- •Новая физика электронных приборов. Владивосток
- •Общая характеристика работы
- •1. Возникновение задачи. Исследование полупроводнико-вого диода.
- •1.1. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода при прямом токе.
- •1.1.1. Теория, которая существует сегодня в физике полупровод -ников.
- •1.1.2. Методы измерения вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1.1.2.1. Основной принцип измерения вах прямого тока
- •1.1.2.2. Применение регулируемого источника напряжения при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.4. Применение амперметров при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.5. Измерение вах прямого тока pn-перехода с применением регулируемого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.6. Измерение вах прямого тока pn-перехода с примене-нием ступенчатого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.3. Схема, позволяющая расширить диапазон, измеряемых токов, при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.3. Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов. Методы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока кремниевого полупроводникового диода.
- •1.1.4. Моделирование вольт-амперной характеристики прямого тока диода при помощи прямой в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.5. Уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода – как прямая линия в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.7. Вольт-амперные характеристики прямого тока в зависимости от температуры согласно уравнению Шокли.
- •1. Графики уравнения Шокли имеют вид расширяющегося пучка прямых от точки, расположенной на оси ординат.
- •2. Более низкие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua.
- •1.1.8. Зависимость вольт-амперных характеристик прямого тока от температуры, наблюдаемая при эксперименте. Расчёт математической модели.
- •1. Графики экспериментальных данных имеют вид сужающегося пучка прямых, при росте Ua на участке 2.
- •2. Более высокие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua на участке 2.
- •1.1.9. Эмпирическое уравнение, заменяющее ошибочное уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •1.1.10. Несколько математических моделей полупроводниковых диодов
- •1.1.11. Взаимосвязь коэффициентов эмиссионного уравнения и уравнения Шокли.
- •1.1.12. Теория обратных связей. Логарифмическое уравнение как уравнение системы с отрицательной обратной связью.
- •1.1.12.1. Математика процессов обратных связей. Оос. Пос.
- •1.1.12.2. Уравнение обратной связи для линейной функции. Оос.
- •1.1.12.3. Уравнение отрицательной обратной связи для экспоненциальной функции.
- •1.2. Вывод по 1-й части .
- •2. Исследование вакуумного диода.
- •2.1. Эксперимент с. Дэшмана.
- •2.1.1. Описание эксперимента с. Дэшмана.
- •2.1.2. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая а-а′ как тепловой процесс.
- •2.1.3. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая b-b′ как электрический процесс.
- •2.1.4. Тепловой и электрический – два ограничивающих друг друга процесса.
- •2.1.5. Математическая модель вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым като -дом, построенная на основе эмиссионного уравнения.
- •2.1.6. Две отрицательные обратные связи в математической модели вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3. Решение задачи.
- •3.1. Теория теплового заряда.
- •3.1.1. История теории теплового заряда.
- •3.1.2. Опыт, показывающий связь между электрическими и тепловыми явлениями.
- •3.1.3. Теории теплового заряда.
- •3.1.3. 1. Что такое тепловой заряд.
- •3.1.3. 2. Две теории теплового заряда.
- •3.2.1. Построение физики от энергий.
- •3.2.2. Физические законы для системы электрического и теплового зарядов.
- •3.2.2.1. Электрический ток.
- •3.2.2.2. Параметр электрического сопротивления.
- •3.2.2.3. Тепловой ток ( мощность).
- •3.2.2.4. Температура или тепловое напряжение.
- •3.2.2.5. Второе определение теплового тока.
- •3.2.2.6. Параметр теплового сопротивления.
- •3.2.2.7. Параметр тепловой ёмкости.
- •3.2.2.8. Ток энергии 4-го уровня.
- •3.2.2.9. Составной термо-электрический потенциал (стэ-потенциал).
- •3.2.2.10. Сопротивление флуктуационному току.
- •3.2.3. Блок-схема для формул основных физических законов.
- •3.2.4. Движение энергий-зарядов во времени.
- •3.3. Вывод эмиссионного уравнения из теории об иерархии зарядов-энергий.
- •3.3.1. Преобразование эмпирического уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для вакуумного и полупроводникового диода.
- •3.3.2. Вывод эмиссионного уравнения. (Вывод уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода в зависимости от температуры. )
- •3.3.3. Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока.
- •3.3.4. Два составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристике прямого тока полупроводникового диода.
- •3.3.5. Вольт-амперная характеристика вакуумного диода с вольфрамовым катодом. Эксперимент с. Дэшмана.
