типы дислокаций и их движение
- •Тема 4.3. Контур и вектор бюргерса дислокаций
- •Тема 4.4. Плотность дислокаций
- •Раздел 5. Дислокации и дефекты упаковки в типичных металлических структурах тема 5.1. Полные и частичные дислокации
- •Тема 5.2. Дислокационные реакции
- •Тема 5.3. Плотнейшие упаковки и дефекты упаковки
- •Тема 5.4. Стандартный тетраэдр и дислокационные реакции в гцк-решётке
- •Дислокации в упорядоченных сплавах. В сплавах с дальним порядком (сверхструктурой) атомы разного сорта закономерно чередуются в определённых кристаллографических плоскостях и направлениях.
- •Раздел 6. Пересечение дислокаций и их взаимодействие с точечными дефектами
- •Тема 6.1. Пересечение единичных краевых, краевой и винтовой и винтовых дислокаций
- •Пересечение единичных краевой и винтовой дислокаций. Пусть в плоскости, перпендикулярной линии винтовой дислокации ав, движется краевая дислокация dс (рис. 6.3).
- •Пересечение единичных винтовых дислокаций. Если обе дислокации ав и сd винтовые, то при их пересечении также образуются пороги с краевой ориентацией (рис. 6.4).
- •Тема 6.2. Пороги на дислокациях. Движение дислокаций с порогами
- •Пересечение расщепленных дислокаций. При встрече расщепленных дислокаций их головные частичные дислокации из-за упругого взаимодействия прогибаются в сторону хвостовых частичных дислокаций.
- •Тема 6.3. Взаимодействие дислокаций с вакансиями, межузельными и примесными атомами. Атмосферы коттрелла, снука и сузуки.
- •Атмосферы Коттрелла. Поля напряжений вокруг дислокации и вокруг примесного атома упруго взаимодействуют.
- •Раздел 7. Дислокационные системы и границы раздела
- •Тема 7.1. Образование дислокаций при
- •Кристаллизации и последующем охлаждении металлов. Дислокационные сетки и сплетения.
- •7.2. Размножение дислокаций при пластической деформации
- •Тема 7.3. Границы наклона и кручения, границы малоугловые и большеугловые
- •Раздел 8. Строение твердых фаз и диффузия в металлических сплавах
- •Тема 8.1. Система, сплав, компонент, фаза, структура
- •Тема 8.2. Механические смеси, химические соединения, твердые растворы
- •Тема 8.3. Возможные механизмы диффузии, уравнения диффузии. Основные факторы, влияющие на коэффициент диффузии
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 9. Кристаллизация расплавов
- •Тема 9.1. Особенности строения жидких сплавов
- •Тема 9.2. Термодинамика, механизм и кинетика процесса кристаллизации
- •9.3. Влияние степени переохлаждения, примесей и модификаторов на процесс кристаллизации, размер и форму кристаллов затвердевшего сплава
- •Тема 9.4. Строение реальных металлических отливок
- •Тема 9.5. Направленная кристаллизация. Выращивание монокристаллов из расплавов
- •Раздел 10. Наклеп и рекристаллизация
- •Тема 10.1. Упругая и пластическая деформация металлов
- •Тема 10.2. Механизмы пластической деформации
- •Тема 10.3. Деформационное упрочнение и его причины
- •Тема 10.4. Понятие о сверхпластичности металлов
- •Тема 10.5. Процессы, происходящие при отжиге деформированных металлов. Разновидности рекристаллизации
- •Тема 10.7. Горячая и холодная пластическая деформация
- •14.В чем различие между холодной и горячей пластической деформацией? Опишите особенности обоих видов деформации.
