- •Н.П. Алешин, а.Л. Ремизов, а.А. Дерябин Контроль качества сварных соединений. Курс лекций.
- •Словарь учебной дисциплины
- •Лекция №1. Обзор методов неразрушающего контроля. Основные понятия и определения
- •1.1.Основные понятия и определения
- •1.2. Краткая характеристика основных методов нк
- •Лекция №2. Параметры распространения ультразвуковых волн.
- •2.1. Основные параметры ультразвуковых волн
- •2.2. Отражение, преломление и трансформация уз волн на границе двух сред
- •3.1. Продольные и поперечные волны
- •2.8 Коэффициенты прозрачности по интенсивности при падении продольной волны из оргстекла на границу со сталью лекция №3. Типы ультразвуковых волн и их основные свойства
- •3.2. Поверхностные волны (волны Рэлея)
- •3.3. Волна Лэмба
- •3.4. Головные волны
- •Лекция №4. Источники ультразвуковых волн
- •4.1. Пьезоэлектрические преобразователи
- •4.2. Акустическое поле вблизи излучателя пэп
- •4.3. Электромагнито-акустическое преобразование
- •4.4. Лазерное возбуждение
- •Лекция №5. Технология ультразвукового контроля. Основные схемы контроля
- •5.2. Теневой метод
- •5.3. Зеркально-теневой метод контроля
- •5.5. Дельта- метод контроля
- •5.6. Технология ультразвукового контроля
- •5.7. Ультразвуковая томография
- •Лекция №6. Технология ультразвукового контроля. Подготовка средств измерений к контролю. Схемы контроля различных типов сварных соединений
- •6.1. Подготовка средств измерений к контролю
- •6.7. Настройка глубиномера (20 мкс) с помощью со-2.
- •6.9. Проверка разрешающей способности прямого пэп с помощью со-1
- •6.10 Проверка разрешающей способности наклонного пэп с помощью со-1.
- •6.11. Стандартные образцы предприятия.
- •6.2. Схемы контроля различных типов сварных соединений
- •6.3. Пример расчета угла ввода волны для стыкового сварного соединения
- •6.4. Запись дефекта.
- •Лекция №7. Радиационные методы неразрушающего контроля. Общие положения. Источники излучений. Методы радиационной дефектоскопии
- •7.1. Общие положения
- •7.2. Рентгеновское излучение. Устройство рентгеновской трубки
- •7.4. Взаимодействие рентгеновского и γ-излучения с веществом
- •7.5. Методы радиационной дефектоскопии
- •7.6 Источники ионизирующих излучений
- •Лекция №8. Радиационные методы неразрушающего контроля.Технология радиографического контроля
- •8.1. Основные параметры
- •8.2. Радиографический контроль сварных соединений
- •Лекция №9. Магнитная и вихретоковая дефектоскопия. Физические основы.
- •Лекция №10. Магнитная и вихретоковая дефектоскопия. Схемы контроля. Технология контроля
- •10.1. Обнаружение дефектов при магнитных методах.
- •10.2. Магнитопорошковый метод
- •10.3. Магнитографический метод
- •10.4. Вихретоковый метод
- •Лекция №11. Капиллярный контроль. Физические основы. Капиллярных явлений
- •11.1. Поверхностная энергия
- •11.2. Поверхностное натяжение
- •11.3. Смачивание и не смачивание
- •11.4. Значение кривизны свободной поверхности жидкости.
- •11.5. Капиллярные явления
- •11.6. Высота поднятия жидкости в капиллярных трубках.
- •Лекция №12. Капиллярный контроль. Технология контроля
- •12.1. Классификация и особенности капиллярных методов
- •12.2. Применение капиллярного метода неразрушающего контроля
- •12.3.Чувствительность капиллярной метода дефектоскопии
- •12.4. Пенетрант и проявитель
- •12.5. Проведение контроля
- •12.6. Оформление результатов контроля
- •Лекция №13. Контроль герметичности
- •Лекция №14. Контроль в процессе эксплуатации. Визуальный и измерительный контроль
- •Лекция №15. Контроль в процессе эксплуатации. Акустико - эмиссионный контроль. Общие положения
- •Лекция №16. Контроль в процессе эксплуатации. Акустико - эмиссионный контроль. Технология контроля
- •16.1. Исследование объекта контроля.
- •16.2. Локация источников аэ
- •16.3. Параметры аэ
- •16.4. Применяемое оборудование
- •16.5. Оформление результатов контроля
- •Лекция №17. Контроль в процессе эксплуатации. Тепловой контроль
- •Контрольные вопросы для самопроверки вопросы к лекции № 1
- •Вопросы к лекции № 2
- •Вопросы к лекции № 3
- •Вопросы к лекции № 4
- •Вопросы к лекции № 5
- •Вопросы к лекции № 6
- •Вопросы к лекции № 7
- •Вопросы к лекции № 8
- •Вопросы к лекции № 9
- •Вопросы к лекции № 10
- •Вопросы к лекциям №№ 10, 11
- •Вопросы к лекции № 13
- •Вопросы к лекции № 14
- •Вопросы к лекциям № 15, 16
- •Вопросы к лекции № 17
- •Список литературы
7.4. Взаимодействие рентгеновского и γ-излучения с веществом
Основными видами взаимодействия квантов рентгеновского и γ-излучения с атомами вещества являются фотоэлектрическое поглощение, комптоновское рассеяние и процесс образования пар (рис.7.7).
