Билет № 7

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д229Ж и резистора 3 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2. Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 300 мА, другая на обратной

U_ОБР=100 В) определить сопротивление по постоянному току. Т = 60 ^ОС.

3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =7,5 В, I_{СТ min} = 3 мА, I_{СТ max} = 20 мА,

R_Н =750 Ом, R_Г =200 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР=3 В, L=10 мкГн, С_НОМ=40 пФ

5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение ПТ с управляющим p-n переходом и каналом типа р.

7. Дать определение крутизны пт.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

5) ; при 6) ; при .

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом n-типа при U_ЗИ= -1 В имеет крутизну

S=2 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = -2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = 1 В.

9. Указать полярность источников питания в режиме отсечки.

10. Определить ток коллектора, если I_Э=10 мА, I_КБ0=10 мкА, α=0,99

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h_21Э при U_КЭ=60 В и I_Б=250 мкА

13. Дайте определение максимальной частоте f _max.

14. Указать формулу зависимости модуля коэффициента передачи тока базы от частоты:

1. │h_21Э│= 2. h_21Э=

3. h_21Б= 4. │h_21Э│=

5.│h_21Э│= 6. │h_21Б│=

15. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока эмиттера от частоты

Билет № 8

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д229И и резистора 2 Ома. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2. Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=400 мА, другая на обратной

U_ОБР=200 В) определить дифференциальное сопротивление. Т = 60 ^ОС.

3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =8,2 В, I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 40 мА,

R_Н =820 Ом, R_Г =250 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 5 В, L=12 мкГн, С_НОМ=20 пФ

5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n), Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р), В) МДП с индуцированным каналом типа n, Г) МДП с индуцированным каналом типа р, Д) МДП с встроенным каналом типа n, Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение пт с индуцированным каналом типа n.

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

8. Определить S при U_СИ=12 В, U_ЗИ=-2 В. Указать тип транзистора.