- •Билет № 1
- •Билет № 2
- •3 . Определить пределы изменения входного напряжения при сохранении стабилизации выходного напряжения, если
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •Билет № 3
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •11. Укажите входную характеристику для бт структуры n-p-n, включенного по схеме с оэ.
- •14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
- •Билет № 4
- •Билет № 5
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать полярность источников в режиме отсечки.
- •Билет № 6
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •Билет № 7
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •9. Указать полярность источников питания в режиме отсечки.
- •Билет № 8
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •6. Указать условное изображение пт с индуцированным каналом типа n.
- •9. Указать полярность источников питания в режиме насыщения.
- •Билет № 9
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •9. Указать полярность источников питания в активном режиме.
- •15. Указать зависимость модуля │h11э│ от частоты Билет № 10
- •5 . Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •9. Указать полярность источников питания в активном режиме.
- •Билет № 11
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать режим работы бт. (Активный, отсечки, насыщения, инверсный)
- •13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.
- •14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
- •Билет № 12
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •9. Указать режим работы бт. (Активный, отсечки, насыщения, инверсный).
- •11. Укажите выходную характеристику для бт структуры n- p-n, включенного по схеме с оэ.
- •13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока базы.
- •15 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты Билет № 13
- •5 Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
- •Определите fН21э. Билет № 14
- •Билет № 15
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •9. Указать полярность источников в режиме отсечки.
- •Билет № 16
- •Билет № 17
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать полярность источников в режиме отсечки.
- •Билет № 18
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •Билет № 19
- •Структура какого пт изображена на рисунке:
- •6. Указать условное изображение пт с индуцированным каналом типа n.
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •9. Указать полярность источников в активном режиме.
- •14 Указать зависимость модуля │h11э│ от частоты
- •Билет № 20
- •5 . Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать полярность источников в режиме отсечки.
- •11. Укажите входную характеристику для бт структуры p-n- p, включенного по схеме с оэ.
- •Билет № 21
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •11. Укажите выходную характеристику для бт структуры n-p-n, включенного по схеме с оэ.
- •Билет № 22
- •5 . Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •9. Указать режим работы бт (Отсечки, активный, насыщения, инверсный).
- •Билет № 23
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать полярность источников питания в режиме насыщения.
- •Билет № 24
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •9. Указать полярность источников питания в активном режиме.
- •15. Указать зависимость модуля │h11э│ от частоты Билет № 25
- •Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение крутизны пт.
- •9. Указать полярность источников питания в активном режиме.
- •Билет № 26
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •9. Указать полярность источников питания в режиме отсечки.
- •13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.
- •14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
- •Билет № 27
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •11. Укажите выходную характеристику для бт структуры n- p-n, включенного по схеме с оэ.
- •13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока базы.
- •14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты
- •Билет № 29
- •15 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты Билет № 28
- •5 . Структура какого пт изображена на рисунке:
- •Билет № 30
- •5. Структура какого пт изображена на рисунке:
- •7. Дать определение коэффициента усиления μ.
- •9. Указать полярность источников в режиме отсечки.
9. Указать полярность источников питания в режиме насыщения.
10. Определить ток коллектора, если IБ=1 мА, IКЭ0=10 мкА, β=100
11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.
12. Определить h22Э при UКЭ=4 В и IБ=20 мА
.
13. Дайте определение граничной частоте f ГР.
14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты в комплексной форме:
1. │h21Э│= 2. h21Э=
3. h21Б= 4. │h21Э│=
5.│h21Э│= 6. │h21Б│=
15. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока эмиттера от частоты
Билет № 9
1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д242А и резистора 0,2 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при UВХ = 1,4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ОС.
2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при IПР=3 А, другая на обратной UОБР=200 В определить сопротивление по постоянному току. Т = 60 ОС
3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если
UСТ =9,1 В, IСТ min = 5 мА, IСТ max = 30 мА,
RН =910 Ом, RГ =350 Ом.
4. Определить резонансную частоту контура, если UУПР= 6 В, L=20 мкГн, СНОМ=20 пФ
5. Структура какого пт изображена на рисунке:
А ) с управляющим p-n переходом (канал типа n),
Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),
В) МДП с индуцированным каналом типа n,
Г) МДП с индуцированным каналом типа р,
Д) МДП с встроенным каналом типа n,
Е) МДП с встроенным каналом типа р.
6. Указать условное изображение ПТ с управляющим p-n переходом и каналом типа n.
7. Дать определение коэффициента усиления μ.
1) ; при 3) ; при
; при 4) ; при
8. Определить Ri при UСИ=12 В, UЗИ=-1 В. Указать тип транзистора.
9. Указать полярность источников питания в активном режиме.
10. β=49. Определить α.
11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.
12. Определить h21Э при UКЭ=4 В и IБ=16 мА
13. Дайте определение частоте f max. Это частота, на которой:
1. КР
= 0,7; 2. КР = 1; 3. КР = 10; 4.
КР =
;
5. h21Э
=
6. h21Б=
7.
14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты в комплексной форме:
1. │h21Э│= 2. h21Э= 3. h21Б=
4. │h21Э│= 5.│h21Э│= 6. │h21Б│=
15. Указать зависимость модуля │h11э│ от частоты Билет № 10
Цепь состоит из последовательно включенного диода КД103А и резистора 20 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при UВХ = 1,4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ОС.
2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при IПР= 40 мА, другая на обратной UОБР=50 В) определить дифференциальное сопротивление при Т = 60 ОС.
3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если
UСТ =10 В, IСТ min = 5 мА, IСТ max = 30 мА,
RН =1000 Ом, RГ =350 Ом.
4. Определить резонансную частоту контура, если UУПР= 5 В, L=20 мкГн, СНОМ=30 пФ
5 . Структура какого пт изображена на рисунке:
А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),
Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),
В) МДП с индуцированным каналом типа n,
Г) МДП с индуцированным каналом типа р,
Д) МДП с встроенным каналом типа n,
Е) МДП с встроенным каналом типа р.
6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа р.
