- •Новая физика электронных приборов. Владивосток
- •Общая характеристика работы
- •1. Возникновение задачи. Исследование полупроводнико-вого диода.
- •1.1. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода при прямом токе.
- •1.1.1. Теория, которая существует сегодня в физике полупровод -ников.
- •1.1.2. Методы измерения вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1.1.2.1. Основной принцип измерения вах прямого тока
- •1.1.2.2. Применение регулируемого источника напряжения при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.4. Применение амперметров при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.5. Измерение вах прямого тока pn-перехода с применением регулируемого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.6. Измерение вах прямого тока pn-перехода с примене-нием ступенчатого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.3. Схема, позволяющая расширить диапазон, измеряемых токов, при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.3. Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов. Методы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока кремниевого полупроводникового диода.
- •1.1.4. Моделирование вольт-амперной характеристики прямого тока диода при помощи прямой в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.5. Уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода – как прямая линия в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.7. Вольт-амперные характеристики прямого тока в зависимости от температуры согласно уравнению Шокли.
- •1. Графики уравнения Шокли имеют вид расширяющегося пучка прямых от точки, расположенной на оси ординат.
- •2. Более низкие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua.
- •1.1.8. Зависимость вольт-амперных характеристик прямого тока от температуры, наблюдаемая при эксперименте. Расчёт математической модели.
- •1. Графики экспериментальных данных имеют вид сужающегося пучка прямых, при росте Ua на участке 2.
- •2. Более высокие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua на участке 2.
- •1.1.9. Эмпирическое уравнение, заменяющее ошибочное уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •1.1.10. Несколько математических моделей полупроводниковых диодов
- •1.1.11. Взаимосвязь коэффициентов эмиссионного уравнения и уравнения Шокли.
- •1.1.12. Теория обратных связей. Логарифмическое уравнение как уравнение системы с отрицательной обратной связью.
- •1.1.12.1. Математика процессов обратных связей. Оос. Пос.
- •1.1.12.2. Уравнение обратной связи для линейной функции. Оос.
- •1.1.12.3. Уравнение отрицательной обратной связи для экспоненциальной функции.
- •1.2. Вывод по 1-й части .
- •2. Исследование вакуумного диода.
- •2.1. Эксперимент с. Дэшмана.
- •2.1.1. Описание эксперимента с. Дэшмана.
- •2.1.2. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая а-а′ как тепловой процесс.
- •2.1.3. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая b-b′ как электрический процесс.
- •2.1.4. Тепловой и электрический – два ограничивающих друг друга процесса.
- •2.1.5. Математическая модель вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым като -дом, построенная на основе эмиссионного уравнения.
- •2.1.6. Две отрицательные обратные связи в математической модели вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3. Решение задачи.
- •3.1. Теория теплового заряда.
- •3.1.1. История теории теплового заряда.
- •3.1.2. Опыт, показывающий связь между электрическими и тепловыми явлениями.
- •3.1.3. Теории теплового заряда.
- •3.1.3. 1. Что такое тепловой заряд.
- •3.1.3. 2. Две теории теплового заряда.
- •3.2.1. Построение физики от энергий.
- •3.2.2. Физические законы для системы электрического и теплового зарядов.
- •3.2.2.1. Электрический ток.
- •3.2.2.2. Параметр электрического сопротивления.
- •3.2.2.3. Тепловой ток ( мощность).
- •3.2.2.4. Температура или тепловое напряжение.
- •3.2.2.5. Второе определение теплового тока.
- •3.2.2.6. Параметр теплового сопротивления.
- •3.2.2.7. Параметр тепловой ёмкости.
- •3.2.2.8. Ток энергии 4-го уровня.
- •3.2.2.9. Составной термо-электрический потенциал (стэ-потенциал).
- •3.2.2.10. Сопротивление флуктуационному току.
- •3.2.3. Блок-схема для формул основных физических законов.
- •3.2.4. Движение энергий-зарядов во времени.
- •3.3. Вывод эмиссионного уравнения из теории об иерархии зарядов-энергий.
- •3.3.1. Преобразование эмпирического уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для вакуумного и полупроводникового диода.
- •3.3.2. Вывод эмиссионного уравнения. (Вывод уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода в зависимости от температуры. )
- •3.3.3. Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока.
- •3.3.4. Два составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристике прямого тока полупроводникового диода.
- •3.3.5. Вольт-амперная характеристика вакуумного диода с вольфрамовым катодом. Эксперимент с. Дэшмана.
