Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
el_konspekt_rc1_2812.docx
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
1 Мб
Скачать
☆

Біполярний ключ з використанням прискорюючого (форсуючого) конденсатора

Рис. 24. Транзисторний ключ із форсуючою ємністю на вході Рис. 25. Модифікація схеми

Один із найпростіших засобів прискорення роботи ключа – використання прискорюючого (форсуючого) конденсатора, який на вході схеми включається паралельно резистору RБ.

В момент різкої зміни вхідного сигналу створюється надлишковий струм на базі, який в декілька разів може перевищувати номінальний. В момент t1 струм проходить по колу конденсатора до моменту його повного заряду (Рис. 26). Наявність великого струму переводить транзистор в режим насичення. При подачі на вхід низького струму полярність конденсатора змінюється і струм розсмоктування проходить через конденсатор.

Ємність C вибирається виходячи з необхідної швидкодії так, щоб за період проходження імпульсів конденсатор встигав розряджатись, інакше швидкодія знижується і тривалість фронтів зростає. Необхідно враховувати максимальний струм на базі, а також зміну струму на базі в момент t2.

Перевага: висока швидкодія.

Недолік: наявність додаткової ємності.

Рис. 26. Часова діаграма струму на базі та напруг

Діодна фіксація вихідного високого рівня

Рис. 2. Схема транзисторного ключа з діодною фіксацією на виході

Dф – діод фіксації

RH1=RH2=…=RHN

Нехай N = 10, Rеквівалентний = 30 Ом => RHi = 1300 Ом.

Схема з фіксуючим діодом на виході забезпечує фіксацію вихідного високого рівня при заданому вихідному навантаженні (при заданій кількості N резисторів RНi). Для фіксації високого вихідного рівня використовується додаткове джерело живлення опори Eоп, величина якого визначається виходячи з величини U1вих (вихідний високий рівень) та прямого падіння напруги на діоді фіксації Dф:

Еоп = U1вих – UDпр , U1вих ≥ U1вих min

Якщо на виході відсутнє навантаження, то струм I1вих проходить по колу E→R3→Dф→Eоп.

Фіксуюче коло дозволяє підтримувати вихідну напругу високого рівня в заданому діапазоні за умови, що навантаження не перевищує Nmax:

0 ≤ N ≤ Nmax

Кількість навантаження визначається вихідним струмом I1вих.

При зміні навантаження в заданих межах N = 1 ÷ k вихідний струм точки a розподіляється між колом фіксації (Dф→Еоп) та елементами навантаження RНi.

У випадку перевищення навантаження коло фіксації відключається і весь струм йде на паралельно ввімкнене навантаження та вихідний рівень «1» стає меншим заданого мінімального вихідного рівня «1» (U1вих < U1вих min). Вихідний рівень визначається співвідношенням номіналів резисторів R3 та Rекв. Таким чином коло Еоп→Dф забезпечує стабільність вихідного високого рівня при зміні навантаження з урахуванням заданого коефіцієнта розгалуження та не впливає на вихідний низький рівень (при низькому рівні це коло закрите).

Базова схема дтл (діодно-транзисторної логіки)

  1. a

Рис. 38. Базова схема ДТЛ

Призначення елементів:

R1, D1, D2 − вхідний блок, що реалізує функцію «І».

D3, D4 – діоди зміщення.

Резистор R1 та діоди D1 і D2 утворюють вхідний блок, який реалізує функцію «І». Резистор R1 задає величину вхідного струму I0вх, якщо на входах хоча б один низький рівень, та величину базового струму для T1, якщо на всіх входах встановлений високий рівень. Діоди D1 та D2 підвищують поріг спрацьовування схеми та пропускають струм в одному напрямку. Діоди D3, D4 − діоди зміщення, забезпечують надійне закриття транзистора, коли хоча б на одному вході низький рівень. Резистор зміщення використовується для забезпечення перемикання транзистора при переході його з режиму насичення, а також підвищує надійне закриття при зміні напруги в точці а.

Резистор Rк обмежує колекторний струм транзистора T1.

Транзистор T1 забезпечує інверсію базового сигналу. Тобто вся схема реалізує функцію «І-НЕ».

Uвх=L=UКЕн Тi-1 => Ua = UКЕн Тi-1 + UD1(2) , де Ti-1 - схема на вході.

Через колектор транзистора схеми на вході протікає сумарний струм:

IK = IRк+k * IH

Максимальний вхідний струм I0вх буде в тому випадку, коли низький рівень тільки на одному вході.

I0вих = k*IH , де k – кількість навантаження.

Принцип роботи схеми:

Якщо хоча б на один із входів схеми подати низький рівень, то відкривається відповідний вхідний діод та вхідний струм протікає по колу E→R1→D1(2). При цьому струм на базу транзистора не подається, транзистор Т1 закритий і на виході високий рівень.

Ua = U0вх + UD1(2) = UКЕ Ti-1 + UD1(2)

При послідовно ввімкненій схемі ДТЛ струм I0вх потрапляє на вхід попередньої схеми, тобто визначає навантажувальну здатність схеми в режимі, коли на її виході встановлений низький рівень, при цьому струм на базу транзистора T1 не потрапляє, відповідно T1 знаходиться в режимі відсічки та на виході нашої схеми встановлено високий рівень.

Якщо на всі входи подати високий рівень (Uвх1=Uвх2=Н), то вхідні діоди D1 та D2 закриті і струм по колу E→R1→D3→D4 від джерела живлення потрапляє на базу T1, відповідно транзистор відкривається, переходить в режим насичення і на виході встановлюється низький рівень: Uвих=L=UКЕн Т.

Uа = UD3 + UD4 + UБЕн Т

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]