- •3.3.6. Как работает математическая модель закона Ричардсона- Дэшмана.
- •3.3.7. Четыре составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристики прямого тока электровакуумного диода.
- •3.3.8. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода.
- •3.3.9. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3.3.10. О правильности применения экспоненциальной функции.
- •3.3.11. Вывод по 3-й части .
- •4. Новая физика электронных приборов.
- •4.1. Термоэлектроника.
- •4.1.1. Определение термоэлектроники.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •4.1.2. Закон Видемана-Франца.
- •4.1.3. Модель атома, допускающая передачу тепла посредством электронов.
- •4.1.4. Термоэлектронная эмиссия.
- •4.1.5. Термопары.
- •4.1.6. Полупроводниковые диоды.
- •4.1.7. Транзисторы.
- •4.1.8. Электровакуумный диод.
- •4.1.9. Двухэлементные генераторы термо-эдс.
- •4.1.10. Элементы Пельтье. Трёхэлементный генератор температурного напора.
- •4.1.11. Термоэлектроника – основа для объяснения электронного управления, и принципа работы электронных приборов.
- •4.2. Принцип работы полупроводникового диода.
- •4.2.1. О теплопередаче.
- •4.2.2. Электрический процесс.
- •4.2.4. Контакт двух различных металлов - проводников.
- •4.2.5. Контакт полупроводников.
- •4.2.6. Контакт изоляторов.
- •4.3. Кристаллический детектор.
- •4.3.1. История кристаллических детекторов.
- •4.3.2. Объяснение работы кристаллического детектора теорией эдп.
- •4.3.3. Объяснение работы кристаллического детектора теорией термо-электронной эмиссии.
- •4.4. Опыт Хейнса — Шокли с точки зрения термоэлектрической теории.
- •4.4.1. Описание опыта Хейнса — Шокли.
- •4.4.2. Термоэлектрические свойства германия.
- •4.4.3. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники.
- •4.4.4. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники. Дырочная теория Шокли заменяет собой термоэлектрические явления.
- •4.5. Принцип работы транзистора в схеме с общей базой и в схеме с общим эмиттером.
- •4.5.1. Принцип работы транзистора. Схема с общей базой .
- •4.5.2. Принцип работы транзистора. Схема с общим эмиттером.
- •4.6. Физическое явление – гроза.
- •4.6.1. Тепловой процесс.
- •4.6.1.1. Что такое термодинамическая система. Основной закон Вселенной.
- •4.6.1.2. Вложенность термодинамических систем.
- •4.6.1.3. Что такое нагретое тело.
- •4.6.1.4. Что такое холодное тело.
- •4.6.1.5. Что такое источник тепла.
- •4.6.1.6. Как взаимодействует источник тепла с нагретым телом.
- •4.6.1.7. Способы теплопередачи.
- •4.6.1.8. Что такое температура.
- •4.6.1.9. Климат планеты Земля. Два источника тепла планеты Земля.
- •4.6.1.10. Что такое тепловой диполь и тепловой конденсатор.
- •4.6.2. Электрический процесс.
- •4.6.2.1. Электрические атмосферные наблюдения.
- •4.6.2.2. Теплопередача и термоэлектронная эмиссия.
- •4.6.3. Гипотеза о термоэлектрическом принципе действия грозы.
- •5. Математическое моделирование в электронике.
- •5.1. Физика и математика.
- •5.1.1. Физика.
- •5.1.2. Ошибки современной физики.
- •5.1.3.Ошибки теории.
- •5.1.4. Новые приоритеты, как путь к развитию физики.
- •5.2.3. Двухмерный процессовый переход. Общее уравнение для функции процессового перехода. Внешняя функция процессового перехода.
- •5.2.4. Внешняя степенная функция процессового перехода. Показатель степени как регулятор кривизны переходного участка.
- •5.2.5. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей минимизации.
- •5.2.6. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей максимизации.
- •5.2.7. Задача о мини-максимизации и макси-минимизации.
- •5.2.8. Математика процессового перехода. Асимптоты.
- •5.3. Общий случай обратной связи. Присутствие отрицательной обратной связи в функции процессового перехода.
- •5.3.1. Уравнение обратной связи для степенной функции. Оос.
- •5.3.2. Общий случай обратных связей.
- •5.3.2.1. Mатематическое определение обратных связей.
- •5.3.2.2. Доказательство эквивалентности системы с оос как системы с переходом процессов.
- •5.4. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода..
- •5.4.1. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода. Зависимость кривизны участка перехода от масштабов функций.
