Домашнее задание

1. Ознакомиться с описанием лабораторной работы.

2. Подготовить начальную часть отчета, содержащую титуль­ный лист, цель работы и краткие теоретические сведения (две-три страницы).

3. Подготовить формы таблиц для записи результатов: табл. П2.1 - 3 экз, табл. П2.2 - 1 экз.

Лабораторное задание

1. Изучить технологический процесс сборки и монтажа ИМС с гибкими проволочными выводами. Заполнить форму табл. П2.1.

2. Изучить технологический процесс сборки и монтажа ИМС с гибкими ленточными выводами на алюминиевых полиимидных но­сителях. Заполнить форму табл. П2.1.

3. Изучить технологический процесс сборки и монтажа ИМС с объемными выводами. Заполнить форму табл. П2.1.

4. Изучить конструктивно-технологические особенности ИМС для изделий 1, 2 и 3. Заполнить форму табл. П2.1.

5. Рассчитать необходимые толщины защитного полимерного покрытия для бескорпусной герметизации ИМС, обеспечивающие влагозащиту ИМС в течение, одного месяца t1 и одного года t2. Варианты заданий см. в табл.7.

Таблица 7

Варианты заданий

Номер бригады	Материал защитного покрытия
1	Компаунд ЭК-16 "Б"
2	Кремнийорганический эластомер
3	Компаунд ЭКМ
4	Порошковый компаунд
5	Эмаль КО-97
6	ЛакАД-9103
7	Покрытие СИЭЛ
8	Эмаль ЭП-91

Аппаратура

Для выполнения работы используется следующая аппаратура:

1. лабораторный макет, состоящий из двух кассет с образцами. В кассетах содержатся изделия, представляющие собой наборы образцов после различных операций технологических процессов сборки и монта­жа бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС) с гибкими проволочными выводами (изделие 1), с ленточными вывода­ми на полиимидных носителях с алюминиевыми выводами (изделие 2) и с объемными выводами (изделие 3);

2. микроскоп типа ММУ-3 или его аналог.

Методика выполнения работы

Порядок выполнения работы

ВНИМАНИЕ! При выполнении лабораторной работы совер­шенно недопустимо касаться пальцами поверхности образцов. О заме­ченных неисправностях сообщите преподавателю.

Изучите технологические процессы сборки и монтажа бескорпус­ных полупроводниковых ИМС (БИС).

1. Рассмотрите образцы изделия 1. Пользуясь маршрутной картой ТП (табл.Ш.1), определите наименование технологической операции, после которой представлен каждый образец, и ее номер в маршрутной карте, (

2. Повторите п. 1 для изделия 2, затем для изделия 3, пользуясь со­ответствующими МК (табл.Ш.2 и П1.3).

Заполните форму табл.П2.1, располагая в ней сведения об образцах в порядке возрастания номера технологической операции, после выпол­нения которой представлен образец.

Примечания. Заполняя графу "Характерные признаки внешнего вида образца" в форме табл.ГО.1, необходимо обращать внимание на те изменения внешнего вида, которые наблюдаются у рассматриваемого образца по сравнению с внешним видом предыдущего образца, взятого с более ранней технологической операции.

В графе " Характерные виды и причины брака на данной операции" для каждого из рассматриваемых образцов указываются возможные для технологической операции, после которой представлен образец, виды брака. Необходимо учитывать, что эти виды брака на рассматриваемых образцах могут отсутствовать или не наблюдаться визуально.

Изучите конструктивно-технологические особенности микросхем.

3. Внимательно рассматривая образцы изделия 1, заполните в форме П2.2 первый вертикальный столбец, отвечая на поставленные вопросы.

4. Повторите п. 3 для изделий 2 и 3, заполняя соответственно вто­рой и третий вертикальные столбцы формы табл.П2.2.

Примечания. При заполнении первых пяти пунктов формы табл. П2.2 микроскоп не требуется. •.

При заполнении пп. 6-11 используйте микроскоп. Для выполне­ния пп. 7, 9, 12 необходимо пользоваться окуляром со штриховой сет­кой. Для микроскопа ММУ-3 используется объектив, обеспечивающий цену деления 0,016 мм/деление.

Пп. 9 и 10 формы табл.П2.2 заполняют только для изделия 1, пп. 11 и 12 - для изделия 3. Рекомендуется записывать в таблицу результаты измерений пп. 9 и 12,усредненные по трем-четырем измерениям.

При выполнении пп. 6 - 8 рекомендуется использовать образцы по­сле выполнения операций, предшествующих операции нанесения за­щитного покрытия.

Рассчитайте необходимую толщину полимерного покрытия для бескорпусной герметизации, обеспечивающей защиту от влаги инте­гральной микросхемы в течение заданного времени. \

5. Рассчитайте необходимые толщины d\ и d₂ полимерного покры­ тия, обеспечивающие влагозашиту ИМС соответственно в течение вре­ мени Ti = 1 месяц и т₂ = 1 год. Отношение Р_кр IР₀ = 0,9. Значение коэф­ фициента диффузии выбирается в соответствии с полимерным материалом, используемым для защиты, из табл.6.

Материал защиты берется из табл.5 согласно номеру варианта задания (номеру бригады).

Для расчета воспользоваться формулой (1).