- •Билет № 1
- •Билет № 2
- •3 . Определить пределы изменения входного напряжения при сохранении стабилизации выходного напряжения, если
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •Билет № 3
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •11. Укажите входную характеристику для бт структуры n-p-n, включенного по схеме с оэ.
- •14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
- •Билет № 4
- •Билет № 5
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать полярность источников в режиме отсечки.
- •Билет № 6
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •Билет № 7
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •9. Указать полярность источников питания в режиме отсечки.
- •Билет № 8
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •6. Указать условное изображение пт с индуцированным каналом типа n.
- •9. Указать полярность источников питания в режиме насыщения.
- •Билет № 9
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •9. Указать полярность источников питания в активном режиме.
- •15. Указать зависимость модуля │h11э│ от частоты Билет № 10
- •5 . Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •9. Указать полярность источников питания в активном режиме.
- •Билет № 11
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать режим работы бт. (Активный, отсечки, насыщения, инверсный)
- •13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.
- •14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
- •Билет № 12
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •9. Указать режим работы бт. (Активный, отсечки, насыщения, инверсный).
- •11. Укажите выходную характеристику для бт структуры n- p-n, включенного по схеме с оэ.
- •13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока базы.
- •15 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты Билет № 13
- •5 Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
- •Определите fН21э. Билет № 14
- •Билет № 15
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •9. Указать полярность источников в режиме отсечки.
- •Билет № 16
- •Билет № 17
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать полярность источников в режиме отсечки.
- •Билет № 18
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •Билет № 19
- •Структура какого пт изображена на рисунке:
- •6. Указать условное изображение пт с индуцированным каналом типа n.
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •9. Указать полярность источников в активном режиме.
- •14 Указать зависимость модуля │h11э│ от частоты
- •Билет № 20
- •5 . Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать полярность источников в режиме отсечки.
- •11. Укажите входную характеристику для бт структуры p-n- p, включенного по схеме с оэ.
- •Билет № 21
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •11. Укажите выходную характеристику для бт структуры n-p-n, включенного по схеме с оэ.
- •Билет № 22
- •5 . Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •9. Указать режим работы бт (Отсечки, активный, насыщения, инверсный).
- •Билет № 23
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать полярность источников питания в режиме насыщения.
- •Билет № 24
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •9. Указать полярность источников питания в активном режиме.
- •15. Указать зависимость модуля │h11э│ от частоты Билет № 25
- •Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •9. Указать полярность источников питания в активном режиме.
- •Билет № 26
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать полярность источников питания в режиме отсечки.
- •13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.
- •14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
- •Билет № 27
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •11. Укажите выходную характеристику для бт структуры n- p-n, включенного по схеме с оэ.
- •13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока базы.
- •14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
- •Билет № 29
- •15 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты Билет № 28
- •5 . Структура какого пт изображена на рисунке:
- •Билет № 30
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •9. Указать полярность источников в режиме отсечки.
Билет № 26
Цепь состоит из последовательно включенного диода КД103А и резистора 10 Ом (рис 1). На ВАХ диода (рис.3) построить нагрузочную прямую при UВХ = 1,5 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ОС.
2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при IПР=125 мА, другая на обратной UОБР=50 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60ОС.
3 . Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если
UСТ =130 В, IСТ min = 5 мА, IСТ max = 20 мА,
RН =13000 Ом, RГ =2000 Ом.
4. Определить резонансную частоту контура, если UУПР= 2 В, L=20 мкГн, СНОМ=30 пФ
5. Структура какого пт изображена на рисунке:
А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),
Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),
В) МДП с индуцированным каналом типа n,
Г) МДП с индуцированным каналом типа р,
Д) МДП с встроенным каналом типа n,
Е) МДП с встроенным каналом типа р.
6. Указать условное изображение БТ с структуры n-р-n.
7. Дать определение внутреннего сопротивления Ri.
1) ; при 2) ; при
3) ; при 4) ; при
8. Определить S при UСИ=12 В и UЗИ = - 1 В. Указать тип транзистора.
9. Указать полярность источников питания в режиме отсечки.
10. Ток коллектора связан с токами эмиттера и базы соотношением…
;
4. Ток базы не связан с токами IK и IЭ.
11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.
12. Определить h11Э в точке IБ = 200 мкА
13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.
14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
15 h21Э0 = 100. На частоте f = 600 МГц модуль коэффициента передачи равен |h21Э | = 5. Определите fН21Э.
Билет № 27
Цепь состоит из последовательно включенного диода КД109Б и резистора 5 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при UВХ = 1,5 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ОС.
2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при IПР=250 мА, другая на обратной UОБР=200 В) определить сопротивление по постоянному току при Т=20ОС.
3 . Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если
UСТ =150 В,
IСТ min = 5 мА, IСТ max = 20 мА,
RН =15 000 Ом, RГ =2000 Ом.
4. Определить резонансную частоту контура, если UУПР= 3 В, L=20 мкГн, СНОМ=30 пФ
5. Структура какого пт изображена на рисунке:
А ) с управляющим p-n переходом (канал типа n),
Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),
В) МДП с индуцированным каналом типа n,
Г) МДП с индуцированным каналом типа р,
Д) МДП с встроенным каналом типа n,
Е) МДП с встроенным каналом типа р.
6. Указать условное изображение ПТ с управляющим p-n переходом и каналом типа n.
7. Дать определение коэффициента усиления μ.
1) ; при 3) ; при
2) ; при 4) ; при
8. Определить Ri при UСИ=14 В и UЗИ = - 1 В. Указать тип транзистора.
9. Указать полярность источников питания в режиме насыщения.
10. Определить ток коллектора и ток базы для схемы с ОЭ, если β=99, IЭ=10,1 мА, IКЭ0=0,1 мА
11. Укажите выходную характеристику для бт структуры n- p-n, включенного по схеме с оэ.
12. Определить h22Э при UКЭ=5 В и IБ=16 мА
.
13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока базы.
14. h21Э0 = 80. На частоте f = 600 МГц модуль коэффициента передачи равен |h21Э | = 4. Определить fН21Э.
