Схеми з забороною по входу
Рис. 9. Схема з забороною по входу
Рис. 40. Схема з забороною по входу (з діодом у парафазному підсилювачі)
Вихідний стан буде незмінним, якщо на вході буде низький рівень. Зміна вихідного рівня відбувається тільки тоді, коли на вхід керування подається високий рівень. Вхідні сигнали проходять лише в тому випадку, якщо на вході ЕІ встановлений високий рівень.
Перехідні процеси на виході ттл-схем з парафазним підсилювачем
Рис. 41. Набір інтегральних схем (перехідні процеси на виході ТТЛ схем з парафазним підсилювачем)
На вході схем ТТЛ виникає короткий момент часу при зміні стану схеми, коли обидва транзистора вихідного каскаду відкриті. В цей момент часу від лінії живлення до лінії землі проходить імпульс струму, що створює короткий від’ємний імпульс на шині живлення та додатний на шині землі. Довжина такого сигналу – від 5 до 20 нс. Імпульс струму може досягати 100 мА. Якщо наступні схеми мають входи, з’єднані з шинами живлення чи землі (Рис. 41), то може виникнути неправильне спрацювання схеми ІС2, яка згенерує повноцінний сигнал для управління схемою ІС3, тобто відбудеться несанкціоноване спрацювання схеми. Щоб ліквідувати подібні завади, необхідно збільшити кількість і ширину шин землі та живлення, а також встановити розв’язуючі конденсатори між цими шинами поблизу кожної схеми. Якщо схеми не тригерного типу, то можна встановити один конденсатор на декілька схем. Ємність одного конденсатора становить 0.05÷0.1 мкФ. Крім того, існують шини, що мають погонну ємність. При використанні таких шин розв’язуючі конденсатори не встановлюються.
Схема з розширенням по виходу
Рис. 10. Схема з розширенням по виходу
Наявність зв’язку між точками а1 та а2, b1 та b2 (Рис. 42) забезпечує рівномірний розподіл струму між схемами та рівномірне навантаження на входах. На входах схеми встановлюється низький рівень, якщо на пару входів Х1, Х2 або Х3, Х4 подаються сигнали високого рівня.
Розглянемо випадок, коли Х1 = Х2 = Н (високий рівень). В цьому випадку Т1 має інверсне включення, струм через R1 та Т1 іде на базу Т2, а в точці b1 підсилений струм транзистора Т2 розділяється на два базових струми ІБ T4 та ІБ T6. Цей струм забезпечує перехід в режим насичення Т4 та Т6. На виходах встановлюється рівень логічного «0». Аналогічно схема працює, якщо на Х3 та Х4 мають місце високі рівні. Якщо ж на одному з входів Х1 або Х2 встановлюється низький рівень та хоча б на одному з входів Х3 або Х4 також низький рівень, то Т1 та Т8 мають пряме включення; Т2, Т7, Т4, Т6 – закриті. В точках а1 та а2 високий рівень, Т3, Т5, D1, D2 відкриті. На виходах встановлюються високі рівні.
Схеми ттлш (транзисторно-транзисторна логіка з діодами Шоткі)
Рис. 43. Схеми ТТЛШ
В діодах Шоткі пряма напруга має рівень не 0,6 Вольт та вище, як в звичайних діодах, а 0,2 – 0,3 Вольт. Призначення цих елементів в даній схемі аналогічне схемі складного інвертора для схем ТТЛ. Діоди D1, D2 використовуються для підвищення завадостійкості на входах схеми (Рис. 43). R3, R4, Т6 утворюють джерело струму, яке зменшує час переключення вихідного транзистора Т5 та забезпечують вихідний рівень логічного «0». Заміна вхідного транзисторного блока на діодну матрицю (в вхідному блоці 2) дозволяє підвищити швидкість переключення схеми, так як діоди не накопичують збиткові заряди.