7. Дать определение крутизны пт.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

5) ; при 6) ; при .

8. Определить S при U_СИ=10 В, U_ЗИ=-0,25 В. Указать тип транзистора.

9. Указать полярность источников питания в активном режиме.

10. β=99. Определить α.

11. Укажите выходную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОБ

.

12. Определить h_11Э в точке U_БЭ = 0,8 В

13. Дайте определение граничной частоте.

1. К_Р = 0,7; 2. К_Р = 1; 3. К_Р = 10; 4. К_Р = ;

5.│h_21Б│= 6.│h_21Э│= 7. │h_21Э│=1 8.

14. Указать формулу зависимости коэффициента передачи тока эмиттера от частоты в комплексной форме:

1. │h_21Э│= 2. h_21Э= 3. h_21Б=

4. │h_21Э│= 5.│h_21Э│= 6. │h_21Б│=

15. Указать зависимость модуля │h_22Э│ от частоты

Билет № 11

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода Д302 и резистора 1 Ом.

На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 1,2 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ в рабочей точке, другая на обратной U_ОБР =100 В) определить сопротивление по постоянному току при Т=60^ОС.

3 Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если

U_СТ =13 В,

I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 20 мА,

R_Н =1300 Ом, R_Г =450 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 7 В, L=20 мкГн, С_НОМ=40 пФ

5. Структура какого пт изображена на рисунке:

А ) с управляющим p-n переходом (канал типа n),

Б) с управляющим p-n переходом (канал типа р),

В) МДП с индуцированным каналом типа n,

Г) МДП с индуцированным каналом типа р,

Д) МДП с встроенным каналом типа n,

Е) МДП с встроенным каналом типа р.

6. Указать условное изображение ПТ с управляющим p-n переходом и каналом типа р.

7. Дать определение внутреннего сопротивления R_i.

1) ; при 2) ; при

3) ; при 4) ; при

8. Определить R_i при U_СИ=10 В, U_ЗИ=-0,4 В. Указать тип транзистора.

9. Указать режим работы бт. (Активный, отсечки, насыщения, инверсный)

10. Ток коллектора связан с токами эмиттера и базы соотношением…

1. ;

2. 

3. 

4. Ток базы не связан с токами I_K и I_Э.

11. Укажите входную характеристику для БТ структуры n- p-n, включенного по схеме с ОЭ.

12. Определить h_11Э в точке I_Б = 200 мкА

13. Дайте определение предельной частоте коэффициента передачи тока эмиттера.

14 Указать зависимость модуля │h11б│ от частоты

15 h_21Э0 = 100. На частоте f = 3 МГц модуль коэффициента передачи равен |h_21Э | = 50. Определите f_Н21Э.

Билет № 12

1. Цепь состоит из последовательно включенного диода ГД402А и резистора 20 Ом. На ВАХ диода построить нагрузочную прямую при U_ВХ = 0,7 В. Определить ток, падение напряжения на диоде и на нагрузке Т = 20 ^ОС.

2 Для двух точек (одна на прямой ветви ВАХ при I_ПР = 20 мА, другая на обратной U_ОБР=10 В) определить дифференциальное сопротивление при Т=60^О.

3 . Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации,

если U_СТ =11 В, I_{СТ min} = 5 мА, I_{СТ max} = 25 мА,

R_Н =1100 Ом, R_Г =450 Ом.

4. Определить резонансную частоту контура, если U_УПР= 8 В, L=20 мкГн, С_НОМ=30 пФ