- •Новая физика электронных приборов. Владивосток
- •Общая характеристика работы
- •1. Возникновение задачи. Исследование полупроводнико-вого диода.
- •1.1. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода при прямом токе.
- •1.1.1. Теория, которая существует сегодня в физике полупровод -ников.
- •1.1.2. Методы измерения вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1.1.2.1. Основной принцип измерения вах прямого тока
- •1.1.2.2. Применение регулируемого источника напряжения при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.4. Применение амперметров при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.5. Измерение вах прямого тока pn-перехода с применением регулируемого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.6. Измерение вах прямого тока pn-перехода с примене-нием ступенчатого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.3. Схема, позволяющая расширить диапазон, измеряемых токов, при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.3. Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов. Методы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока кремниевого полупроводникового диода.
- •1.1.4. Моделирование вольт-амперной характеристики прямого тока диода при помощи прямой в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.5. Уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода – как прямая линия в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.7. Вольт-амперные характеристики прямого тока в зависимости от температуры согласно уравнению Шокли.
- •1. Графики уравнения Шокли имеют вид расширяющегося пучка прямых от точки, расположенной на оси ординат.
- •2. Более низкие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua.
- •1.1.8. Зависимость вольт-амперных характеристик прямого тока от температуры, наблюдаемая при эксперименте. Расчёт математической модели.
- •1. Графики экспериментальных данных имеют вид сужающегося пучка прямых, при росте Ua на участке 2.
- •2. Более высокие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua на участке 2.
- •1.1.9. Эмпирическое уравнение, заменяющее ошибочное уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •1.1.10. Несколько математических моделей полупроводниковых диодов
- •1.1.11. Взаимосвязь коэффициентов эмиссионного уравнения и уравнения Шокли.
- •1.1.12. Теория обратных связей. Логарифмическое уравнение как уравнение системы с отрицательной обратной связью.
- •1.1.12.1. Математика процессов обратных связей. Оос. Пос.
- •1.1.12.2. Уравнение обратной связи для линейной функции. Оос.
- •1.1.12.3. Уравнение отрицательной обратной связи для экспоненциальной функции.
- •1.2. Вывод по 1-й части .
- •2. Исследование вакуумного диода.
- •2.1. Эксперимент с. Дэшмана.
- •2.1.1. Описание эксперимента с. Дэшмана.
- •2.1.2. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая а-а′ как тепловой процесс.
- •2.1.3. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая b-b′ как электрический процесс.
- •2.1.4. Тепловой и электрический – два ограничивающих друг друга процесса.
- •2.1.5. Математическая модель вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым като -дом, построенная на основе эмиссионного уравнения.
- •2.1.6. Две отрицательные обратные связи в математической модели вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3. Решение задачи.
- •3.1. Теория теплового заряда.
- •3.1.1. История теории теплового заряда.
- •3.1.2. Опыт, показывающий связь между электрическими и тепловыми явлениями.
- •3.1.3. Теории теплового заряда.
- •3.1.3. 1. Что такое тепловой заряд.
- •3.1.3. 2. Две теории теплового заряда.
- •3.2.1. Построение физики от энергий.
- •3.2.2. Физические законы для системы электрического и теплового зарядов.
- •3.2.2.1. Электрический ток.
- •3.2.2.2. Параметр электрического сопротивления.
- •3.2.2.3. Тепловой ток ( мощность).
- •3.2.2.4. Температура или тепловое напряжение.
- •3.2.2.5. Второе определение теплового тока.
- •3.2.2.6. Параметр теплового сопротивления.
- •3.2.2.7. Параметр тепловой ёмкости.
- •3.2.2.8. Ток энергии 4-го уровня.
- •3.2.2.9. Составной термо-электрический потенциал (стэ-потенциал).
- •3.2.2.10. Сопротивление флуктуационному току.
- •3.2.3. Блок-схема для формул основных физических законов.
- •3.2.4. Движение энергий-зарядов во времени.
- •3.3. Вывод эмиссионного уравнения из теории об иерархии зарядов-энергий.
- •3.3.1. Преобразование эмпирического уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для вакуумного и полупроводникового диода.
- •3.3.2. Вывод эмиссионного уравнения. (Вывод уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода в зависимости от температуры. )
- •3.3.3. Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока.
- •3.3.4. Два составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристике прямого тока полупроводникового диода.
- •3.3.5. Вольт-амперная характеристика вакуумного диода с вольфрамовым катодом. Эксперимент с. Дэшмана.
- •3.3.6. Как работает математическая модель закона Ричардсона- Дэшмана.
