Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Зач по ФОЭ 2013.doc
Скачиваний:
4
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
10 Мб
Скачать
☆

9. Указать полярность источников питания в режиме насыщения.

10. Определить ток коллектора, если IБ=1 мА, IКЭ0=10 мкА, β=100

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h22Э при UКЭ=4 В и IБ=20 мА

.

13. Дайте определение граничной частоте f ГР.

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты в комплексной форме:

1. │h21Э│= 2. h21Э=

3. h21Б= 4. │h21Э│=

5.│h21Э│= 6. │h21Б│=

15. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока эмиттера от частоты

Билет № 9

1 Цепь состоит из последовательно включенного диода Д242А и резистора 0,2 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при UВХ = 1,4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при IПР=3 А, другая на обратной UОБР=200 В определить сопротивление по постоянному току. Т = 60 ОС

3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

UСТ =9,1 В, IСТ min = 5 мА, IСТ max = 30 мА,

RН =910 Ом, RГ =350 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если UУПР= 6 В, L=20 мкГн, СНОМ=20 пФ

5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А ) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение ПТ с управляющим p-n переходом и каналом типа n.

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при 3) ; при

  1. ; при 4) ; при

8. Определить Ri при UСИ=12 В, UЗИ=-1 В. Указать тип транзистора.

9. Указать полярность источников питания в активном режиме.

10. β=49. Определить α.

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h21Э при UКЭ=4 В и IБ=16 мА

13. Дайте определение частоте f max. Это частота, на которой:

1. КР = 0,7; 2. КР = 1; 3. КР = 10; 4. КР = ; 5. h21Э = 6. h21Б= 7.

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока базы от частоты в комплексной форме:

1. │h21Э│= 2. h21Э= 3. h21Б=

4. │h21Э│= 5.│h21Э│= 6. │h21Б│=

15. Указать зависимость модуля │h11э│ от частоты Билет № 10

  1. Цепь состоит из последовательно включенного диода КД103А и резистора 20 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при UВХ = 1,4 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при IПР= 40 мА, другая на обратной UОБР=50 В) определить дифференциальное сопротивление при Т = 60 ОС.

3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

UСТ =10 В, IСТ min = 5 мА, IСТ max = 30 мА,

RН =1000 Ом, RГ =350 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если UУПР= 5 В, L=20 мкГн, СНОМ=30 пФ

5 . Структура какого пт изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа р.