Билет № 15

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода ГД107А и резистора 40 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 0,8 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ в рабочей точке, другая на обратной U_ОБР=10 В) определить сопротивление по постоянному току. Т=60^ОС.

3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =22 В, I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 20 мА,

R_Н =2200 Ом, R_Г =500 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР=11 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А ) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение полевого тетрода с встроенным каналом типа р.

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при 3) ; при

2. ; при 4) ; при

8. МДП полевой транзистор со встроенным каналом р-типа при U_ЗИ= -1 В имеет крутизну

S=3 мА/B. Напряжение отсечки U_ЗИ0 = 2 В. Определить ток стока I_C и крутизну S при напряжении на затворе U_ЗИ = 1 В.

9. Указать полярность источников в режиме отсечки.

10. Определить ток коллектора БТ в схеме с ОБ, если β=49, I_Э=10 мА, I_КЭ0=100 мкА,

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. . Определить h_22Э при U_КЭ=5 В и I_Б=10 мА

13. Дайте определение предельной частоте f _h21Э.

14. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока базы от частоты

15. h_21Э0 = 200. На частоте f = 300 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =10. Определить f_ГР.

Билет № 16

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д7Б и резистора 2,5 Ом (рис 1). На ВАХ диода (рис.3) построить нагрузочную прямую при U_ВХ U_ВХ = 0,75 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 200 мА, другая на обратной U_ОБР=50 В) определить дифференциальное сопротивление приТ=60^ОС.

3 . Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =20 В, I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 30 мА,

R_Н =2000 Ом, R_Г =500 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 12 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5 . Структура какого ПТ изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6 Указать условное изображение БТ структуры р-n-р.

7. Дать определение крутизны ПТ.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

5) ; при 6) ; при .

8. Определить R_i при U_СИ=6 В и U_ЗИ = 0 В. Указать тип транзистора.

9. Указать полярность источников в активном режиме.

10. Определить ток коллектора, если I_Э=10 мА, I_КБ0=10 мкА, α=0,98.

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n-p-n, включенного по схеме с ОБ.

12. Определить h_21Э при U_КЭ=10 В и I_Б=1 мА

13 Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.

14 Указать зависимость модуля │h_11Б│ от частоты

15 h_21Э0 = 100. На частоте f = 500 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | = 5. Определите f_ГР.