- •3.3.7. Четыре составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристики прямого тока электровакуумного диода.
- •3.3.8. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода.
- •3.3.9. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3.3.10. О правильности применения экспоненциальной функции.
- •3.3.11. Вывод по 3-й части .
- •4. Новая физика электронных приборов.
- •4.1. Термоэлектроника.
- •4.1.1. Определение термоэлектроники.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •4.1.2. Закон Видемана-Франца.
- •4.1.3. Модель атома, допускающая передачу тепла посредством электронов.
- •4.1.4. Термоэлектронная эмиссия.
- •4.1.5. Термопары.
- •4.1.6. Полупроводниковые диоды.
- •4.1.7. Транзисторы.
- •4.1.8. Электровакуумный диод.
- •4.1.9. Двухэлементные генераторы термо-эдс.
- •4.1.10. Элементы Пельтье. Трёхэлементный генератор температурного напора.
- •4.1.11. Термоэлектроника – основа для объяснения электронного управления, и принципа работы электронных приборов.
- •4.2. Принцип работы полупроводникового диода.
- •4.2.1. О теплопередаче.
- •4.2.2. Электрический процесс.
- •4.2.4. Контакт двух различных металлов - проводников.
- •4.2.5. Контакт полупроводников.
- •4.2.6. Контакт изоляторов.
- •4.3. Кристаллический детектор.
- •4.3.1. История кристаллических детекторов.
- •4.3.2. Объяснение работы кристаллического детектора теорией эдп.
- •4.3.3. Объяснение работы кристаллического детектора теорией термо-электронной эмиссии.
- •4.4. Опыт Хейнса — Шокли с точки зрения термоэлектрической теории.
- •4.4.1. Описание опыта Хейнса — Шокли.
- •4.4.2. Термоэлектрические свойства германия.
- •4.4.3. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники.
- •4.4.4. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники. Дырочная теория Шокли заменяет собой термоэлектрические явления.
- •4.5. Принцип работы транзистора в схеме с общей базой и в схеме с общим эмиттером.
- •4.5.1. Принцип работы транзистора. Схема с общей базой .
- •4.5.2. Принцип работы транзистора. Схема с общим эмиттером.
- •4.6. Физическое явление – гроза.
- •4.6.1. Тепловой процесс.
- •4.6.1.1. Что такое термодинамическая система. Основной закон Вселенной.
- •4.6.1.2. Вложенность термодинамических систем.
- •4.6.1.3. Что такое нагретое тело.
- •4.6.1.4. Что такое холодное тело.
- •4.6.1.5. Что такое источник тепла.
- •4.6.1.6. Как взаимодействует источник тепла с нагретым телом.
- •4.6.1.7. Способы теплопередачи.
- •4.6.1.8. Что такое температура.
- •4.6.1.9. Климат планеты Земля. Два источника тепла планеты Земля.
- •4.6.1.10. Что такое тепловой диполь и тепловой конденсатор.
- •4.6.2. Электрический процесс.
- •4.6.2.1. Электрические атмосферные наблюдения.
- •4.6.2.2. Теплопередача и термоэлектронная эмиссия.
- •4.6.3. Гипотеза о термоэлектрическом принципе действия грозы.
- •5. Математическое моделирование в электронике.
- •5.1. Физика и математика.
- •5.1.1. Физика.
- •5.1.2. Ошибки современной физики.
- •5.1.3.Ошибки теории.
- •5.1.4. Новые приоритеты, как путь к развитию физики.
- •5.2.3. Двухмерный процессовый переход. Общее уравнение для функции процессового перехода. Внешняя функция процессового перехода.
- •5.2.4. Внешняя степенная функция процессового перехода. Показатель степени как регулятор кривизны переходного участка.
- •5.2.5. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей минимизации.
- •5.2.6. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей максимизации.
- •5.2.7. Задача о мини-максимизации и макси-минимизации.
- •5.2.8. Математика процессового перехода. Асимптоты.
- •5.3. Общий случай обратной связи. Присутствие отрицательной обратной связи в функции процессового перехода.
- •5.3.1. Уравнение обратной связи для степенной функции. Оос.
- •5.3.2. Общий случай обратных связей.
- •5.3.2.1. Mатематическое определение обратных связей.
- •5.3.2.2. Доказательство эквивалентности системы с оос как системы с переходом процессов.
- •5.4. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода..
- •5.4.1. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода. Зависимость кривизны участка перехода от масштабов функций.
- •5.5. Математическое моделирование процессов в электронных приборах.
- •5.5.1. Математическая модель процессового перехода с внешней степенной функцией для вольт-амперной характеристики вакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •5.5.2. Особенности математической модели процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением».
