- •Новая физика электронных приборов. Владивосток
- •Общая характеристика работы
- •1. Возникновение задачи. Исследование полупроводнико-вого диода.
- •1.1. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода при прямом токе.
- •1.1.1. Теория, которая существует сегодня в физике полупровод -ников.
- •1.1.2. Методы измерения вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1.1.2.1. Основной принцип измерения вах прямого тока
- •1.1.2.2. Применение регулируемого источника напряжения при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.4. Применение амперметров при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.5. Измерение вах прямого тока pn-перехода с применением регулируемого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.6. Измерение вах прямого тока pn-перехода с примене-нием ступенчатого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.3. Схема, позволяющая расширить диапазон, измеряемых токов, при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.3. Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов. Методы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока кремниевого полупроводникового диода.
- •1.1.4. Моделирование вольт-амперной характеристики прямого тока диода при помощи прямой в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.5. Уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода – как прямая линия в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.7. Вольт-амперные характеристики прямого тока в зависимости от температуры согласно уравнению Шокли.
- •1. Графики уравнения Шокли имеют вид расширяющегося пучка прямых от точки, расположенной на оси ординат.
- •2. Более низкие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua.
- •1.1.8. Зависимость вольт-амперных характеристик прямого тока от температуры, наблюдаемая при эксперименте. Расчёт математической модели.
- •1. Графики экспериментальных данных имеют вид сужающегося пучка прямых, при росте Ua на участке 2.
- •2. Более высокие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua на участке 2.
- •1.1.9. Эмпирическое уравнение, заменяющее ошибочное уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •1.1.10. Несколько математических моделей полупроводниковых диодов
- •1.1.11. Взаимосвязь коэффициентов эмиссионного уравнения и уравнения Шокли.
- •1.1.12. Теория обратных связей. Логарифмическое уравнение как уравнение системы с отрицательной обратной связью.
- •1.1.12.1. Математика процессов обратных связей. Оос. Пос.
- •1.1.12.2. Уравнение обратной связи для линейной функции. Оос.
- •1.1.12.3. Уравнение отрицательной обратной связи для экспоненциальной функции.
- •1.2. Вывод по 1-й части .
- •2. Исследование вакуумного диода.
- •2.1. Эксперимент с. Дэшмана.
- •2.1.1. Описание эксперимента с. Дэшмана.
- •2.1.2. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая а-а′ как тепловой процесс.
- •2.1.3. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая b-b′ как электрический процесс.
- •2.1.4. Тепловой и электрический – два ограничивающих друг друга процесса.
- •2.1.5. Математическая модель вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым като -дом, построенная на основе эмиссионного уравнения.
- •2.1.6. Две отрицательные обратные связи в математической модели вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3. Решение задачи.
- •3.1. Теория теплового заряда.
- •3.1.1. История теории теплового заряда.
- •3.1.2. Опыт, показывающий связь между электрическими и тепловыми явлениями.
- •3.1.3. Теории теплового заряда.
- •3.1.3. 1. Что такое тепловой заряд.
- •3.1.3. 2. Две теории теплового заряда.
- •3.2.1. Построение физики от энергий.
- •3.2.2. Физические законы для системы электрического и теплового зарядов.
- •3.2.2.1. Электрический ток.
- •3.2.2.2. Параметр электрического сопротивления.
- •3.2.2.3. Тепловой ток ( мощность).
- •3.2.2.4. Температура или тепловое напряжение.
- •3.2.2.5. Второе определение теплового тока.
- •3.2.2.6. Параметр теплового сопротивления.
- •3.2.2.7. Параметр тепловой ёмкости.
- •3.2.2.8. Ток энергии 4-го уровня.
- •3.2.2.9. Составной термо-электрический потенциал (стэ-потенциал).
- •3.2.2.10. Сопротивление флуктуационному току.
- •3.2.3. Блок-схема для формул основных физических законов.
- •3.2.4. Движение энергий-зарядов во времени.
- •3.3. Вывод эмиссионного уравнения из теории об иерархии зарядов-энергий.
- •3.3.1. Преобразование эмпирического уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для вакуумного и полупроводникового диода.
- •3.3.2. Вывод эмиссионного уравнения. (Вывод уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода в зависимости от температуры. )
- •3.3.3. Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока.
- •3.3.4. Два составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристике прямого тока полупроводникового диода.
- •3.3.5. Вольт-амперная характеристика вакуумного диода с вольфрамовым катодом. Эксперимент с. Дэшмана.
- •3.3.6. Как работает математическая модель закона Ричардсона- Дэшмана.
- •3.3.7. Четыре составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристики прямого тока электровакуумного диода.
- •3.3.8. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода.
- •3.3.9. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3.3.10. О правильности применения экспоненциальной функции.