Рис.7.7.Схемы взаимодействия излучения с веществом: а- фотоэлектрическое поглощение; б – комптоновское рассеяние; в- эффект образования пар.
Фотоэлектрическое поглощение (фотоэффект) – это процесс взаимодействия кванта с электроном атома (обычно электроном с одной из ближайших к ядру оболочек), в результате которого квант полностью передает свою энергию электрону. При фотоэлектрическом поглощении квант прекращает свое существование, а электрон, называемый фотоэлектроном, вылетает из атома, обладая кинетической энергией, равной разности между энергией кванта и энергией связи электрона в атоме. Освободившаяся вследствие потери фотоэлектрона оболочка заполняется электроном с внешней оболочки атома, при этом испускается квант характеристического излучения.
Процесс фотоэлектрического поглощения является преобладающим видом взаимодействия квантов рентгеновского и γ-излучения с веществом при невысоких энергиях излучения. Вероятность фотоэлектрического поглощения увеличивается с увеличением энергии.
Фотоэффект характеризуют линейным коэффициентом поглощения τф, показывающим долю квантов данной энергии, претерпевших взаимодействие с веществом на единице пути. Поскольку линейный коэффициент поглощения прямо пропорционален плотности вещества ρ, в расчетах часто применяют массовый коэффициент поглощения τф/ρ.
При комптоновском рассеянии, в отличие от фотоэффекта, квант передает электрону не всю свою энергию, а только ее часть. Комптоновское рассеяние возникает при упругом столкновении кванта с электроном внешней оболочки атома или со свободным электроном. В результате происходит увеличение длины волны кванта и изменение его первоначального направления, а также выброс из атома электрона, который называют электроном отдачи.
Комптоновское рассеяние аналогично фотоэффекту характеризуют линейным σр и массовым σр/ρ коэффициентами рассеяния.
Вероятность рассеяния в сравнении с фотоэффектом возрастает с увеличением энергии квантов рентгеновского и γ – излучения и с уменьшением атомного номера вещества.
В результате
процесса образования пар квант излучения
в электрическом поле атомного ядра (или
атомного электрона) превращается в пару
элементарных частиц электрон-позитрон.
Так как массы покоя электрона и позитрона
в энергетических единицах равны 0,511
Мэв, то для образования электронно-позитронной
пары требуется, по меньшей мере, энергия
кванта 1,022 Мэв. Процесс образования пар
характеризуют линейным коэффициентом
взаимодействия или массовым коэффициентом
.
Линейный коэффициент ослабления μ (см-1). Этот коэффициент представляет собой сумму линейных коэффициентов взаимодействия, определяемых фотоэффектом, комптоновским рассеянием и процессом образования пар:
μ = τ + σ + (52)
В области низкоэнергетического рентгеновского и γ-излучений значение μ определяется в основном фотоэффектом и убывает с ростом энергии. В области энергии γ-излучения до 1 МэВ, где основным процессом взаимодействия является комптоновское рассеяние, μ мало зависит от энергии. В диапазоне энергии тормозного излучения ускорителей и γ-излучения свыше 1 МэВ μ увеличивается с ростом энергии.
Рис. 7.8. Зависимость линейного коэффициента ослабления от энергии излучения:
μ – общее поглощение; τ- фотоэффект; σ – комптоновское рассеяние; – процесс образования пар.
Закон ослабления узкого пучка рентгеновского и γ – излучения.
Ранее мы записали:
(53)
где J0 и J1 – интенсивность узкого пучка излучения, падающего и прошедшего через вещество, соответственно, при J0 на расстоянии 1 м.
Если точечный источник излучения удаляется от детектора на расстояние F, то интенсивность узкого пучка излучения, прошедшего через вещество, уменьшается обратно пропорционально квадрату этого расстояния так, что
.
(54)
Закон ослабления широко пучка R и γ-излучения.
·В (55)
В – фактор накопления рассеянного излучения в воздухе.
В реальных условиях R-графии на детектор попадают не только те кванты, направление движения которых совпадает с первичным пучком, но и кванты, испытывающие многократное рассеяние в поглотителе (веществе). Вклад рассеянного излучения в общую интенсивность оценивают с помощью дозового фактора накопления В, который определяет соотношением
(56)
С увеличением толщины материала В увеличивается и уменьшается с увеличением мощности излучения.