- •5.5. Математическое моделирование процессов в электронных приборах.
- •5.5.1. Математическая модель процессового перехода с внешней степенной функцией для вольт-амперной характеристики вакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •5.5.2. Особенности математической модели процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением».
- •5.5.3. Математическая модель процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением», для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •5.5.5. Примеры моделирования результирующей функции, для двух процессов, ограничивающих рост друг друга при эмиссионном уравнении, в качестве внешней функции.
- •5.6. Основы математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.1 Четыре основные вольт-амперные характеристики прямого тока для p-n переходов биполярного транзистора.
- •5.6.2. Условия измерений и математические модели вольт-амперных характеристик прямого тока для p-n переходов.
- •5.6.3. Способы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока для pn-переходов .
- •5.6.4. Уравнение вольт-амперной характеристики pn-перехода.
- •5.6.5. Эмиссионное уравнение для прямого тока p-n перехода.
- •5.6.6. Моделирование функции fbe0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.7. Моделирование функции fbe1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.8. Моделирование функции fbk0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.9. Моделирование функции fbk1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.10. Инжекционный ток, как тепловой ток.
- •5.6.11. Особенности математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.12. Эмиссионное смещение как переход процессов.
- •5.6.14. Вывод по 5-й части.
- •16 Января 2014 г.
- •Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1. Релаксация тепловой энергии нагретого тела.
- •1.1. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе закона Фурье.
- •1.2. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе теории зарядов-энергий.
- •1. Релаксация электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •1.1. Вывод закона релаксации электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •§ 74. Конденсатор в цепи с сопротивлением
- •1.2. Вывод закона релаксации электрической энергии, при разряде конденсатора на резистор, на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Релаксация магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •1.1. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •§ 95. Исчезновение и установление тока
- •1.2. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Математика пучка прямых.
- •1. Изотоковые характеристики.
- •1.1. Управление эмиссионной способностью.
- •1.2 Изотоковые характеристики в эксперименте с. Дэшмана.
- •1.3. Термоэлектронная эмиссия p-n перехода при протекании прямого тока в кремниевом диоде кд213а.
- •1.4. Изотоковые характеристики полупроводникового кремниевого диода кд213а.
- •1.4. Вывод.
- •1.1. Реостатный принцип усиления. Влияние сопротивления нагрузки на выходное напряжение.
3.2.2.10. Сопротивление флуктуационному току.
Очень многие физические явления становятся понятными, после того, как мы начинаем рассматривать, протекающий флуктуационный ток. Флуктуационный ток позволяет рассматривать тепловые, электрические и магнитные явления в комплексе. Найдём выражение для сопротивления флуктуационному току:
(3.2.2.,17)
Отсюда следует:
(3.2.2.,18)
Из выражения (3.2.2.,14)
(3.2.2.,14)
Следует:
(3.2.2.,19)
Потому, сопротивление флуктационному току имеет вид:
(3.2.2.,20)
Отсюда проводимость флуктуационному току SF равна:
(3.2.2.,21)
3.2.3. Блок-схема для формул основных физических законов.
На рисунке 3.5. изобразим блок-схему, определяющие основные физические законы для иерархии энергий и их потенциалов.
Рис. 3.5. Блок-схема основных физических законов для энергий-зарядов, потенциалов, токов.
Обозначения для рисунка 3.5.:
τ – время или время-заряд – (Секунда).
Q – электрический заряд или время-энергия 2-го уровня (Кулон).
∆I – электрический ток , разность потенциалов (Ампер).
∆U – электрическая разность потенциалов (Вольт).
∆T – тепловая разность потенциалов (Кельвин).
Е – энергия 3-го уровня или тепловой заряд (Джоуль).
Θ – энергия 4-го – (Фурье).
∆F – составной термоэлектрический потенциал - (Вольт ∙ Кельвин)
∆G – флуктуационный ток - (Ампер ∙ Вольт ∙ Кельвин)
∆P – тепловой ток или мощность - (Ватт) или (Ампер ∙ Вольт)
Рассмотрим уровни энергий. Для каждой энергии более нижний уровень является зарядом. Так, например для 2-го уровня энергий – электрической энергии, зарядом является время. Для 3-го уровня энергий – для тепловой энергии, зарядом является электрический заряд. Для 4-го уровня энергий – для уравнивающей энергии, зарядом является тепловой заряд.
Потому: тепловая энергия (по отношению к уровню 4) – это тепловой заряд, а электрическая энергия (по отношению к уровню 3) – это электрический заряд, время - как энергия (по отношению к уровню 2) – это временной заряд.
