Билет № 19

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303 и резистора 0,4 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=2,5 А, другая на обратной U_ОБР=100 В) определить сопротивление по постоянному току при Т=60^О С

3. О пределить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

если U_СТ =47 В,

I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 20 мА,

R_Н =4700 Ом, R_Г =1000 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 15 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение пт с индуцированным каналом типа n.

7. Дать определение крутизны пт.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

5) ; при 6) ; при .

8. Определить крутизну S в точке U_ЗИ = 1 В.

Указать тип транзистора :

А) С управляющим p-n переходом (канал типа n)

Б) С управляющим p-n переходом (канал типа р)

В) С индуцированным каналом типа n

Г) С индуцированным каналом типа р

Д) Со встроенным каналом типа n

Е) Со встроенным каналом типа р

9. Указать полярность источников в активном режиме.

10. Определить ток коллектора, если I_Б=50 мкА, I_КЭ0=100 мкА, β=100.

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры p-n-p, включенного по схеме с ОЭ

12. Определить h_22Э при U_КЭ=10 В и I_Б=1 мА

13 Дайте определение граничной частоте.

14 Указать зависимость модуля │h11э│ от частоты

15 h_21Э0 = 100. На частоте f = 1000 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =5. Определить f_Н21Б.

Билет № 20

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303А и резистора 0,4 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2. Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 2,5 А, другая на обратной U_ОБР=100 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3. Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

е сли U_СТ =39 В,

I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 40 мА,

R_Н =3900 Ом, R_Г =500 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 16 В, L=20 мкГн,

С_НОМ=30 пФ

5 . Структура какого пт изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение полевого тетрода с встроенным каналом типа р.

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

8. Определить крутизну S в точке U_ЗИ = -0,25 В.

У казать тип транзистора :

А) С управляющим p-n переходом (канал типа n)

Б) С управляющим p-n переходом (канал типа р)

В) С индуцированным каналом типа n

Г) С индуцированным каналом типа р

Д) Со встроенным каналом типа n

Е) Со встроенным каналом типа р