15 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты Билет № 28

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д229Д и резистора 4 Ома. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1,6 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 250 мА, другая на обратной U_ОБР=200 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3 . Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =180 В, I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 10 мА,

R_Н =18 000 Ом, R_Г =2000 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 4 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5 . Структура какого пт изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

5. Указать условное изображение ПТ с управляющим p-n переходом и каналом типа р.

7. Дать определение мощности, рассеиваемой на стоке ПТ.

1) Р_C = U_ЗИ∙I_З; 2) Р_C = U_СИ∙I_З; 3) Р_C = U_СИ∙I_З;

4) Р_C = U_СИ∙I_С; 5) Р_C = U_СИ/I_С; 6) Р_C = U²_СИ∙I_С.

8. Определить мощность рассеивания на стоке ПТ при U_СИ=12 В и U_ЗИ = - 1 В. Указать тип транзистора.

9. Указать полярность источников в режиме насыщения.

10. Определить ток эмиттера для схемы с ОБ, если I_К=9,901 мА, α=0,99, I_КБ0=1 мкА.

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h_21Э при U_КЭ=5 В и I_Б=12 мА

13 Дайте определение граничной частоте.

14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты

15 h_21Э0 = 50. На частоте f = 100 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =5. Определить f_Н21Э.

Билет № 29

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода КД109В и резистора 5 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ= 2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=250 мА, другая на обратной U_ОБР=400 В) определить сопротивление по постоянному току при Т=20^ОС.

3 . Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =8 В, I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 50 мА,

R_Н =800 Ом, R_Г =500 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 4 В, L=20 мкГн, С_НОМ=20 пФ

5. Структура какого ПТ изображена на рисунке:

А ) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа n.

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

8. Определить мощность рассеивания на стоке ПТ при U_СИ=10 В и U_ЗИ = - 1 В. Указать тип транзистора.

9. Указать полярность источников в активном режиме.

10. Определить ток эмиттера для схемы с ОЭ, если I_К=10,1 мА, α=0,99, I_КБ0=1 мкА.

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. . Определить h_11Э в точке I_Б = 300 мкА

13 Дайте определение граничной частоте.

14 Указать зависимость модуля │h_11Э│ от частоты

15 h_21Э0 = 50. На частоте f = 100 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =2. Определить f_Н21Б.