- •Новая физика электронных приборов. Владивосток
- •Общая характеристика работы
- •1. Возникновение задачи. Исследование полупроводнико-вого диода.
- •1.1. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода при прямом токе.
- •1.1.1. Теория, которая существует сегодня в физике полупровод -ников.
- •1.1.2. Методы измерения вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1.1.2.1. Основной принцип измерения вах прямого тока
- •1.1.2.2. Применение регулируемого источника напряжения при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.4. Применение амперметров при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.5. Измерение вах прямого тока pn-перехода с применением регулируемого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.6. Измерение вах прямого тока pn-перехода с примене-нием ступенчатого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.3. Схема, позволяющая расширить диапазон, измеряемых токов, при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.3. Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов. Методы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока кремниевого полупроводникового диода.
- •1.1.4. Моделирование вольт-амперной характеристики прямого тока диода при помощи прямой в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.5. Уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода – как прямая линия в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.7. Вольт-амперные характеристики прямого тока в зависимости от температуры согласно уравнению Шокли.
- •1. Графики уравнения Шокли имеют вид расширяющегося пучка прямых от точки, расположенной на оси ординат.
- •2. Более низкие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua.
- •1.1.8. Зависимость вольт-амперных характеристик прямого тока от температуры, наблюдаемая при эксперименте. Расчёт математической модели.
- •1. Графики экспериментальных данных имеют вид сужающегося пучка прямых, при росте Ua на участке 2.
- •2. Более высокие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua на участке 2.
- •1.1.9. Эмпирическое уравнение, заменяющее ошибочное уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •1.1.10. Несколько математических моделей полупроводниковых диодов
- •1.1.11. Взаимосвязь коэффициентов эмиссионного уравнения и уравнения Шокли.
- •1.1.12. Теория обратных связей. Логарифмическое уравнение как уравнение системы с отрицательной обратной связью.
- •1.1.12.1. Математика процессов обратных связей. Оос. Пос.
- •1.1.12.2. Уравнение обратной связи для линейной функции. Оос.
- •1.1.12.3. Уравнение отрицательной обратной связи для экспоненциальной функции.
- •1.2. Вывод по 1-й части .
- •2. Исследование вакуумного диода.
- •2.1. Эксперимент с. Дэшмана.
- •2.1.1. Описание эксперимента с. Дэшмана.
- •2.1.2. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая а-а′ как тепловой процесс.
- •2.1.3. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая b-b′ как электрический процесс.
- •2.1.4. Тепловой и электрический – два ограничивающих друг друга процесса.
- •2.1.5. Математическая модель вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым като -дом, построенная на основе эмиссионного уравнения.
- •2.1.6. Две отрицательные обратные связи в математической модели вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3. Решение задачи.
- •3.1. Теория теплового заряда.
- •3.1.1. История теории теплового заряда.
- •3.1.2. Опыт, показывающий связь между электрическими и тепловыми явлениями.
- •3.1.3. Теории теплового заряда.
- •3.1.3. 1. Что такое тепловой заряд.
- •3.1.3. 2. Две теории теплового заряда.
- •3.2.1. Построение физики от энергий.
- •3.2.2. Физические законы для системы электрического и теплового зарядов.
- •3.2.2.1. Электрический ток.
- •3.2.2.2. Параметр электрического сопротивления.
- •3.2.2.3. Тепловой ток ( мощность).
- •3.2.2.4. Температура или тепловое напряжение.
- •3.2.2.5. Второе определение теплового тока.
- •3.2.2.6. Параметр теплового сопротивления.
- •3.2.2.7. Параметр тепловой ёмкости.
- •3.2.2.8. Ток энергии 4-го уровня.
- •3.2.2.9. Составной термо-электрический потенциал (стэ-потенциал).
- •3.2.2.10. Сопротивление флуктуационному току.
- •3.2.3. Блок-схема для формул основных физических законов.
