- •Новая физика электронных приборов. Владивосток
- •Общая характеристика работы
- •1. Возникновение задачи. Исследование полупроводнико-вого диода.
- •1.1. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода при прямом токе.
- •1.1.1. Теория, которая существует сегодня в физике полупровод -ников.
- •1.1.2. Методы измерения вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1.1.2.1. Основной принцип измерения вах прямого тока
- •1.1.2.2. Применение регулируемого источника напряжения при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.4. Применение амперметров при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.2.5. Измерение вах прямого тока pn-перехода с применением регулируемого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.6. Измерение вах прямого тока pn-перехода с примене-нием ступенчатого источника тока (стабилизатора тока).
- •1.1.2.3. Схема, позволяющая расширить диапазон, измеряемых токов, при измерении вах прямого тока pn-перехода.
- •1.1.3. Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов. Методы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока кремниевого полупроводникового диода.
- •1.1.4. Моделирование вольт-амперной характеристики прямого тока диода при помощи прямой в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.5. Уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода – как прямая линия в полулогарифмическом масштабе.
- •1.1.7. Вольт-амперные характеристики прямого тока в зависимости от температуры согласно уравнению Шокли.
- •1. Графики уравнения Шокли имеют вид расширяющегося пучка прямых от точки, расположенной на оси ординат.
- •2. Более низкие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua.
- •1.1.8. Зависимость вольт-амперных характеристик прямого тока от температуры, наблюдаемая при эксперименте. Расчёт математической модели.
- •1. Графики экспериментальных данных имеют вид сужающегося пучка прямых, при росте Ua на участке 2.
- •2. Более высокие температуры соответствуют более высокому току, при одном и том же Ua на участке 2.
- •1.1.9. Эмпирическое уравнение, заменяющее ошибочное уравнение Шокли для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •1.1.10. Несколько математических моделей полупроводниковых диодов
- •1.1.11. Взаимосвязь коэффициентов эмиссионного уравнения и уравнения Шокли.
- •1.1.12. Теория обратных связей. Логарифмическое уравнение как уравнение системы с отрицательной обратной связью.
- •1.1.12.1. Математика процессов обратных связей. Оос. Пос.
- •1.1.12.2. Уравнение обратной связи для линейной функции. Оос.
- •1.1.12.3. Уравнение отрицательной обратной связи для экспоненциальной функции.
- •1.2. Вывод по 1-й части .
- •2. Исследование вакуумного диода.
- •2.1. Эксперимент с. Дэшмана.
- •2.1.1. Описание эксперимента с. Дэшмана.
- •2.1.2. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая а-а′ как тепловой процесс.
- •2.1.3. Математическая обработка результатов эксперимента с. Дэшмана. Кривая b-b′ как электрический процесс.
- •2.1.4. Тепловой и электрический – два ограничивающих друг друга процесса.
- •2.1.5. Математическая модель вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым като -дом, построенная на основе эмиссионного уравнения.
- •2.1.6. Две отрицательные обратные связи в математической модели вольт-амперной характеристики анодного тока электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3. Решение задачи.
- •3.1. Теория теплового заряда.
- •3.1.1. История теории теплового заряда.
- •3.1.2. Опыт, показывающий связь между электрическими и тепловыми явлениями.
- •3.1.3. Теории теплового заряда.
- •3.1.3. 1. Что такое тепловой заряд.
- •3.1.3. 2. Две теории теплового заряда.
- •3.2.1. Построение физики от энергий.
- •3.2.2. Физические законы для системы электрического и теплового зарядов.
- •3.2.2.1. Электрический ток.
- •3.2.2.2. Параметр электрического сопротивления.
- •3.2.2.3. Тепловой ток ( мощность).
- •3.2.2.4. Температура или тепловое напряжение.
- •3.2.2.5. Второе определение теплового тока.
- •3.2.2.6. Параметр теплового сопротивления.
- •3.2.2.7. Параметр тепловой ёмкости.
- •3.2.2.8. Ток энергии 4-го уровня.
- •3.2.2.9. Составной термо-электрический потенциал (стэ-потенциал).
- •3.2.2.10. Сопротивление флуктуационному току.
- •3.2.3. Блок-схема для формул основных физических законов.
