- •4.4. Оптический метод регистрации ионизирующих излучений
- •4.4.1. Общие характеристики сцинтилляторов
- •Общие свойства сцинтилляторов
- •4.4.2. Основные свойства органических сцинтилляторов
- •Механизм высвечивания органических кристаллов
- •Механизм высвечивания сцинтиллирующих растворов
- •Сместители спектра
- •4.4.3. Основные свойства неорганических сцинтилляторов
- •Механизм высвечивания неорганических кристаллов
- •Газовые сцинтилляторы
- •4.4.4. Сцинтилляционные счетчики устройство и принцип работы фотоумножителя
- •Фотокатод
- •Диноды и коэффициент усиления фэу
- •5. Принцип работы стинтиляционного счетчика
- •Собственный фон умножителя
- •Ложные импульсы
- •Сборка сцинтилляционного счетчика
- •Сбор света
- •Светопроводы
- •4.4.5. Особенности применения сцинтилляционных счетчиков
- •Энергетическое разрешение
- •Регистрация сильноионизирующих короткопробежных частиц
- •.Регистрация электронов
- •Регистрация y-лучей
- •Раздел 4.5. Полупроводниковые детекторы
- •4.5.1. Принцип работы ппд.
- •Образование носителей заряда в полупроводниках под действием заряженных частиц
- •4.5.2. Основные типы ппд Характеристики кремния и германия
- •Свойства примесных германия и кремния
- •Переходы в полупроводниках
- •Ширина обедненной зоны
- •Емкость р-n-перехода
- •Токи утечки через переход
- •Энергетическое разрешение
- •Флуктуации числа образованных пар носителей
- •Влияние шумов на энергетическое разрешение
- •Флуктуации числа собранных носителей
- •Временное разрешение
- •Форма импульса,обусловленная парой носителей в р-I- n -детекторе
- •Форма импульса в детекторе с р-n-переходом
- •Форма линии
- •Радиационные повреждения детекторов
- •4.6. Трековые детекторы
- •Камеры Вильсона
- •Камеры непрерывного действия (диффузионные камеры)
- •Пузырьковые камеры
- •Искровая, стримерная и широкозазорная искровые, пропорциональная камеры
- •Кристаллические детекторы Регистрация следов заряженных частиц в диэлектрических средах
- •4.8. Счетчики черенкова
- •Энергетическое разрешение детекторов с фокусировкой
- •Оценка энергетического состава -квантов по функциям пропускания
- •Измерение по продуктам фотоядерных реакций
- •Сцинтилляционный метод
- •Однокристальные сцинтилляционные гамма-спектрометры
- •Полупроводниковая гамма-спектрометрия
- •Спектрометрия цезия–137
- •2.6. Детекторы гамма-излучения
- •1) Сцинтилляционные. 2)Полупроводниковые.
- •Методы обработки гамма-спектров Классический метод обработки спектров гамма-излучения
- •Матричный метод обработки сцинтилляционных гамма-спектров.
- •Генераторный метод обработки сцинтилляционных гамма-спектров
- •5.5.2. Спектрометрия заряженных частиц
- •Определение энергии заряженных частиц по пробегу и плотности ионизации
- •Измерение энергии частиц с помощью ионизационных камер, сцинтилляционных и полупроводниковых счетчиков
- •Измерение энергии тяжелых заряженных частиц
- •Измерение энергии электронов
- •Измерение энергии заряженных частиц с помощью магнитных спектрометров
- •Магнитные спектрометры для b- и a-спектрометрии
- •5.5.2.1. .Методы и средства измерения 90sr
- •1.Некоторые сведения о стронции-90
- •1.2. Стронций-90 в организме человека.
- •1.3. Стронций-90 во внешней среде
- •5.5.2.1.. Методы измерения 90sr
- •2.1. Основные положения
- •2.2 Матричный метод обработки бета-спектров
- •6. Приготовление радиоактивных источников
- •6.1. Типы радиоактивных источников.
