9. Указать полярность источников в режиме отсечки.

10. h_21Б=0,98. Определить h_21Э

11. Укажите входную характеристику для бт структуры p-n- p, включенного по схеме с оэ.

12. Определить h_11Э в точке I_Б = 300 мкА

13. Дайте определение предельной частоте f _h21Э.

14. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока базы от частоты

15. h_21Э0 = 200. На частоте f = 500 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | =10. Определить f_Н21Б.

Билет № 21

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д242А и резистора 0,4 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ= 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2. Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР=2 А, другая на обратной U_ОБР=100 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3. О пределить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

если U_СТ =68 В,

I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 20 мА,

R_Н =6800 Ом, R_Г =1000 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 17 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А ) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение БТ структуры р-n-р.

7. Дать определение коэффициента усиления μ.

1) ; при 3) ; при

2. ; при 4) ; при

8. Определить крутизну S в точке U_ЗИ = 0,25 В.

Указать тип транзистора :

А ) С управляющим p-n переходом (канал типа n)

Б) С управляющим p-n переходом (канал типа р)

В) С индуцированным каналом типа n

Г) С индуцированным каналом типа р

Д) Со встроенным каналом типа n

Е) Со встроенным каналом типа р

9. Указать полярность источников в режиме насыщения.

10. h_21Э=99. Определить h_21Б

11. Укажите выходную характеристику для бт структуры n-p-n, включенного по схеме с оэ.

12. Определить h_21Э при U_КЭ=60 В и I_Б=450 мкА

13. Дайте определение граничной частоте f _ГР.

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока эмиттера от частоты в комплексной форме:

1. │h_21Э│= 2. h_21Э=

3. h_21Б= 4. │h_21Э│=

5.│h_21Э│= 6. │h_21Б│=

15. Указать зависимость модуля коэффициента передачи тока базы от частоты

Билет № 22

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д243 и резистора 0,1 Омa. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ= 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР= 10 А, другая на обратной U_ОБР=200 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^ОС.

3. О пределить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

если U_СТ =96 В,

I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 60 мА,

R_Н =9600 Ом, R_Г =1000 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 18 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ

5 . Структура какого пт изображена на рисунке:

А) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение ПТ с индуцированным каналом типа р.