Рассмотрим тепловую (в отличие от механической см. главу 3.2.1. ) систему энергий-зарядов.
1 – й уровень.
В основании всей системы на 1-м уровне энергии и 1-м уровне энергий находится время (или магнитная энергия). Измеряется в секундах. Энергией для времени служит электрический заряд (Кулон), а потенциалом служит электрический ток (Ампер).
2 – й уровень.
На 2-м уровне находится энергия для 1-го уровня – электрическая энергия. Также на 2-м уровне находится заряд для 3-го уровня – электрический заряд. Единица измерения электрического заряда – Кулон. Потенциалом для электрического заряда служит разность электрических потенциалов, измеряемая в Вольтах. Энергией для электрического заряда является тепловая энергия.
3-й уровень.
На 3-м уровне находиться единица теплового заряда. ( Джоуль, эрг, электроновольт – единицы разных систем измерения для теплового заряда).
Её потенциалом служит разность температурных потенциалов, измеряемая в Кельвинах.
4-й уровень.
На 4-м уровне находится единица энергии, которая стремиться уравнять все потенциалы, ранее описанные.
Перечислим потенциалы:
1-й уровень – временной (или магнитный) потенциал: электрический ток. Единица электрического тока – Ампер.
2-й уровень – электрический потенциал. Единица разности электрических потенциалов – Вольт.
3-й уровень – тепловой потенциал. Единица разности тепловых потенциалов – Кельвин.
Для этих 3-х потенциалов существует 3 аналогии ( или 3 процесса релаксации):
1. Для временного потенциала – катушка с током, замкнутая через резистор.
2. Для электрического потенциала – заряженный конденсатор замкнут через резистор.
3. Для теплового потенциала – процесс остывания нагретого тела. (Закон Ньютона-Рихмана.)
Все три явления описываются аналогичным экспоненциальными зависимостями от времени.
Первому потенциалу соответствует магнитное поле.
Второму потенциалу соответствует электрическое поле.
Третьему потенциалу соответствует тепловое поле.
Чтобы обнаружить 4-й потенциал, требуется более высокий (5-й) уровень энергии. Математически это выразить возможно, но в реальности, с помощью физического эксперимента этот уровень энергии ещё не обнаружен.
Основные потенциалы:
∆I – электрический ток,
∆U – электрическое напряжение,
∆T – температурный напор, или тепловое наряжение.
Составные потенциалы:
Составной термо-электрический потенциал:
(3.2.3.,01)
Составной электро-магнитный потенциал:
(3.2.3.,02)
Составной термо-магнитный потенциал:
(3.2.3.,03)
Составной термоэлектрический потенциал преобразуется в ток (разность токов). Пример: термопара.
Составной электромагнитный потенциал преобразуется в тепло (разность температур). Пример: излучение звёзд, планет и спутников. Так, например, излучение Солнца нагревает Землю посредством разности составных электромагнитных потенциалов. И в то же время любая разность температур создаёт излучение электромагнитного поля – инфракрасное излучение.
Составной термомагнитный потенциал преобразуется в напряжение (разность напряжений). Пример: магнитный гидродинамический генератор.
Следует заметить, что все токовые потенциалы (∆I, ∆G, ∆P) всегда имеют числовое значение, если движение (перенос) в системе существует. Потому, такие единица как ∆I, ∆G, ∆P имеет смысл обозначать без знака ∆, так, как мы уже привыкли I, G, P. На рисунке 3.6. отобразим это изменение.
Рис. 3.6. Блок-схема основных физических законов для энергий-зарядов, потенциалов, токов. Параметры переноса (токи) здесь обозначены без знака Δ.
На рисунке 3.6. слева мы видим составные потенциалы : I, P, G, ∆F, для которых существуют законы переноса.
Для потенциала I ( электрический ток ) существует закон переноса – закон Ома:
(3.2.3.,04),
где RE - электрическое сопротивление.
Для параметра P (тепловой ток или составной электро-магнитный потенциал) существует закон переноса – закон Фурье:
(3.2.3.,05),
где RΘ - тепловое сопротивление (величина, обратная теплопроводности).
Для потенциала ∆F (составного термо-электрического потенциала) существует закон переноса – закон о проводимости для флуктационного тока в условиях воздействия разности составных термо-электрических потенциалов:
(3.2.3.,06),
отсюда:
(3.2.3.,07),
где I - электрический ток.
В данном случае ток I является проводимостью для флуктуационного тока в условиях воздействия разности составных термо-электрических потенциалов.