- •6.2. Приготовление альфа–бета-источников
- •6.3. Приготовление гамма-источников
- •7. Поверка эталонов и рабочих источников
- •Поверка гамма–источников
Измерение энергии электронов
Ионизационные камеры мало пригодны для исследования β-спектров, поскольку пробеги электронов в воздухе при нормальных условиях значительны. Экстраполированный пробег электрона с энергией 0,1 Мэв равен примерно 12 см. В то же время измерить энергию электронов менее 0,05 Мэв невозможно из-за плохого энергетического разрешения, обусловленного в основном шумами. Представляют интерес пропорциональные счетчики высокого давления (до 10 атм. аргона), с помощью которых удается исследовать спектры электронов до нескольких сот килоэлектронвольт. Нижняя граница исследуемых энергий лежит в пределах 1…5 кэв. Наилучшие результаты получены при использовании длинных пропорциональных счетчиков (20…40 см), которые помещались внутрь соленоида, создающего однородное магнитное поле напряженностью около 3000 эрст. вдоль оси счетчика. Электроны в счетчике в однородном магнитном поле движутся по спиралеобразным траекториям. Это увеличивает их путь в счетчике и тем самым уменьшает стеночный эффект. С помощью такого устройства можно измерять энергии электронов до 0,6…0,8 Мэв. Влияние магнитного поля показано на рис. 11.2, где приведены спектры конверсионных электронов 80Вг, измеренные с полем и без него.
Рис. 11.2. Спектр амплитуд импульсов в пропорциональном счетчике. Помещен в продольное магнитное поле – сплошная линия и без него – пунктирная линия.
Энергетическое разрешение пропорциональных счетчиков определяется флуктуацией в числе первичных пар ионов и флуктуациями коэффициента газового усиления. Так, для конверсионных электронов, образующихся при распаде 137 Cs (энергия электронов 625 кэв), энергетическое разрешение равно 6%, а при энергиях электронов 50 кэв – около 9%. Расчеты показывают, что с пропорциональными счетчиками можно получить лучшие результаты. Уместно напомнить, что энергетическое разрешение пропорционального счетчика во многом зависит от тщательности его изготовления и чистоты наполняющего его газа.
Сцинтилляционные счетчики с кристаллами Nal(Tl), антрацен, стильбен позволяют измерять энергетические распределения электронов в более широком диапазоне энергий. Нижний предел измеряемых энергий электронов ограничен шумами фотоумножителей и составляет несколько килоэлектронвольт; верхний предел лимитируется размерами кристаллов. Например, в кристаллах Nal(Tl) размерами 100х100 мм можно уверенно измерять электроны с энергиями до 15...20 Мэв. Энергетическое разрешение сцинтилляционных бета-спектрометров в первом приближении обратно пропорционально корню квадратному из энергии электронов. Значения, полученные с кристаллом Nal(Tl) при энергии 0,66 Мэв, равны 6%. Так что в области энергий электронов около 10 кэв энергетическое разрешение в лучшем случае составит около 50%.
Если такие энергетические разрешения практически не позволяют проводить исследования моноэнергетических электронов в области энергий ниже 10…15 кэв, то при исследованиях непрерывных энергетических распределений электронов (β-спектры) указанные энергетические разрешения можно считать приемлемыми во многих исследованиях. К сожалению, обратное рассеяние электронов велико и тем больше, чем больше атомный номер кристалла. Около 10% электронов, которые падают на плоскую поверхность органического кристалла, расположенного вблизи источника, выходят из кристалла в результате рассеяния, не успев потерять в нем всей своей энергии. Это будет искажать измеренный спектр электронов. Еще большие потери в результате рассеяния при аналогичных условиях будут происходить при использовании кристалла Nal(Tl). Здесь доля обратно рассеянных электронов может достичь 80…90%. Для устранения неполной потери энергии электронами в кристалле используют спектрометры с двумя кристаллами, между которыми помещают достаточно тонкий источник β-частиц. Такая геометрия позволяет избавиться от нежелательного эффекта. Если β-излучение источника сопровождается γ-излучения, то для уменьшения эффективности регистрации γ-квантов используют органические кристаллы, размеры которых выбирают равными экстраполированному пробегу исследуемых β-частиц. При таком выборе кристалла относительная эффективность регистрации γ-квантов минимальна. Иногда бета-излучатели вводят в состав кристалла при его изготовлении. Такой метод позволяет изучать спектры бета-излучателей с очень малой активностью.
