7. Дать определение крутизны пт.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

5) ; при 6) ; при .

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом n-типа при U_ЗИ= 1 В имеет крутизну

S=1,5 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = -2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = -1 В.

9. Указать режим работы бт (Отсечки, активный, насыщения, инверсный).

10. Определить ток коллектора, если I_Э=10 мА, I_КБ0=10 мкА, α=0,99

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h_21Э при U_КЭ=60 В и I_Б=250 мкА

13. Дайте определение максимальной частоте f _max.

14. Указать формулу зависимости модуля коэффициента передачи тока базы от частоты:

1. │h_21Э│= 2. h_21Э=

3. h_21Б= 4. │h_21Э│=

5.│h_21Э│= 6. │h_21Б│=

15. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока эмиттера от частоты

Билет № 23

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д245А и резистора 0,1 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1,4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 10 В, другая на обратной U_ОБР=200 В) определить сопротивление по постоянному току при Т=20^ОС.

3. О пределить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

если U_СТ =82 В,

I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 30 мА,

R_Н =1640 Ом, R_Г =1000 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 19 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А ) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение ПТ с встроенным каналом типа n.

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

8. Определить R_i при U_СИ=6 В и U_ЗИ = - 0,4 В. Указать тип транзистора.

9. Указать полярность источников питания в режиме насыщения.

10. Определить ток коллектора, если I_Б=1 мА, I_КЭ0=10 мкА, β=100

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h_22Э при U_КЭ=4 В и I_Б=20 мА

.

13. Дайте определение граничной частоте f _ГР.

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты в комплексной форме:

1. │h_21Э│= 2. h_21Э=

3. h_21Б= 4. │h_21Э│=

5.│h_21Э│= 6. │h_21Б│=

15. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока эмиттера от частоты

Билет № 24

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д247А и резистора 0,1 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1,5 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=10 А, другая на обратной U_ОБР=200 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3. О пределить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =33 В, I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 40 мА,

R_Н =3300 Ом, R_Г =500 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 20 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