- •Содержание
- •Введение
- •Раздел 1. Геометрическая и структурная кристаллографии
- •Тема 1.1. Основные характеристики
- •Кристаллического состояния вещества
- •Тема 1.2. Кристаллографические индексы узлов, узловых рядов и узловых плоскостей
- •Тема 1.3. Кристаллографические проекции
- •Тема 1.4. Элементы симметрии кристаллических многогранников
- •Тема 1.5. Классы симметрии, сингонии и категории кристаллов
- •Классов симметрии кристаллов
- •Тема 1.6. Специфические элементы симметрии кристаллических структур
- •Тема 1.7. Трансляция и системы трансляций (решетки бравэ)
- •Тема 1.8. Условия выбора и характеристики элементарных ячеек
- •Тема 1.10. Пространственные группы симметрии и правильные системы точек
- •Раздел 2. Элементы кристаллохимии и кристаллофизики
- •Тема 2.1.Типы взаимодействия частиц
- •В кристаллах
- •Тема 2.2. Координационные числа и координационные многогранники
- •Тема 2.3. Плотноупакованные слои и многослойные плотнейшие упаковки
- •Тема 2.4. Пустоты в плотнейших упаковках
- •Тема 2.5. Основные структурные типы металлических элементов
- •Тема 2.6. Изоморфизм и полиморфизм
- •Тема 2.7. Структурные типы алмаза и графита
- •Тема 2.8. Симметрия и анизотропия физических свойств кристаллов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 3. Идеальный кристалл и дефекты строения реальных кристаллических материалов. Точечные дефекты
- •Тема 3.1. Понятие об идеальном кристалле
- •Тема 3.2. Точечные, линейные, поверхностные и объемные дефекты кристаллического строения. Виды точечных дефектов.
- •Тема 3.3. Энергия образования и равновесная концентрация вакансий и межузельных атомов. Миграция точечных дефектов
- •Вакансия 1,5 ± 0,5 1,0 ± 0,5
- •Тема 3.4. Источники и стоки точечных дефектов
- •Тема 3.5. Комплексы точечных дефектов
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 4. Дислокации, их движение и упругие свойства
- •Тема 4.1. Теоретическая и реальная прочность
- •Кристаллов
- •Тема 4.2. Основные типы дислокаций и их движение
- •Тема 4.3. Контур и вектор бюргерса дислокаций
- •Тема 4.4. Плотность дислокаций
- •Раздел 5. Дислокации и дефекты упаковки в типичных металлических структурах тема 5.1. Полные и частичные дислокации
- •Тема 5.2. Дислокационные реакции
- •Тема 5.3. Плотнейшие упаковки и дефекты упаковки
- •Тема 5.4. Стандартный тетраэдр и дислокационные реакции в гцк-решётке
- •Дислокации в упорядоченных сплавах. В сплавах с дальним порядком (сверхструктурой) атомы разного сорта закономерно чередуются в определённых кристаллографических плоскостях и направлениях.
- •Раздел 6. Пересечение дислокаций и их взаимодействие с точечными дефектами
- •Тема 6.1. Пересечение единичных краевых, краевой и винтовой и винтовых дислокаций
- •Пересечение единичных краевой и винтовой дислокаций. Пусть в плоскости, перпендикулярной линии винтовой дислокации ав, движется краевая дислокация dс (рис. 6.3).
- •Пересечение единичных винтовых дислокаций. Если обе дислокации ав и сd винтовые, то при их пересечении также образуются пороги с краевой ориентацией (рис. 6.4).
- •Тема 6.2. Пороги на дислокациях. Движение дислокаций с порогами
- •Пересечение расщепленных дислокаций. При встрече расщепленных дислокаций их головные частичные дислокации из-за упругого взаимодействия прогибаются в сторону хвостовых частичных дислокаций.
- •Тема 6.3. Взаимодействие дислокаций с вакансиями, межузельными и примесными атомами. Атмосферы коттрелла, снука и сузуки.
- •Атмосферы Коттрелла. Поля напряжений вокруг дислокации и вокруг примесного атома упруго взаимодействуют.
- •Раздел 7. Дислокационные системы и границы раздела
- •Тема 7.1. Образование дислокаций при
- •Кристаллизации и последующем охлаждении металлов. Дислокационные сетки и сплетения.
