Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
lab_rab_KREA.docx
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
1 Мб
Скачать
☆

Формы таблиц для заполнения

Форма табл.П2.1

Изучение технологического процесса сборки и монтажа интегральных микросхем

Операция в

МК

Номер опера­ции в МК

Характерные признаки внешнего вида образца после выпол­нения операции

Характерные виды и причины брака на данной операции

Номер пластины

Форма табл.П2.2

Конструктивно-технологические особенности изучаемых имс

№ п/п

Параметр

Значения параметра

1

Конструкция ленточного носителя

(1-, 2-или 3-е дойный)

2

Материалы, из которых изготовлен лен­точный носитель

3

Способ монтажа ИМС (гибкий или жесткий)

4

Способ герметизации ИМС (в корпусе или бёскорпусная)

5

Герметизирующий материал

6

Конструктивно-технологический тип ИМС (ПИМС на биполярных транзисторах или МДП-ИМС) и способ изоляции эле­ментов в ИМС

7

Размеры кристалла, мм

8

Количество внешних контактных площадок в кристалле:

из них соединенных с внешними

выводами

9

Длина гибких выводов, мм:

между кристаллом и ситалловой платой между ситалловой платой и ленточным носителем

10

Количество гибких выводов:

между кристаллом и ситалловой платой между ситалловой платой и ленточным носителем

11

Количество объемных выводов на кристалле

12

Средний диаметр объемного вывода, мкм

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2

Многоуровневая коммутация в технологии изготовления ЭС

Целью работы: является изучение современных технологических методов создания многоуровневой коммутации и конструкторско-технологических особенностей реализации многослойных коммутационных плат, а также приобретение навыков выбора оптимальных технологических приемов для изготовления многослойных коммутационных плат заданной конструкции.

Продолжительность занятия – 4ч.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]