Сцинтилляционные бета-спектрометры с органическими кристаллами наиболее пригодны при изучении непрерывных спектров электронов, особенно в случае малой активности источников. В измеренные аппаратурные спектры β-частиц обычно вносят поправки на энергетическое разрешение спектрометра и на обратное рассеяние электронов. Сцинтилляционные бета-спектрометры особенно ценны при исследованиях формы β-спектров в совпадениях с γ-квантами, сопровождающими распад дочернего ядра. Такой способ совпадений незаменим при исследованиях сложных схем распада, в которых ядро испускает несколько групп β-частиц. Метод совпадений при использовании сцинтилляционных спектрометров высокоэффективен, поскольку сцинтилляционные спектрометры обладают хорошими временными характеристиками и кристаллы для регистрации электронов могут иметь небольшие в сравнении с пропорциональными счетчиками размеры.
В β-спектрометрии используют полупроводниковые счетчики с глубиной чувствительного слоя несколько миллиметров. Для этого оказываются удобными как литиево-кремниевые с (р-i-п)-переходом, так и поверхностно-барьерные кремниевые детекторы с высоким удельным сопротивлением (20 ком). Наилучшие энергетические разрешения достигают 0,1% при энергии электронов 1 Мэв при использовании специальной низкошумящей измерительной аппаратуры. Высокое энергетическое разрешение полупроводниковых счетчиков сочетается с их высокой эффективностью и быстродействием. Это позволяет успешно применять их для исследования β-β – или β-γ-совпадений.
Отмечавшиеся выше трудности при исследовании β-спектров, связанные с большой вероятностью рассеяния электронов, присущи, естественно, и полупроводниковым счетчикам. И здесь для уменьшения эффектов рассеяния источник β-частиц помещают между двумя счетчиками и анализируют суммарный сигнал от обоих счетчиков. Эффекты, связанные с обратным рассеянием электронов, можно также значительно уменьшить, если между двумя счетчиками, включенными в схему антисовпадений, поместить исследуемый тонкий β-активный препарат. Электроны, отраженные одним детектором, с большей вероятностью попадут во второй детектор, поэтому при отражении электронов в обоих счетчиках будут возникать импульсы. Схема антисовпадений будет исключать регистрацию таких событий.
Перечисленные методы спектрометрии заряженных частиц по интегральному ионизационному и сцинтилляционному эффектам дают хорошие результаты лишь при проведении относительных измерений энергий частиц. Проведение абсолютных измерений требует определения с большой точностью энергии, затрачиваемой на создание одной пары ионов в камерах, электроннодырочной пары в полупроводниках, фотона люминесценции в сцинтилляторах, требует точно знать коэффициенты усиления усилителей и шкалу амплитудного анализатора. Абсолютные измерения энергии можно провести в лучшем случае с точностью, с которой известна энергия, затрачиваемая на создание пары носителей. В полупроводниках и ионизационных камерах эти величины известны с точностью порядка нескольких процентов, для сцинтилляционных счетчиков с еще меньшей точностью. В то же время в относительных измерениях энергию заряженных частиц можно определить с точностью в несколько раз лучшей, чем ширина распределения амплитуд импульсов, т.е. даже в сцинтилляционных спектрометрах доступна точность установления энергий заряженных частиц около 1%.