- •3.3.6. Как работает математическая модель закона Ричардсона- Дэшмана.
- •3.3.7. Четыре составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристики прямого тока электровакуумного диода.
- •3.3.8. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода.
- •3.3.9. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3.3.10. О правильности применения экспоненциальной функции.
- •3.3.11. Вывод по 3-й части .
- •4. Новая физика электронных приборов.
- •4.1. Термоэлектроника.
- •4.1.1. Определение термоэлектроники.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •4.1.2. Закон Видемана-Франца.
- •4.1.3. Модель атома, допускающая передачу тепла посредством электронов.
- •4.1.4. Термоэлектронная эмиссия.
- •4.1.5. Термопары.
- •4.1.6. Полупроводниковые диоды.
- •4.1.7. Транзисторы.
- •4.1.8. Электровакуумный диод.
- •4.1.9. Двухэлементные генераторы термо-эдс.
- •4.1.10. Элементы Пельтье. Трёхэлементный генератор температурного напора.
- •4.1.11. Термоэлектроника – основа для объяснения электронного управления, и принципа работы электронных приборов.
- •4.2. Принцип работы полупроводникового диода.
- •4.2.1. О теплопередаче.
- •4.2.2. Электрический процесс.
- •4.2.4. Контакт двух различных металлов - проводников.
- •4.2.5. Контакт полупроводников.
- •4.2.6. Контакт изоляторов.
- •4.3. Кристаллический детектор.
- •4.3.1. История кристаллических детекторов.
- •4.3.2. Объяснение работы кристаллического детектора теорией эдп.
- •4.3.3. Объяснение работы кристаллического детектора теорией термо-электронной эмиссии.
- •4.4. Опыт Хейнса — Шокли с точки зрения термоэлектрической теории.
- •4.4.1. Описание опыта Хейнса — Шокли.
- •4.4.2. Термоэлектрические свойства германия.
- •4.4.3. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники.
- •4.4.4. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники. Дырочная теория Шокли заменяет собой термоэлектрические явления.
- •4.5. Принцип работы транзистора в схеме с общей базой и в схеме с общим эмиттером.
- •4.5.1. Принцип работы транзистора. Схема с общей базой .
- •4.5.2. Принцип работы транзистора. Схема с общим эмиттером.
- •4.6. Физическое явление – гроза.
- •4.6.1. Тепловой процесс.
- •4.6.1.1. Что такое термодинамическая система. Основной закон Вселенной.
- •4.6.1.2. Вложенность термодинамических систем.
- •4.6.1.3. Что такое нагретое тело.
- •4.6.1.4. Что такое холодное тело.
- •4.6.1.5. Что такое источник тепла.
- •4.6.1.6. Как взаимодействует источник тепла с нагретым телом.
- •4.6.1.7. Способы теплопередачи.
- •4.6.1.8. Что такое температура.
- •4.6.1.9. Климат планеты Земля. Два источника тепла планеты Земля.
- •4.6.1.10. Что такое тепловой диполь и тепловой конденсатор.
- •4.6.2. Электрический процесс.
- •4.6.2.1. Электрические атмосферные наблюдения.
- •4.6.2.2. Теплопередача и термоэлектронная эмиссия.
- •4.6.3. Гипотеза о термоэлектрическом принципе действия грозы.
- •5. Математическое моделирование в электронике.
- •5.1. Физика и математика.
- •5.1.1. Физика.
- •5.1.2. Ошибки современной физики.
- •5.1.3.Ошибки теории.
- •5.1.4. Новые приоритеты, как путь к развитию физики.
- •5.2.3. Двухмерный процессовый переход. Общее уравнение для функции процессового перехода. Внешняя функция процессового перехода.
- •5.2.4. Внешняя степенная функция процессового перехода. Показатель степени как регулятор кривизны переходного участка.
- •5.2.5. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей минимизации.
- •5.2.6. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей максимизации.
- •5.2.7. Задача о мини-максимизации и макси-минимизации.
- •5.2.8. Математика процессового перехода. Асимптоты.
- •5.3. Общий случай обратной связи. Присутствие отрицательной обратной связи в функции процессового перехода.
- •5.3.1. Уравнение обратной связи для степенной функции. Оос.
- •5.3.2. Общий случай обратных связей.
- •5.3.2.1. Mатематическое определение обратных связей.
- •5.3.2.2. Доказательство эквивалентности системы с оос как системы с переходом процессов.
- •5.4. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода..
- •5.4.1. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода. Зависимость кривизны участка перехода от масштабов функций.