- •Раздел 11. Диаграммы состояния (фазового равновесия) двойных и тройных систем
- •Тема 11.1. Правило фаз
- •Тема 11.2. Важнейшие типы диаграмм состояния двойных сплавов
- •Раздел 12. Структуры, формирующиеся при неравновесной кристаллизации расплавов
- •Тема 12.1. Кристаллизация сплавов в неравновесных условиях
- •Тема 12.2. Аморфизация металлических сплавов
- •Раздел 13. Превращения в металлических сплавах в твердом состоянии
- •Тема 13.1. Основы термодинамики и кинетики полиморфных превращений
- •Тема 13.2.Образование квазиэвтектоида и мартенситных фаз в сплавах с полиморфными превращениями
- •Тема 13.3. Образование пересыщенных твердых растворов и их распад
- •Раздел 14. Диаграммы состояния и структура сплавов железа с углеродом
- •Тема 14.1. Компоненты и фазы в сплавах железа с углеродом в равновесном состоянии
- •Тема 14.2. Кристаллизация и превращения в твердом состоянии в железоуглеродистых сплавах различного состава
- •Раздел 15. Строение неметаллических материалов
- •Тема 15.1. Строение, стеклообразное состояние и старение полимеров
- •Тема 15.2. Строение и кристаллизация стекол
- •Тема 15.3. Строение керамических материалов
- •Заключение
- •Библиографический список
Тема 6.3. Взаимодействие дислокаций с вакансиями, межузельными и примесными атомами. Атмосферы коттрелла, снука и сузуки.
Взаимодействие дислокаций с межузельными атомами и вакансиями. Поле напряжений краевой дислокации притягивает вакансии и межузельные атомы: межузельные атомы притягиваются к области гидростатического растяжения, а вакансии – к области гидростатического сжатия. Поскольку энергия связи вакансии меньше, чем энергия связи межузельного атома, притяжение вакансий к дислокациям слабее.
Вакансии и межузельные атомы, притянувшись к краевой дислокации, аннигилируют на ее порогах: когда вакансия подходит к ступеньке и оседает на ней, порог смещается на одно межатомное расстояние; при подходе межузельного атома порог также смещается на одно межатомное расстояние, но противоположную сторону, а сам атом перестает существовать как межузельный и становится частью экстраплоскости.
Однако если межузельный атом является атомом примеси, то и после присоединения к краю экстраплоскости он сохраняет свою индивидуальность и образует атмосферу вдоль линии краевой дислокации, подобную атмосфере Коттрелла.
Смешанные дислокации упруго взаимодействуют с вакансиями и межузельными атомами в соответствии с их краевой компонентой.
Полагают, что вакансии могут притягиваться к дислокациям любого типа, в том числе и к винтовым дислокациям. Именно этим притяжением объясняют образование геликоидальных дислокаций, у которых линия дислокации закручена в правильную спираль. Геликоидальная дислокация, в отличие от винтовой дислокации, из которой она образовалась, является дислокацией смешанной.
Атмосферы Коттрелла. Поля напряжений вокруг дислокации и вокруг примесного атома упруго взаимодействуют.
В случае краевой дислокации межузельные атомы, мелкие примесные атомы внедрения и крупные примесные атомы замещения притягиваются к области гидростатического растяжения под краем экстраплоскости.
Энергия связи примесного атома с краевой дислокацией
Е = GbRо3 sin/r,
где r и - цилиндрические координаты примесного атома относительно линии и центра дислокации, причём равно 0 в направлении вектора Бюргерса b; G - модуль сдвига, = Rп - Rо / Rо - характеристика размерного несоответствия атомов растворителя с радиусом Rо и растворенных примесных атомов с радиусом Rп.
Чем больше это размерное несоответствие, тем больше энергия упругого взаимодействия. Область разрежения кристаллической решетки вблизи края экстраплоскости из-за избытка электронов имеет слабый отрицательный заряд, а область сжатия – слабый положительный заряд. Поэтому существует электрическое взаимодействие между дислокацией и примесным атомом, несущим тот или иной заряд (табл. 6.1). Однако это взаимодействие в металлах значительно слабее, чем упругое.
Табл. 6.1. Энергия связи точечных дефектов с краевой дислокацией
Точечный дефект |
Еупр , эВ |
Еэлектр , эВ |
Еобщ , эВ |
Межузельный атом (примесный или собственный) |
0,2 - 0,5
|
0,02
|
0,2 - 0,5
|
Примесный атом замещения |
0,05 - 0,1 |
0,02 |
0,05 - 0,1 |
Вакансия |
0,02 |
0,02 |
0,04 |
Притяжение атомов примесей к краевым дислокациям приводит к окружению края экстраплоскости «облаками» из этих атомов. Такие облака примесных атомов называют атмосферами Коттрелла.
Винтовая дислокация не создает областей гидростатического растяжения и гидростатического сжатия и поэтому не способна притягивать дефекты, поле напряжений которых имеет сферическую симметрию.