- •5.5.3. Математическая модель процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением», для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •5.5.5. Примеры моделирования результирующей функции, для двух процессов, ограничивающих рост друг друга при эмиссионном уравнении, в качестве внешней функции.
- •5.6. Основы математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.1 Четыре основные вольт-амперные характеристики прямого тока для p-n переходов биполярного транзистора.
- •5.6.2. Условия измерений и математические модели вольт-амперных характеристик прямого тока для p-n переходов.
- •5.6.3. Способы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока для pn-переходов .
- •5.6.4. Уравнение вольт-амперной характеристики pn-перехода.
- •5.6.5. Эмиссионное уравнение для прямого тока p-n перехода.
- •5.6.6. Моделирование функции fbe0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.7. Моделирование функции fbe1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.8. Моделирование функции fbk0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.9. Моделирование функции fbk1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.10. Инжекционный ток, как тепловой ток.
- •5.6.11. Особенности математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.12. Эмиссионное смещение как переход процессов.
- •5.6.14. Вывод по 5-й части.
- •16 Января 2014 г.
- •Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1. Релаксация тепловой энергии нагретого тела.
- •1.1. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе закона Фурье.
- •1.2. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе теории зарядов-энергий.
- •1. Релаксация электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •1.1. Вывод закона релаксации электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •§ 74. Конденсатор в цепи с сопротивлением
- •1.2. Вывод закона релаксации электрической энергии, при разряде конденсатора на резистор, на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Релаксация магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •1.1. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •§ 95. Исчезновение и установление тока
- •1.2. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Математика пучка прямых.
- •1. Изотоковые характеристики.
- •1.1. Управление эмиссионной способностью.
- •1.2 Изотоковые характеристики в эксперименте с. Дэшмана.
- •1.3. Термоэлектронная эмиссия p-n перехода при протекании прямого тока в кремниевом диоде кд213а.
- •1.4. Изотоковые характеристики полупроводникового кремниевого диода кд213а.
- •1.4. Вывод.
- •1.1. Реостатный принцип усиления. Влияние сопротивления нагрузки на выходное напряжение.
1.1.9. Эмпирическое уравнение, заменяющее ошибочное уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
Уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода противоречит эксперименту, при измерении вольт-амперных характеристик при нескольких температурах окружающей среды. Уравнение Шокли имеет неправильное направление монотонности функции от температуры. В уравнении Шокли ток Ia убывает при росте температуры. В эксперименте и в полученном эмпирическом уравнении ток Ia возрастает.
В результате нашего экспериментального исследования мы пришли к выводу об ошибочности уравнения Шокли. Это первый шаг к доказательству ошибочности ЭДП. Это первый шаг к возникновению задачи: разработка новой физики электронных приборов.
Дальнейшие наши поиски будут касаться изучению природы эмпирического уравнения, полученного нами в экспериментальном исследовании. Эти поиски позволят выявить ещё ряд ошибок, присутствующих в современной физике.
В этой главе попробуем привести новое эмпирическое уравнение к более рациональной форме. В последней нашей математической модели, построенной на рисунке 1.27. для построения модели было использовано две формулы: (1.1.8.,04) и (1.1.6.,02).
Логарифмическое уравнение (1.1.6.,02) возникает благодаря присутствию в цепи идеального диода некоторого добавочного резистора RD . RD для диода КД213А равно 0.25 Ом. Влияние резистора RD можно включить в параметр UB, несколько модифицировав формулу для UB
UB = 0,885 + Ia ∙ 0,25 .
Также отметим, что UF = UB + 0,276 В ; Экспериментально было проверено, это правило хорошо вписывается в математическую модель. Теперь перепишем эмиссионное уравнение для прямого тока кремниевого полупроводникового диода КД 213А:
Ln(Ia /1A) = KT ∙ ( T ∙ (UF -Ua) + TF ∙ (Ua-UB) ) (1.1.9.,01)
где: KT = 0,0956 Вольт-1 ∙ Кельвин-1;
TF =605,2 Kельвин;
UB = 0,885 + Ia ∙ 0,25 ; (в Вольтах)
UF = UB + UD ; (в Вольтах)
UD = 0,276 Вольт.
Учитывая UD можно вывести математическую модель вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода КД213А:
Ln(Ia/1A) = KT ∙ ( T ∙ UD - ( T- TF ) ∙ (Ua - UB) ) (1.1.9.,02)
где:
KT = 0,0956;
TF =605, Kельвин;
UB = Uv + Ia ∙ RD ; (в Вольтах)
UD = 0,276 Вольт ;
Uv = 0,885;
RD = 0,25;
T < TF .