- •3.2.4. Движение энергий-зарядов во времени.
- •3.3. Вывод эмиссионного уравнения из теории об иерархии зарядов-энергий.
- •3.3.1. Преобразование эмпирического уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для вакуумного и полупроводникового диода.
- •3.3.2. Вывод эмиссионного уравнения. (Вывод уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода в зависимости от температуры. )
- •3.3.3. Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока.
- •3.3.4. Два составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристике прямого тока полупроводникового диода.
- •3.3.5. Вольт-амперная характеристика вакуумного диода с вольфрамовым катодом. Эксперимент с. Дэшмана.
- •3.3.6. Как работает математическая модель закона Ричардсона- Дэшмана.
- •3.3.7. Четыре составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристики прямого тока электровакуумного диода.
- •3.3.8. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода.
- •3.3.9. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3.3.10. О правильности применения экспоненциальной функции.
- •3.3.11. Вывод по 3-й части .
- •4. Новая физика электронных приборов.
- •4.1. Термоэлектроника.
- •4.1.1. Определение термоэлектроники.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •4.1.2. Закон Видемана-Франца.
- •4.1.3. Модель атома, допускающая передачу тепла посредством электронов.
- •4.1.4. Термоэлектронная эмиссия.
- •4.1.5. Термопары.
- •4.1.6. Полупроводниковые диоды.
- •4.1.7. Транзисторы.
- •4.1.8. Электровакуумный диод.
- •4.1.9. Двухэлементные генераторы термо-эдс.
- •4.1.10. Элементы Пельтье. Трёхэлементный генератор температурного напора.
- •4.1.11. Термоэлектроника – основа для объяснения электронного управления, и принципа работы электронных приборов.
- •4.2. Принцип работы полупроводникового диода.
- •4.2.1. О теплопередаче.
- •4.2.2. Электрический процесс.
- •4.2.4. Контакт двух различных металлов - проводников.
- •4.2.5. Контакт полупроводников.
- •4.2.6. Контакт изоляторов.
- •4.3. Кристаллический детектор.
- •4.3.1. История кристаллических детекторов.
- •4.3.2. Объяснение работы кристаллического детектора теорией эдп.
- •4.3.3. Объяснение работы кристаллического детектора теорией термо-электронной эмиссии.
- •4.4. Опыт Хейнса — Шокли с точки зрения термоэлектрической теории.
- •4.4.1. Описание опыта Хейнса — Шокли.
- •4.4.2. Термоэлектрические свойства германия.
- •4.4.3. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники.
- •4.4.4. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники. Дырочная теория Шокли заменяет собой термоэлектрические явления.
- •4.5. Принцип работы транзистора в схеме с общей базой и в схеме с общим эмиттером.
- •4.5.1. Принцип работы транзистора. Схема с общей базой .
- •4.5.2. Принцип работы транзистора. Схема с общим эмиттером.
- •4.6. Физическое явление – гроза.
- •4.6.1. Тепловой процесс.
- •4.6.1.1. Что такое термодинамическая система. Основной закон Вселенной.
- •4.6.1.2. Вложенность термодинамических систем.
- •4.6.1.3. Что такое нагретое тело.
- •4.6.1.4. Что такое холодное тело.
- •4.6.1.5. Что такое источник тепла.
- •4.6.1.6. Как взаимодействует источник тепла с нагретым телом.
- •4.6.1.7. Способы теплопередачи.
- •4.6.1.8. Что такое температура.
- •4.6.1.9. Климат планеты Земля. Два источника тепла планеты Земля.
- •4.6.1.10. Что такое тепловой диполь и тепловой конденсатор.
- •4.6.2. Электрический процесс.
- •4.6.2.1. Электрические атмосферные наблюдения.
- •4.6.2.2. Теплопередача и термоэлектронная эмиссия.
- •4.6.3. Гипотеза о термоэлектрическом принципе действия грозы.