- •7.2. Размножение дислокаций при пластической деформации
- •Тема 7.3. Границы наклона и кручения, границы малоугловые и большеугловые
- •Раздел 8. Строение твердых фаз и диффузия в металлических сплавах
- •Тема 8.1. Система, сплав, компонент, фаза, структура
- •Тема 8.2. Механические смеси, химические соединения, твердые растворы
- •Тема 8.3. Возможные механизмы диффузии, уравнения диффузии. Основные факторы, влияющие на коэффициент диффузии
- •Вопросы для самопроверки
- •Раздел 9. Кристаллизация расплавов
- •Тема 9.1. Особенности строения жидких сплавов
- •Тема 9.2. Термодинамика, механизм и кинетика процесса кристаллизации
- •9.3. Влияние степени переохлаждения, примесей и модификаторов на процесс кристаллизации, размер и форму кристаллов затвердевшего сплава
- •Тема 9.4. Строение реальных металлических отливок
- •Тема 9.5. Направленная кристаллизация. Выращивание монокристаллов из расплавов
- •Раздел 10. Наклеп и рекристаллизация
- •Тема 10.1. Упругая и пластическая деформация металлов
- •Тема 10.2. Механизмы пластической деформации
- •Тема 10.3. Деформационное упрочнение и его причины
- •Тема 10.4. Понятие о сверхпластичности металлов
- •Тема 10.5. Процессы, происходящие при отжиге деформированных металлов. Разновидности рекристаллизации
- •Тема 10.7. Горячая и холодная пластическая деформация
- •14.В чем различие между холодной и горячей пластической деформацией? Опишите особенности обоих видов деформации.
- •Раздел 11. Диаграммы состояния (фазового равновесия) двойных и тройных систем
- •Тема 11.1. Правило фаз
- •Тема 11.2. Важнейшие типы диаграмм состояния двойных сплавов
- •Раздел 12. Структуры, формирующиеся при неравновесной кристаллизации расплавов
- •Тема 12.1. Кристаллизация сплавов в неравновесных условиях
- •Тема 12.2. Аморфизация металлических сплавов
- •Раздел 13. Превращения в металлических сплавах в твердом состоянии
- •Тема 13.1. Основы термодинамики и кинетики полиморфных превращений
- •Тема 13.2.Образование квазиэвтектоида и мартенситных фаз в сплавах с полиморфными превращениями
- •Тема 13.3. Образование пересыщенных твердых растворов и их распад
- •Раздел 14. Диаграммы состояния и структура сплавов железа с углеродом
- •Тема 14.1. Компоненты и фазы в сплавах железа с углеродом в равновесном состоянии
- •Тема 14.2. Кристаллизация и превращения в твердом состоянии в железоуглеродистых сплавах различного состава
- •Раздел 15. Строение неметаллических материалов
- •Тема 15.1. Строение, стеклообразное состояние и старение полимеров
- •Тема 15.2. Строение и кристаллизация стекол
- •Тема 15.3. Строение керамических материалов
- •Заключение
- •Библиографический список
Классов симметрии кристаллов
Сингония |
Позиция в символе |
||
|
первая |
вторая |
третья |
Триклинная |
Только один символ, соответствующий любому направлению в кристалле |
||
Моноклинная |
Единственная ось 2 вдоль Y или плоскость m + Y |
||
Ромбическая |
Ось 2 или плоскость m вдоль X |
Ось 2 или плоскость m вдоль Y |
Ось 2 или плоскость m вдоль Z |
Тригональная |
Главная ось симметрии |
Оси 2 или плоскости m вдоль X,Y |
Диагональные оси 2 или плоскости m |
Тетрагональная |
То же |
То же |
То же |
Гексагональная |
То же |
То же |
То же |
Кубическая |
Координатные элементы симметрии (оси 2, 4 или плоскость m) |
|
То же |
Тема 1.6. Специфические элементы симметрии кристаллических структур
В кристаллических структурах, как и в кристаллических многогранниках, действие поворотных осей симметрии приводит к самосовмещению при полном повороте вокруг оси симметрии столько раз, каков порядок этой оси.
