Сравнительные параметры мкп, выполненных по различным технологиям

N п/п		Параметры		Технология изготовления
				Субтрактив-ная (фольга 5 - 10 мкм)		Полуадди-тивная		Аддитивная		Толстопле-ночная		Тонкопленочная
												на жестких подложках		на гибких подложках
	1		Минимальная ширина линий, мм		0,25-0,50		0,125-0,250		0,100-0,200		0,15-0,30		0,03-0,10		0,03--0,10
	2		Минимальный диаметр переходных отверстий, мм		0,5-1,0		0,3-0,5		0,2-0,5		0,13-0,3		0,03-0,1		0,02--0,05
	3		Максимальные размеры платы, мм х мм		250x250 можно более		220x250 можно более		200x200		100x120		120x180 (48х60 для ГИС)		100x120
	4		Разрешающая способность, линий/мм.		2,5-4,0		4,0-5,0		4,0-6,0		2,5-4,0		5,0-10,0		5,0--10,0
	5		Максимальное число слоев коммутации		8-12 и более		8-20		8-20 и более		10-20 и более		2-6		Более 10
	6		Удельное погонное сопротивление проводников, Ом/см		0,001-0,01		0,005 и менее		0,005 и менее		0,1-2,0		0,01		0 Окончание табл. 2.2 ,01 и менее
	7		Удельная погонная паразитная емкость, пФ/см		0,5-0,8		0,5-0,7		0,5-0,7		0,8-1,5		1-2		0,2-0,3
	8		Интенсивность отказов из-за дефектов в переходных отверстиях, 1/ч		10-10		10-9		10-9		10-10		10-10		10-10

(межслойной коммутации) и размерами контактных площадок знакомест. Необходимо отметить, что минимальный диаметр переходных отверстий как для субтрактивной, так и для аддитивной технологии практически одинаков.

С использованием тонко- и толстопленочной технологий в настоящее время реализовано множество конструкторско-технологических вариантов МКП, которые условно можно свести к двум разновидностям: МКП, созданная из набора подложек с пленочной коммутацией (так называемая пакетная технология) и МКП, сформированная методом последовательного наращивания слоев (подложечная технология). В первом случае единичные подложки с коммутацией изготавливаются аналогично ГИС до операций сборки, правда, резисторы и конденсаторы в пленочном исполнении чаще всего отсутствуют. Во втором случае многослойная структура формируется в непрерывном процессе из чередующихся изоляционных и проводящих слоев с требуемой топологией. Межслойная коммутация в первом случае осуществляется через переходные отверстия (металлизированные), а во втором - через "окна" в диэлектрике, находящемся между двумя слоями металлизации.

К основным недостаткам технологии последовательного наращивания слоев (или послойного наращивания) следует отнести ограниченное число слоев коммутации из-за рельефности поверхности, на которой слои формируются, так как это создает трудности точного выполнения топологического рисунка коммутации с возрастанием количества наносимых слоев.

Для изготовления коммутации с использованием полупроводниковой технологии основанием платы является полупроводник (например, кремний). В объеме полупроводника проводящие дорожки формируются при чередовании процессов диффузии и эпитаксии, а на поверхности платы - с применением тонкопленочной технологии. Межслойные соединения выполняются локальной диффузией.

Совершенствование средств для создания межслойной коммутации позволяет минимизировать длину межсоединений, увеличивать плотность компоновки коммутации (с повышенной разрешающей способностью межсоединений) и число коммутационных слоев, в также осуществлять более полное температурное согласование элементной базы с КП и другими конструктивами ЭВС.