- •5.5. Математическое моделирование процессов в электронных приборах.
- •5.5.1. Математическая модель процессового перехода с внешней степенной функцией для вольт-амперной характеристики вакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •5.5.2. Особенности математической модели процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением».
- •5.5.3. Математическая модель процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением», для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •5.5.5. Примеры моделирования результирующей функции, для двух процессов, ограничивающих рост друг друга при эмиссионном уравнении, в качестве внешней функции.
- •5.6. Основы математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.1 Четыре основные вольт-амперные характеристики прямого тока для p-n переходов биполярного транзистора.
- •5.6.2. Условия измерений и математические модели вольт-амперных характеристик прямого тока для p-n переходов.
- •5.6.3. Способы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока для pn-переходов .
- •5.6.4. Уравнение вольт-амперной характеристики pn-перехода.
- •5.6.5. Эмиссионное уравнение для прямого тока p-n перехода.
- •5.6.6. Моделирование функции fbe0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.7. Моделирование функции fbe1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.8. Моделирование функции fbk0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.9. Моделирование функции fbk1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.10. Инжекционный ток, как тепловой ток.
- •5.6.11. Особенности математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.12. Эмиссионное смещение как переход процессов.
- •5.6.14. Вывод по 5-й части.
- •16 Января 2014 г.
- •Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1. Релаксация тепловой энергии нагретого тела.
- •1.1. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе закона Фурье.
- •1.2. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе теории зарядов-энергий.
- •1. Релаксация электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •1.1. Вывод закона релаксации электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •§ 74. Конденсатор в цепи с сопротивлением
- •1.2. Вывод закона релаксации электрической энергии, при разряде конденсатора на резистор, на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Релаксация магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •1.1. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •§ 95. Исчезновение и установление тока
- •1.2. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Математика пучка прямых.
- •1. Изотоковые характеристики.
- •1.1. Управление эмиссионной способностью.
- •1.2 Изотоковые характеристики в эксперименте с. Дэшмана.
- •1.3. Термоэлектронная эмиссия p-n перехода при протекании прямого тока в кремниевом диоде кд213а.
- •1.4. Изотоковые характеристики полупроводникового кремниевого диода кд213а.
- •1.4. Вывод.
- •1.1. Реостатный принцип усиления. Влияние сопротивления нагрузки на выходное напряжение.
2.1.5. Математическая модель вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым като -дом, построенная на основе эмиссионного уравнения.
Логарифмические уравнения очень не просто решаются. Их приходиться решать на ЭВМ методом подбора. В основном все графические построения выполняются благодаря подпрограмме, способной подбирать решение. Поэтому, в данном случае, вместе с графиками будут приводиться листинги подпрограмм, обеспечивающие построение этих графиков.
Но если мы начинаем изменять температуру при измерении вольт-амперной характеристики вакуумного диода, то логарифмическое уравнение принимает более сложный – двухмерный вид. Такое уравнение и имеет вид эмиссионного уравнения. В общем случае эмиссионное уравнение записывается так:
y рез = exp( K1 ∙ ( K2 ∙ z - (x-x0) ∙ (z-z0)))
Для физики процесса : х – это напряжение, z – температура.
K1 и K2 - коэффициенты, регулирующие кривизну участка перехода между процессами. Общий вид эмиссионного уравнения:
y = A = F1(x0) - функция первого процесса
y = B = F2(z0) - функция второго процесса
y рез = exp( K1 ∙ (K2 ∙ z - (x-x0) ∙ (z-z0) ) ) (2.1.5.,01)
Эмиссионное (логарифмическое) уравнение (2.1.5.,01) является внешней функцией по отношению к функциям A и B. В результате эмиссионное уравнение выглядит так:
__ __
y рез = exp( K1 ∙ ( K2 ∙ z - (x - F1(x) ) ∙ (z – F2(z) ) )) (2.1.5.,02)
__ __
где F1(x) и F2(z) - это обратные функции, от первого и второго процесса. Для физики : х – это напряжение, z – температура.