Действие инверсионных осей симметрии 3, 4 и 6 в кристаллических структурах тоже аналогично действию этих осей в кристаллических многогранниках – оно состоит в повороте вокруг оси на соответствующий элементарный угол и мысленном отражении в некой центральной точке, лежащей на этой оси.
Кроме поворотных и инверсионных осей симметрии в кристаллических структурах могут существовать винтовые оси симметрии.
Винтовой осью симметрии называется ось, при повороте вокруг которой на соответствующий элементарный угол самосовмещение достигается только после дополнительного переноса вдоль оси на некоторую часть соответствующей трансляции. Наименьший перенос, возможный для винтовой оси симметрии n-го порядка, равен величине трансляции t в направлении оси, деленной на порядок оси: t / n. Помимо осей с наименьшим переносом, возможны винтовые оси с переносом, кратным наименьшему. Винтовые оси симметрии в кристаллических структурах (как поворотные и инверсионные оси симметрии), могут быть только второго, третьего, четвертого и шестого порядков. При этом различают винтовые оси правые и левые: принимается, что для правой винтовой оси поворот вокруг нее происходит по часовой стрелке, а для левой – против часовой стрелки, если смотреть по направлению переноса.
Винтовые оси симметрии, встречающиеся в кристаллических структурах, обозначаются международными символами, показывающими порядок оси, с числовыми индексами внизу: 21, 31, 32, 41, 42, 43, 61, 62, 63, 64, 65. В этих обозначениях частное от деления индекса на символ дает величину переноса вдоль данной оси по отношению к трансляции структуры в направлении, параллельном этой оси.
Например, ось 21 означает поворот на 180° с последующим переносом вдоль нее на t / 2. При этом двойная винтовая ось является одновременно и правой и левой, так как поворот вокруг нее на 180° по часовой стрелке или против нее приводит к одинаковому результату. От выбора направления поворота вокруг оси не зависит также и действие осей 42 и 63. Поэтому оси 21, 42 и 63 называются нейтральными (оси 42 и 63 являются одновременно двойной и тройной поворотными осями симметрии, соответственно).
Ось 31 означает поворот на 120° по часовой стрелке с переносом вдоль нее на t / 3, а ось 32 – такой же поворот, но с переносом на 2/3 t (рис. 1.9). Очевидно, что действие оси 31 правой тождественно действию оси 32 левой и оси 32 правой – оси 31 левой.
Аналогично можно было бы рассмотреть и действие правых и левых осей 41 и 4з, 61, 62 и 64,65, (оси 62 и 64 являются одновременно и двойными поворотными осями симметрии).
Рис.
1.9.
Действие поворотной оси симметрии 3
и винтовых осей симметрии 31
и 32:
а
– расположенных параллельно плоскости
чертежа; б
– расположенных перпендикулярно
плоскости чертежа
ействию
винтовой оси симметрии должны подчиняться
все частицы кристаллической структуры,
в том числе и находящиеся на самой оси.
Поэтому, чтобы убедиться в существовании
в структуре какой-либо винтовой оси
симметрии, следует проверить ее действие
на возможно большем числе частиц.
Помимо плоскости симметрии m (плоскости зеркального отражения) в кристаллических структурах могут существовать плоскости симметрии, называемые плоскостями скользящего отражения.
Плоскость скользящего отражения – это мысленно проводимая в структуре плоскость, отражаясь в которой, кристаллическая решетка приходит в самосовмещение лишь после дополнительного переноса вдоль плоскости на определенную долю соответствующих трансляций.
Плоскости симметрии а, b и с сходны по своему действию, которое заключается в отражении и последующем переносе (скольжении) параллельно соответствующей координатной оси на половину трансляции вдоль этой оси. Иначе говоря, плоскости симметрии а, b и с параллельны осям X, Y и Z и обладают переносами a/2, b/2, c/2, где a, b и с – осевые трансляции.
В элементарных ячейках кристаллических структур плоскости симметрии a, b и с обычно располагаются параллельно граням ячейки, а иногда – параллельно диагоналям граней.
Действие плоскости симметрии п состоит в отражении с последующим переносом на расстояния, равные половинам трансляций по двум направлениям, параллельным плоскости n.
Необходимо помнить, что плоскости п и d встречаются соответственно в объемноцентрированных и гранецентрированных решетках Бравэ.
