Билет № 30

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода КД108В и резистора 10 Ом На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ= 1,4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 80 мА, другая на обратной U_ОБР=80 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3 . Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =9 В,

I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 50 мА,

R_Н =900 Ом, R_Г =200 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 4 В, L=10 мкГн, С_НОМ=40 пФ

5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А ) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа p.

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при 3) ; при

2. ; при 4) ; при

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом n-типа при U_ЗИ= 1 В имеет крутизну

S=6 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = -2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = -1 В.

9. Указать полярность источников в режиме отсечки.

10. Определить ток коллектора БТ в схеме с ОБ, если β=49, I_Э=10 мА, I_КЭ0=100 мкА,

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h_22Э при U_КЭ=5 В и I_Б=10 мА

13. Дайте определение предельной частоте f _h21Э.

14. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока базы от частоты

15. h_21Э0 = 200. На частоте f = 300 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =10. Определите f_Н21Э.

91