Рассмотрим функцию теплового процесса:
F2 (TF) = Ia ;
Обратная функция теплового процесса ( от выражения (2.1.4.,02) ) будет иметь вид:
__
F2 (T) = TF = (Ln ( Ia) +27,325 ) / 1.047∙10-2 (2.1.5.,03);
Рассмотрим функцию электрического процесса:
F1 (UB) = Ia ;
Обратная функция электрического процесса (от выражения (2.1.4.,04) ) будет иметь вид:
__
F2 (UB) = UB = ( Ia / 9,215∙10-5) 2/3 (2.1.5.,04);
Составим эмиссионное уравнение.
y = A = F1 (Ua) = - функция первого процесса
y = B = F2 (T) - функция второго процесса
y рез = exp( K1 ∙ ( K2 ∙ T - (Ua - UB) ∙ (T - TF)))
Определим K1 как КT , определим K2 как UD. При создании математической модели, находим эмпирические коэффициенты KT и UD. Далее следует:
Ia = exp ( KT ∙ ( T∙ UD - ( T - TF ) ∙ (Ua - UB) ) ) (2.1.5.,05);
TF =(Ln ( Ia) +27,325 ) / 1,047∙10-2 ;
UB = ( Ia / 9,215∙10-5) 2/3 ;
где:
KT = 0,0956 Вольт-1 ∙ Кельвин-1;
UD = 0,01 Вольт;
T > TF .
KT и UD - коэффициенты, регулирующие кривизну участка перехода между процессами. TF и UB - обратные функции процессов A и B. На основе соотношения (2.1.5.,05), применяя подпрограмму двоичного поиска Midi, можно построить графики вольт-амперных и кельвин-амперных характеристик. На рисунке 2.10. представлен график семейства вольт-амперных характеристик при различных температурах катода.
Рис. 2.10. График, иллюстрирующий двухмерный процессовый переход для вольт-амперной характеристики эксперимента С. Дэшмана.
На рисунке 2.10. для процессов
Ia=A = F1(Ua) = 9,215∙10-5 ∙ Ua 3/2, и
Ia = B= F2(T) = exp( 1,047∙10-2 ∙ T - 27,325 ), построена функция
__ __
Ia рез = Ia = exp ( KT∙ ( T∙ UD - ( T - F2 (T) ) ∙ (Ua - F1(Ua) ) ) ),
с аргументом Ua при трёх температурах катода. Ось абсцисс отградуирована в Вольтах, ось ординат в Амперах.
Для построения графика на рисунке 2.10. использовалась подпрограмма двоичного поиска Midi2_012. текст подпрограммы приведён ниже.
procedure MidI2_012(x,z:real;var y:real;var c0:integer);
var
Ymax, Ymin, X0, E: real;
Kt,Ub,Ud,Uf,Tf:real;
A,B,C,D:real;
begin
c0:=0;
E:=0.000001;
Ymax:=exp( (z-0.01)*0.01047-27.325 ); // прямая функция для z
Ymin:=0;
Kt:=0.0956;
Ud:=0.01;
repeat
begin
y:=(Ymax+Ymin)/2;
Tf:= (Ln(y)+27.325)/ 0.01047; // обратная функция для z
Ub:= power( ( exp( Ln(y)) /9.216e-5) , (2/3));// обратная функция для x
Uf:=Ub+Ud;
if y<=0 then
begin
c0:=1; // код ошибки
break;
end;
A:=Ln(y);
B:=A/(-Kt);
C:=B+z*Ud;
D:=z-Tf;
if D=0 then
begin
c0:=2; // код ошибки
break;
end;
X0:=(C/D)+Ub; // поэтапное вычисление х ( или Ua )
if X0 > x then Ymax:=y else Ymin:=y;
end until (X0+E > x) and (X0-E < x);
end;
Та же подпрограмма - MidI2_012 - использовалась при построении графика на рисунке 2.11.
На рисунке 2.11. представлен график семейства кельвин-амперных характеристик при различных напряжениях на аноде.
Рис. 2.11. График, иллюстрирующий двухмерный процессовый переход в кельвин-амперных характеристиках эксперимента С, Дэшмана.
На рисунке 2.11. для процессов
Ia=A = F1(Ua) = 9,215∙10-5 ∙ Ua 3/2, и
Ia = B= F2(T) = exp( 1,047∙10-2 ∙ T - 27,325 ), построена функция
__ __
Ia рез = Ia = exp ( KT∙ ( T∙ UD - ( T - F2(T) ) ∙ (Ua - F1(Ua) ) ) ),
c аргументом T при 10-ти напряжениях на аноде. Ось абсцисс отградуирована в Кельвинах, ось ординат в Амперах.
На рисунке 2.12. изображена математическая модель для тока анода в эксперименте Дэшмана, реализованная по методу моделирования перехода процессов с эмиссионным уравнением в качестве внешней функции. Поверх точек математической модели построены точки экспериментальных данных.
Рис. 2.12. График, иллюстрирующий совпадение точек математической модели и экспериментальных данных.