- •5. Математическое моделирование в электронике.
- •5.1. Физика и математика.
- •5.1.1. Физика.
- •5.1.2. Ошибки современной физики.
- •5.1.3.Ошибки теории.
- •5.1.4. Новые приоритеты, как путь к развитию физики.
- •5.2.3. Двухмерный процессовый переход. Общее уравнение для функции процессового перехода. Внешняя функция процессового перехода.
- •5.2.4. Внешняя степенная функция процессового перехода. Показатель степени как регулятор кривизны переходного участка.
- •5.2.5. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей минимизации.
- •5.2.6. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей максимизации.
- •5.2.7. Задача о мини-максимизации и макси-минимизации.
- •5.2.8. Математика процессового перехода. Асимптоты.
- •5.3. Общий случай обратной связи. Присутствие отрицательной обратной связи в функции процессового перехода.
- •5.3.1. Уравнение обратной связи для степенной функции. Оос.
- •5.3.2. Общий случай обратных связей.
- •5.3.2.1. Mатематическое определение обратных связей.
- •5.3.2.2. Доказательство эквивалентности системы с оос как системы с переходом процессов.
- •5.4. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода..
- •5.4.1. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода. Зависимость кривизны участка перехода от масштабов функций.
- •5.5. Математическое моделирование процессов в электронных приборах.
- •5.5.1. Математическая модель процессового перехода с внешней степенной функцией для вольт-амперной характеристики вакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •5.5.2. Особенности математической модели процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением».
- •5.5.3. Математическая модель процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением», для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •5.5.5. Примеры моделирования результирующей функции, для двух процессов, ограничивающих рост друг друга при эмиссионном уравнении, в качестве внешней функции.
- •5.6. Основы математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.1 Четыре основные вольт-амперные характеристики прямого тока для p-n переходов биполярного транзистора.
- •5.6.2. Условия измерений и математические модели вольт-амперных характеристик прямого тока для p-n переходов.
- •5.6.3. Способы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока для pn-переходов .
- •5.6.4. Уравнение вольт-амперной характеристики pn-перехода.
- •5.6.5. Эмиссионное уравнение для прямого тока p-n перехода.
- •5.6.6. Моделирование функции fbe0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.7. Моделирование функции fbe1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.8. Моделирование функции fbk0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.9. Моделирование функции fbk1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.10. Инжекционный ток, как тепловой ток.
- •5.6.11. Особенности математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.12. Эмиссионное смещение как переход процессов.
- •5.6.14. Вывод по 5-й части.
- •16 Января 2014 г.
- •Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1. Релаксация тепловой энергии нагретого тела.
- •1.1. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе закона Фурье.
- •1.2. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе теории зарядов-энергий.
- •1. Релаксация электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •1.1. Вывод закона релаксации электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •§ 74. Конденсатор в цепи с сопротивлением
- •1.2. Вывод закона релаксации электрической энергии, при разряде конденсатора на резистор, на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Релаксация магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •1.1. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •§ 95. Исчезновение и установление тока
- •1.2. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Математика пучка прямых.
- •1. Изотоковые характеристики.
- •1.1. Управление эмиссионной способностью.
- •1.2 Изотоковые характеристики в эксперименте с. Дэшмана.
- •1.3. Термоэлектронная эмиссия p-n перехода при протекании прямого тока в кремниевом диоде кд213а.
- •1.4. Изотоковые характеристики полупроводникового кремниевого диода кд213а.
- •1.4. Вывод.
- •1.1. Реостатный принцип усиления. Влияние сопротивления нагрузки на выходное напряжение.
3.3. Вывод эмиссионного уравнения из теории об иерархии зарядов-энергий.
3.3.1. Преобразование эмпирического уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для вакуумного и полупроводникового диода.
Теперь, после анализа тепловых и электрических явлений, мы можем проанализировать полученное при экспериментальных исследованиях эмпирическое уравнение.
