Контрольные вопросы

1. Приведите общую классификацию материалов, используемых в твёрдотельной электронике.

2. Почему при образовании твёрдого кристаллического тела энергетические уровни атомов расщепляются в энергетические зоны?

3. Чем различаются зонные структуры металла, полупроводника и диэлектрика?

4. Почему ширина запрещённой зоны полупроводника уменьшается с увеличением температуры?

5. Перечислите механизмы генерации и рекомбинации носителей заряда.

6. Дайте определение энергетическому уровню Ферми.

7. Что такое собственный и примесный полупроводники?

8. Основные и неосновные носители заряда; закон действующих масс.

9. Что такое время жизни неравновесных носителей заряда?

10. Объясните механизмы электропроводности в полупроводниках: дрейфовые токи, диффузионные токи, ток ограниченный пространственным зарядом, токи смещения.

11. Какими физическими процессами определяется температурная зависимость подвижности?

12. Как и почему изменяется рассеяние носителей заряда в сильных электрических полях?

13. Поясните механизмы ударной ионизации, туннелирования и междолинного перехода носителей заряда.

14. От каких факторов зависят время жизни и диффузионная длина неравновесных носителей заряда?

15. Назовите основные механизмы поглощения света в полупроводниках. Какие из них вызывают фотопроводимость?

16. В чём различие между прямыми и непрямыми оптическими переходами?

17. Перечислите основные механизмы электролюминесценции в полупроводниках.

18. Поверхностные уровни Тамма, Шокли и адсорбированных инородных атомов. Чем определяется знак поверхностного заряда?

19. Поясните условия образования на поверхности полупроводника обогащённых, обеднённых и инверсионных слоёв.

20. Что такое скорость поверхностной рекомбинации?

21. Чем определяется поверхностная проводимость и эффект поля в полупроводниках.

22. Перечислите фундаментальные уравнения физики полупроводников для моделирования инжекционных и полевых полупроводниковых приборов.