Определение 1: выражение вида ΔF =ΔT ∙ ΔU называется составным термоэлектрическим потенциалом.
Если в уравнении (1.1.9.,02) обозначить:
ΔF1 =T ∙ UD,
ΔF2 = ( T- TF ) ∙ (Ua - UB),
То уравнение (1.1.9.,02) будет иметь вид:
Ln(Ia/1A) = KT ∙ ( ΔF1 - ΔF2 ) (1.1.9.,03)
Определение 2: Уравнение вида Ln(Ia/1A) = KT ∙ ( ΔF1 - ΔF2 ) называется эмиссионным уравнением.
Покажем в дальнейшем, что подобным уравнением можно описывать ток электровакуумного диода.
Эмиссионное уравнение для вольт-амперной характеристики прямого тока кремниевого полупроводникового диода имеет вид:
Ia = 1А ∙ exp( KT ∙ (T ∙ UD - ( T- TF ) ∙ (Ua – Uv – Ia ∙ RD))) (1.1.9.,04)
или
(1.1.9.,05)
где 1А – размерность в 1 Ампер, Tc – температура среды.
Из предложенного эмиссионного эмпирического уравнения мы видим, что прямой ток полупроводникового диода функционально зависит от разности электрических потенциалов, умноженных на температурный напор (разность температур). Наличие температурного напора говорит нам о том, что явление односторонней проводимости (явление ОП) у полупроводникового диода существует благодаря присутствию в данном явлении теплового процесса. Явление ОП полупроводникового диода находится в разделе физики в непосредственной близости с явлениями эффекта Зеебека и эффекта Пельтье.
Получается, что полупроводниковый диод – это полупроводниковая термопара. У обычной термопары, выполненной из металлов проводников, металлы очень хорошо проводят тепло. У такой термопары температурные потенциалы (температурные напоры) очень малы. Наличие же полупроводниковых материалов приближает данное явление к термоэлектронной эмиссии электровакуумного диода.
Если мы собрались создавать новую физику электронных приборов, то поневоле нам придётся столкнуться со старой терминологией. Сегодня все специалисты говорят на языке теории ЭДП.
Итак, электронной и дырочной проводимости не существует, существует только электронная проводимость, которую мы будем называть просто: проводимость.
Нам надо избавиться от старых терминов и создать новые. Потому старые термины мы будем обозначать подчёркнутым шрифтом и заменять новыми терминами. Это спасёт в какой-то мере новую науку от неточностей и неправильных выводов. Список неправильных (ошибочных) терминов:
PN–переход.
P-зона, N–зона.
Донор, акцептор.
Дырочная и электронная проводимость.
Узкая и широкая запрещённые зоны.
Уровни Ферми.
Концентрация электронов и дырок.
Экситоны.
Принцип Паули.
Вырожденный и невырожденный.
Электронный газ.
Фотоэлектронная эмиссия.
Работа выхода.
Инжекционный ток.
Фононы.
Я привёл несколько терминов явлений, понятий, которые в реально-сти не существуют. Особо хочу отметить термин фотоэлектронная эмиссия. Вся проблема этого термина в том, что воздействие энергии на фотоэлектронный прибор, приносимой световой волной, приводит к тому, что включается процесс термоэлектронной эмиссии, который называют фотоэлектронной эмиссией. Эту ошибку необходимо исправить, называя явление правильным термином.
Практически вся физика электронных приборов базируется на двух важных полях: электрическом поле и тепловом поле. И потому, что этой теории в физике ещё нет, практически всю теорию электронных приборов необходимо создавать заново. Ошибки имеются и в термодинамике – именно в том вопросе, что температуру не определяют как потенциал. И практически невозможно использовать все идеи и понятия квантовой механики. Мягко говоря, квантовая механика заблудилась в поиске истины.
Для примера, можно попытаться объяснить физический смысл параметра TF из эмиссионного уравнения.
Температура TF связана с параметром энергии для преимущественного перехода электрона из зоны N в зону P полупроводникового диода. Зона N – с донорной примесью. Зона P – с акцепторной примесью.
Можно заметить, что нам приходится использовать термины теории ЭДП. Многие термины теории ЭДП, квантовой механики придётся использовать и в дальнейшем, поясняя при этом особенности новой физики.
То, что мы выяснили в первую очередь, проведя экспериментальное исследование:
1. Уравнение Шокли ошибочно.
2. Дырок не существует.
3. Существует некий термоэлектрический процесс. Именно термо-электрический процесс может объяснить свойство односторонней проводимости полупроводникового диода.