Вернёмся к поставленной в 3.1.1. задаче. Повторим преобразование уравнения (1.1.9.,03).
При моделировании вольт-амперных характеристик вакуумного и полупроводникового диода было получено следующее эмпирическое уравнение:
(3.3.1.,01)
Попытаемся выяснить, какую природу имеет полученное эмпирическое уравнение. Для этого определим следующие выражения:
(3.3.1.,02)
(3.3.1.,03)
(3.3.1.,04)
Из (3.3.1.,01) получим:
(3.3.1.,05)
Согласно уравнению (3.2.3.,01), получим:
(3.3.1.,06)
(3.3.1.,07)
Из (3.3.1.,05) получим:
(3.3.1.,08),
или:
(3.3.1.,09),
или:
(3.3.1.,10).
Тогда общий закон тока при переходе электронов из одной среды в другую определяется так (см. (3.3.1.,10)):
Разность составных термоэлектрических потенциалов при переходе электронов из одной среды в другую - пропорциональна логарифму электрического тока, отнесённого к единице тока.
Выражение (3.3.1.,10) определяет выражение для электрического тока в термоэлектрической системе при наличии флуктуационного тока.
3.3.2. Вывод эмиссионного уравнения. (Вывод уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода в зависимости от температуры. )
Рассмотрим задачу о нахождении вольт-амперной характеристики полупроводникового диода. Эмпирическое уравнение, полученное при исследовании диода, имеет вид:
(3.3.1.,01)
Далее, используя составные термоэлектрические потенциалы (СТЭ - потенциалы), приводим уравнение к виду:
(3.3.1.,09)
где
∆F2 , ∆F1 - составные термоэлектрические потенциалы.
Теперь, при помощи представленной теории, выведем уравнение для вольт-амперной характеристики полупроводникового диода.
Полупроводниковый диод представляет собой термопару, в которой электроны при прямом токе совершают переход из зоны N в зону P. Такой переход сопровождается выделением энергии, а обратный переход невозможен, так, как требует для электронов дополнительной энергии.
Условия следующие: Через две различные зоны полупроводников протекает ток IA. Изменим единицу измерения тока. Так, как существует квант электрического заряда – электрон, то единицу измерения тока можно сделать штучной: штука в секунду. Для этого ток в Амперах следует делить на заряд электрона, выраженный в Кулонах.
(3.3.2.,01)
e = 1,6∙10-19 Кл - заряд электрона.
На переходе из N в P существуют составные термоэлектрические потенциалы.
В лабораторной установке происходит термоэлектрический процесс, в котором есть приложенные составные термоэлектрические потенциалы, и есть протекающий ток, величина которого в цепи постоянная.
Tc – температура окружающей среды.
UA – напряжение приложенное к PN-переходу.
Составные термоэлектрические потенциалы образуются из следующих приложенных температур и напряжений:
T21 - выходная температура зоны N. T21 = Tc
T20 - входная температура зоны N . T20 = 0.
T11 - выходная температура зоны P. T11 = Тс
T10 - входная температура зоны P . T10 = TF.
U21 - выходное напряжение зоны N. U21 = UD
U20 - входное напряжение зоны N . U20 = 0.
U11 - выходное напряжение зоны P. U11 = UA
U10 - входное напряжение зоны P . U10 = UB,
где TF, UD, UB – параметры из эмпирической модели.
Отсюда можно найти все разности потенциалов (напряжений):
∆T2 = T21 - T20
∆T1 = T11 - T10
∆ U2 = U21 - U20
∆ U1 = U11 - U10
∆T1 - входная разность температур.
∆T2 - выходная разность температур.
∆U1 - входная разность напряжений.
∆U2 - выходная разность напряжений.
Через переход протекает ток IA.
∆IA = IA
Здесь потенциал тока рассматривается относительно вакуума.