Однако многие атомы примесей, особенно атомы внедрения, искажают кристаллическую решётку неодинаково в разных направлениях. Так ведут себя, например, атомы углерода в ОЦК решётке, когда они размещены в межузельных пустотах в центрах граней или посередине рёбер элементарной ячейки. Возникающие при этом тетрагональные искажения ОЦК решетки обусловливают взаимодействие примесей внедрения с полем касательных напряжений винтовой дислокации, и примеси притягиваются к дислокации. Считается, что это притяжение не слабее, чем притяжение примесных атомов к краевой дислокации.
Концентрация примесных атомов около дислокации в условиях термодинамического равновесия с = со · e Е/kТ ,
где со – средняя концентрация примеси в металле, Е – энергия связи, k – постоянная Больцмана, Т – абсолютная температура.
С повышением температуры атмосферы Коттрелла «рассасываются», а с понижением температуры концентрация примесей в них возрастает и может наступить такой момент, когда все возможные положения для примесных атомов вдоль линии дислокации окажутся занятыми. Такую атмосферу Коттрелла называют насыщенной или конденсированной.
Температура, ниже которой атмосфера Коттрелла будет насыщенной, определяется соотношением
Тн = Е/kln·1/со.
Чем выше энергия связи, например, для атомов внедрения, тем до более высокой температуры атмосфера Коттрелла является насыщенной.
Атмосферы Снука. В ОЦК решетке в отсутствие напряжений атомы примесей внедрения равномерно заполняют межузельные пустоты вдоль трех направлений <100> (рис. 6.6).
Рис.
6.6.
Расположение атомов внедрения (х) в
пустотах ОЦК решетки: а) без напряжений,
б) при растягивающих напряжениях σ
нешние
напряжения растяжения увеличивают
расстояния между атомами основного
металла вдоль направления приложенного
напряжения, и атомы примесей внедрения
располагаются преимущественно вдоль
этого направления (рис. 6.6, б). Такое
упорядочение в расположении примесных
атомов внедрения должно наблюдаться в
поле напряжений и вокруг винтовой, и
вокруг краевой дислокаций.
Область упорядоченного расположения примесных атомов внедрения вокруг линии дислокации называют атмосферой Снука.
В отличие от медленного образования атмосферы Коттрелла, связанного с диффузионным перемещением примесных атомов на большие расстояния, атмосфера Снука быстро возникает при перескоках этих атомов из одних межузельных пустот в соседние.
Атмосферы Сузуки. Дефект упаковки расщепленной дислокации в ГЦК решетке является тонкой прослойкой ГП решетки. В общем случае растворимость элементов в ГЦК и ГП решетках различна. Поэтому примесные атомы диффундируют в дефект упаковки или уходят из него, распределяясь между дефектом упаковки и основной кристаллической решеткой аналогично распределению атомов между двумя разными фазами.
Область измененной концентрации примесных атомов в дефекте упаковки расщепленной дислокации называют атмосферой Сузуки. Образование атмосфер Сузуки уменьшает энергию дефекта упаковки и тем самым приводит к увеличению ширины расщепленной дислокации.
В отличие от атмосфер Коттрелла, атмосферы Сузуки образуются и на краевых, и на винтовых дислокациях. Кроме того, из-за большой протяженности дефектов упаковки для насыщения атмосфер Сузуки требуется значительно большее количество примесных атомов, чем для насыщения атмосфер Коттрелла.
Вопросы для самопроверки
1. Каковы результаты пересечения взаимно перпендикулярных краевых, краевой и винтовой или винтовых дислокаций?
2. Какие пороги образуются при пересечении дислокаций? Какими способами могут перемещаться эти пороги?
3. Как происходит движение дислокаций с короткими и длинными порогами? Какие дефекты кристаллического строения при этом образуются?
4. Каковы особенности процесса пересечения расщепленных дислокаций?
5. Каковы результаты взаимодействия дислокаций с вакансиями и межузельными атомами?
6. Что представляют собой атмосферы Коттрелла? От чего и как зависит равновесная концентрация примесных атомов около дислокаций?
7. Что представляют собой атмосферы Снука и Сузуки? В чем состоит их отличие от атмосфер Коттрелла?