- •3.3.11. Вывод по 3-й части .
- •4. Новая физика электронных приборов.
- •4.1. Термоэлектроника.
- •4.1.1. Определение термоэлектроники.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •4.1.2. Закон Видемана-Франца.
- •4.1.3. Модель атома, допускающая передачу тепла посредством электронов.
- •4.1.4. Термоэлектронная эмиссия.
- •4.1.5. Термопары.
- •4.1.6. Полупроводниковые диоды.
- •4.1.7. Транзисторы.
- •4.1.8. Электровакуумный диод.
- •4.1.9. Двухэлементные генераторы термо-эдс.
- •4.1.10. Элементы Пельтье. Трёхэлементный генератор температурного напора.
- •4.1.11. Термоэлектроника – основа для объяснения электронного управления, и принципа работы электронных приборов.
- •4.2. Принцип работы полупроводникового диода.
- •4.2.1. О теплопередаче.
- •4.2.2. Электрический процесс.
- •4.2.4. Контакт двух различных металлов - проводников.
- •4.2.5. Контакт полупроводников.
- •4.2.6. Контакт изоляторов.
- •4.3. Кристаллический детектор.
- •4.3.1. История кристаллических детекторов.
- •4.3.2. Объяснение работы кристаллического детектора теорией эдп.
- •4.3.3. Объяснение работы кристаллического детектора теорией термо-электронной эмиссии.
- •4.4. Опыт Хейнса — Шокли с точки зрения термоэлектрической теории.
- •4.4.1. Описание опыта Хейнса — Шокли.
- •4.4.2. Термоэлектрические свойства германия.
- •4.4.3. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники.
- •4.4.4. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники. Дырочная теория Шокли заменяет собой термоэлектрические явления.
- •4.5. Принцип работы транзистора в схеме с общей базой и в схеме с общим эмиттером.
- •4.5.1. Принцип работы транзистора. Схема с общей базой .
- •4.5.2. Принцип работы транзистора. Схема с общим эмиттером.
- •4.6. Физическое явление – гроза.
- •4.6.1. Тепловой процесс.
- •4.6.1.1. Что такое термодинамическая система. Основной закон Вселенной.
- •4.6.1.2. Вложенность термодинамических систем.
- •4.6.1.3. Что такое нагретое тело.
- •4.6.1.4. Что такое холодное тело.
- •4.6.1.5. Что такое источник тепла.
- •4.6.1.6. Как взаимодействует источник тепла с нагретым телом.
- •4.6.1.7. Способы теплопередачи.
- •4.6.1.8. Что такое температура.
- •4.6.1.9. Климат планеты Земля. Два источника тепла планеты Земля.
- •4.6.1.10. Что такое тепловой диполь и тепловой конденсатор.
- •4.6.2. Электрический процесс.
- •4.6.2.1. Электрические атмосферные наблюдения.
- •4.6.2.2. Теплопередача и термоэлектронная эмиссия.
- •4.6.3. Гипотеза о термоэлектрическом принципе действия грозы.
- •5. Математическое моделирование в электронике.
- •5.1. Физика и математика.
- •5.1.1. Физика.
- •5.1.2. Ошибки современной физики.
- •5.1.3.Ошибки теории.
- •5.1.4. Новые приоритеты, как путь к развитию физики.
- •5.2.3. Двухмерный процессовый переход. Общее уравнение для функции процессового перехода. Внешняя функция процессового перехода.
- •5.2.4. Внешняя степенная функция процессового перехода. Показатель степени как регулятор кривизны переходного участка.
- •5.2.5. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей минимизации.
- •5.2.6. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей максимизации.
- •5.2.7. Задача о мини-максимизации и макси-минимизации.
- •5.2.8. Математика процессового перехода. Асимптоты.
- •5.3. Общий случай обратной связи. Присутствие отрицательной обратной связи в функции процессового перехода.
- •5.3.1. Уравнение обратной связи для степенной функции. Оос.
- •5.3.2. Общий случай обратных связей.
- •5.3.2.1. Mатематическое определение обратных связей.
- •5.3.2.2. Доказательство эквивалентности системы с оос как системы с переходом процессов.
- •5.4. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода..
- •5.4.1. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода. Зависимость кривизны участка перехода от масштабов функций.
- •5.5. Математическое моделирование процессов в электронных приборах.
- •5.5.1. Математическая модель процессового перехода с внешней степенной функцией для вольт-амперной характеристики вакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •5.5.2. Особенности математической модели процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением».
- •5.5.3. Математическая модель процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением», для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •5.5.5. Примеры моделирования результирующей функции, для двух процессов, ограничивающих рост друг друга при эмиссионном уравнении, в качестве внешней функции.