Рассмотрим электрический ток при переходе из среды в среду (см. рис. 3.11.). Такой переход создаёт условия для возникновения флуктуационного тока. При переходе из среды в среду на участках тока создаётся разность составных термоэлектрических потенциалов:
∆F1 = ∆T1 ∙ ∆ U1 .
∆F2 = ∆T2 ∙ ∆U2 .
∆FΣ = ∆F2 - ∆F1
Рис. 3.11. Схема исследования PN-перехода с приложенными составными термоэлектрическими потенциалами.
Можно вычислить перенос полного флуктуационного тока электрическим током – это полный флуктуационный ток в данном процессе:
(3.3.2.,02)
Выражение (3.3.2.,02) показывает, что Ia является проводимостью для флуктуационного тока GΣ . Соотношение (3.3.2.,02) выведено на основании закона (3.2.3.,07).
И в то же время, полный флуктуационный ток можно вычислить, принимая во внимание, тот факт, что каждая частица тока способна переносить некоторую долю флуктуационного тока, характеризуемого как удельную энергию теплообмена, приходящийся на единицу заряда.
Обозначим удельную энергию теплообмена анодного тока на единицу электрического заряда: ∆FЕд. Флуктуационный ток единичной части электрического тока, вычисленный через удельную энергию теплообмена, на единицу электрического заряда, имеет вид:
(3.3.2.,03)
Полный флуктационный ток можно вычислить из единичных токов, если просуммировать все флуктационные токи, на единицу электрического заряда, приходящиеся на единичные электрические токи. Флуктуационный ток GΣ в данном случае, представляет собой интеграл от выражения GЕд, взятый по электрическому току.
Пусть ток достигает величины IA. Электрический ток можно измерять в различных единицах. Переведём единицы измерения тока в «штуки в секунду». Переведём ток IA:
(3.3.2.,04)
Переведём ток одного электрона в секунду:
(3.3.2.,05)
где:
e = 1,6·10-19 Кл - заряд электрона.
Потому нижний предел интегрирования будет иметь вид единичного тока:
I1 = INe = 1 шт./сек.
Верхний предел интегрирования будет иметь значение I2 = INIa.
∆FЕд = ∆T3 ∙ ∆U3- удельная энергия теплообмена на единицу электрического заряда при протекании единичного тока.
Также ∆FЕд имеет физический смысл некоторого СТЭ - потенциала, постоянного в данном процессе. Если полный ток равен N штук в секунду, то
(3.3.2.,06)
Из выражения (3.3.2.,06) можно найти суммарный флуктуационный ток, методом интегрирования.
(3.3.2.,07)
Выражение INIa / INe можно снова перевести в Амперы:
(3.3.2.,08)
Теперь мы имеем два выражения для GΣ. Приравняем (3.3.2.,02) и (3.3.2.,07)
(3.3.2.,09)
(3.3.2.,10)
Так, как флуктуационный ток в своём составе имеет частицы с электрическим зарядом, то совместно с флуктуационным током возникает электрический ток. На единичный электрический ток всегда приходиться некоторая доля флуктуационного тока, равная GЕД ,
где GЕД - это некоторый параметр, определяющий флуктуационный ток переносимый единичным электрическим током в условиях флуктуационного тока. Иначе можно записать:
(3.3.2.,11)
Далее из (3.3.2.,09) можно вывести:
(3.3.2.,12)
или:
(3.3.2.,13)
или:
(3.3.2.,14)
или:
(3.3.2.,15)
где ∆FЕд – некоторый составной термоэлектрический потенциал, постоянный в данном процессе. Отсюда следует:
(3.3.2.,16),
далее:
(3.3.2.,17)
Если принять:
(3.3.2.,18),
то, получим:
(3.3.2.,19)
Выражение (3.3.2.,19) совпадает с выражением (3.3.1.,09). Мы сделали вывод уравнения для вольт-амперной характеристики полупроводникового диода, которое не противоречит эксперименту.