- •5.6. Основы математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.1 Четыре основные вольт-амперные характеристики прямого тока для p-n переходов биполярного транзистора.
- •5.6.2. Условия измерений и математические модели вольт-амперных характеристик прямого тока для p-n переходов.
- •5.6.3. Способы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока для pn-переходов .
- •5.6.4. Уравнение вольт-амперной характеристики pn-перехода.
- •5.6.5. Эмиссионное уравнение для прямого тока p-n перехода.
- •5.6.6. Моделирование функции fbe0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.7. Моделирование функции fbe1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.8. Моделирование функции fbk0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.9. Моделирование функции fbk1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.10. Инжекционный ток, как тепловой ток.
- •5.6.11. Особенности математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.12. Эмиссионное смещение как переход процессов.
- •5.6.14. Вывод по 5-й части.
- •16 Января 2014 г.
- •Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1. Релаксация тепловой энергии нагретого тела.
- •1.1. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе закона Фурье.
- •1.2. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе теории зарядов-энергий.
- •1. Релаксация электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •1.1. Вывод закона релаксации электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •§ 74. Конденсатор в цепи с сопротивлением
- •1.2. Вывод закона релаксации электрической энергии, при разряде конденсатора на резистор, на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Релаксация магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •1.1. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •§ 95. Исчезновение и установление тока
- •1.2. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Математика пучка прямых.
- •1. Изотоковые характеристики.
- •1.1. Управление эмиссионной способностью.
- •1.2 Изотоковые характеристики в эксперименте с. Дэшмана.
- •1.3. Термоэлектронная эмиссия p-n перехода при протекании прямого тока в кремниевом диоде кд213а.
- •1.4. Изотоковые характеристики полупроводникового кремниевого диода кд213а.
- •1.4. Вывод.
- •1.1. Реостатный принцип усиления. Влияние сопротивления нагрузки на выходное напряжение.
1.1.11. Взаимосвязь коэффициентов эмиссионного уравнения и уравнения Шокли.
Уравнение Шокли построено на наблюдении за свойствами экспо-ненты:
Ia = exp ( K0∙ Ua + B0 )
Наличие линейного участка указывало на наличие коэффициента K0 .
Шокли предположил, что K0 является следующим выражением:
K0 = ( ∙ e)/(k ∙ T)
где: e = 1,6 ∙10-19 – заряд электрона,
k = 1,38∙10-23 – постоянная Больцмана.
Для диода КД213А в главе (1.1.5.) вычислили, что = 0,753.
Согласно эмиссионному уравнению, из формулы (1.1.8.,02):
К0 = KT ∙ (TF – T) (1.1.11.,01)
Известно, что KT = 0,0956 Кельвин-1 ∙ Вольт-1
Приравняем оба выражения:
KT ∙ (TF – T) = ( ∙ e)/(k ∙ T) (1.1.11.,02)
Отсюда:
TF = T + ( ∙ e)/(k ∙ T ∙ KT) (1.1.11.,03)
Вычислим из (1.1.11.,03) при температуре T = 10 градусов по Цельсию:
TF = 605,7 Кельвин.
Вычислим из (1.1.11.,03) при температуре T = 60 градусов по Цельсию:
TF = 607,2 Кельвин.
Шокли, очевидно считал, что 1/T при комнатных температурах имеет небольшой диапазон отклонений. И действительно :
При Т=10 град. По Цельсию, что соответствует 283 град по Кельвину, имеем 1/283 = 3,5335 ∙ 10-3.
При Т=60 град. По Цельсию, что соответствует 333 град по Кельвину, имеем 1/333 = 3,0030 ∙ 10-3.
Значения 1/T при температурах 10 и 60 градусов по Цельсию различаются на 17%.
Ошибочность уравнения Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока доказывает следующий факт: направление монотонности функции (уравнения Шокли) при изменении температуры, не соответствует наблюдаемому в эксперименте ( см. рис. 1.21. и рис. 1.22.).
Можно сделать вывод, что выражение коэффициента в уравнении Шокли как K0 = ( ∙ e)/(k ∙ T) никак не связано с зарядом электрона и постоянной Больцмана , и оно было получено из параметра TF (см. (1.1.11.,01)).
Выясним, почему коэффициент B0 в уравнении Шокли зависит от температуры. Согласно эмиссионному уравнению, из формулы (1.1.8.,03):
B0 = KT ∙ ( T ∙ UF – TF ∙ UB ) (1.1.11.,04)
Для прямого тока PN-перехода уравнение Шокли имеет вид:
I = Is ∙ exp( ( ∙ e ∙ Uа)/(k ∙ T) )
B0 = Ln ( Is )
Тогда Is = exp( B0 ) , далее следует:
Is = exp( B0 )= exp ( KT ∙ ( T ∙ UF – TF ∙ UB )) (1.1.11.,05)
Из уравнения (1.1.11.,05) следует, что Is функционально зависит от температуры T.
1.1.12. Теория обратных связей. Логарифмическое уравнение как уравнение системы с отрицательной обратной связью.
1.1.12.1. Математика процессов обратных связей. Оос. Пос.
Обратные связи – взаимодействие сигналов во времени. Практическим способом обратные связи были обнаружены в усилительных устройствах. Оказалось, что полярность сигнала – направление его роста во времени играет определяющую роль при сложении входных и выходных сигналов.
Полярность входного сигнала берётся за основу. Если представить такой входной сигнал как линейно возрастающий (на практике - пилообразный), то на выходе мы можем иметь два варианта полярности этого сигнала: линейно возрастающий во времени, линейно убывающий во времени.
Создавая обратную связь, часть выходного сигнала подаём на вход. Здесь мы замечаем, что сигналы электронных усилителей распространяются мгновенно. Они взаимодействуют во времени согласно математическим уравнениям обратной связи. Причём полярность поданного с выхода на вход сигнала определяет Отрицательную Обратную Связь (в нашем случае: линейно убывающий сигнал) и Положительную Обратную Связь (в нашем случае: линейно возрастающий сигнал).
Казалось бы, полярность сигнала определяет свойства объектов пространства. Но возникает взаимодействие пространства во времени.
Алгоритм такого взаимодействия для линейно возрастающего сигнала, при ПОС:
1.Входной сигнал растёт.
2. Выходной сигнал имеет большую величину, чем входной.
3. Таким образом: Выходной сигнал – это «будущее» для входного.
При включении положительной обратной связи мы имеем попытку совершить путешествие во времени из настоящего в будущее. Чем закончиться такая попытка? Мы знаем, что ПОС – это нестабильное состояние, сопровождающееся ГЕНЕРАЦИЕЙ сигнала. В природе ПОС можно идентифицировать с такими явлениями как многократные зеркальные отражения.
Если встать между параллельными плоскими зеркалами, направленными навстречу друг другу, можно увидеть многократные зеркальные отражения. Если между зеркалами создать маленький угол, то количество отражений будет конечным. Также явление многократных отражений сопутствует явлению генерации лазерного луча. То есть различного рода автогенераторы, лазеры – всё это попытки совершить путешествие в будущее.
Алгоритм такого взаимодействия для линейно возрастающего сигнала при ООС:
1.Входной сигнал растёт.
2. Выходной сигнал имеет меньшую величину, чем входной.
3. Таким образом: Выходной сигнал – это «прошлое» для входного.
При включении отрицательной обратной связи мы имеем попытку совершить путешествие во времени из настоящего в прошлое. Чем закончиться такая попытка? Мы знаем, что ООС – это стабильное состояние, сопровождающееся ОГРАНИЧЕНИЕМ.
В фантастическом рассказе «И грянул гром.» Рэя Брэдбери говориться как раз о путешествии в прошлое. Там происходит изменение мира будущего из-за гибели одной бабочки в мире прошлого.
Но в усилителе с ООС происходит ОГРАНИЧЕНИЕ. То есть, «Эффект бабочки» в этом мире недостижим из-за свойства пространства и времени создавать ООС – некоторое ОГРАНИЧЕНИЕ, преодолеть которое невозможно.
Об ООС ещё говорят как о стабилизации.
Наблюдая обратные связи, мы наблюдаем два явления: одно нестабильное, приводящее к ГЕНЕРАЦИИ колебаний (ПОС) , второе более стабильное, чем обычно из-за процесса САМООГРАНИЧЕНИЯ (ООС).
Электрические сигналы пытаются путешествовать во времени. Как мы знаем, что электрические сигналы измеряются в ваттах и имеют вид тепловых потоков. Увеличивая мощность экспериментальных установок, работающих с ПОС и ООС можно построить машину времени… Но это произойдёт в том случае, если пространство и время сдадут свои позиции.
Рассмотрим математические модели обратных связей. В математике функции с обратными связями называют неявными функциями.
Рис. 1.27. Блок-схема системы с обратной связью.
На рисунке 1.27. приведена блок-схема системы с обратной связью.
На рис. 1.27. обозначены:
1 - блок функции обратной связи;
2 - блок сумматора;
3 - блок функции прямой связи;
x - входной сигнал; s - промежуточный; p - сигнал обратной связи;
y - выходной сигнал;
p=L(y) - функция обратной передачи;
y=F(s) - функция прямой передачи.
Для различных функций y=F(s): для линейной, степенной, экспо -ненциальной можно создать системы с обратными связями, а также вычислить решения для обратных связей, применяя аналитические формулы или алгоритмы.