- •3.2.4. Движение энергий-зарядов во времени.
- •3.3. Вывод эмиссионного уравнения из теории об иерархии зарядов-энергий.
- •3.3.1. Преобразование эмпирического уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для вакуумного и полупроводникового диода.
- •3.3.2. Вывод эмиссионного уравнения. (Вывод уравнения вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода в зависимости от температуры. )
- •3.3.3. Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока.
- •3.3.4. Два составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристике прямого тока полупроводникового диода.
- •3.3.5. Вольт-амперная характеристика вакуумного диода с вольфрамовым катодом. Эксперимент с. Дэшмана.
- •3.3.6. Как работает математическая модель закона Ричардсона- Дэшмана.
- •3.3.7. Четыре составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристики прямого тока электровакуумного диода.
- •3.3.8. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода.
- •3.3.9. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для электровакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •3.3.10. О правильности применения экспоненциальной функции.
- •3.3.11. Вывод по 3-й части .
- •4. Новая физика электронных приборов.
- •4.1. Термоэлектроника.
- •4.1.1. Определение термоэлектроники.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •Термоэлектроника, дисциплина, изучающая эмиссию электронов или ионов с поверхности нагретого проводника, и техника, основанная на этом принципе.
- •4.1.2. Закон Видемана-Франца.
- •4.1.3. Модель атома, допускающая передачу тепла посредством электронов.
- •4.1.4. Термоэлектронная эмиссия.
- •4.1.5. Термопары.
- •4.1.6. Полупроводниковые диоды.
- •4.1.7. Транзисторы.
- •4.1.8. Электровакуумный диод.
- •4.1.9. Двухэлементные генераторы термо-эдс.
- •4.1.10. Элементы Пельтье. Трёхэлементный генератор температурного напора.
- •4.1.11. Термоэлектроника – основа для объяснения электронного управления, и принципа работы электронных приборов.
- •4.2. Принцип работы полупроводникового диода.
- •4.2.1. О теплопередаче.
- •4.2.2. Электрический процесс.
- •4.2.4. Контакт двух различных металлов - проводников.
- •4.2.5. Контакт полупроводников.
- •4.2.6. Контакт изоляторов.
- •4.3. Кристаллический детектор.
- •4.3.1. История кристаллических детекторов.
- •4.3.2. Объяснение работы кристаллического детектора теорией эдп.
- •4.3.3. Объяснение работы кристаллического детектора теорией термо-электронной эмиссии.
- •4.4. Опыт Хейнса — Шокли с точки зрения термоэлектрической теории.
- •4.4.1. Описание опыта Хейнса — Шокли.
- •4.4.2. Термоэлектрические свойства германия.
- •4.4.3. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники.
- •4.4.4. Опыт Хейнса — Шокли с позиции термоэлектроники. Дырочная теория Шокли заменяет собой термоэлектрические явления.
- •4.5. Принцип работы транзистора в схеме с общей базой и в схеме с общим эмиттером.
- •4.5.1. Принцип работы транзистора. Схема с общей базой .
- •4.5.2. Принцип работы транзистора. Схема с общим эмиттером.
- •4.6. Физическое явление – гроза.
- •4.6.1. Тепловой процесс.
- •4.6.1.1. Что такое термодинамическая система. Основной закон Вселенной.
- •4.6.1.2. Вложенность термодинамических систем.
- •4.6.1.3. Что такое нагретое тело.
- •4.6.1.4. Что такое холодное тело.
- •4.6.1.5. Что такое источник тепла.
- •4.6.1.6. Как взаимодействует источник тепла с нагретым телом.
- •4.6.1.7. Способы теплопередачи.
- •4.6.1.8. Что такое температура.
- •4.6.1.9. Климат планеты Земля. Два источника тепла планеты Земля.
- •4.6.1.10. Что такое тепловой диполь и тепловой конденсатор.
- •4.6.2. Электрический процесс.
- •4.6.2.1. Электрические атмосферные наблюдения.
- •4.6.2.2. Теплопередача и термоэлектронная эмиссия.
- •4.6.3. Гипотеза о термоэлектрическом принципе действия грозы.
- •5. Математическое моделирование в электронике.
- •5.1. Физика и математика.
- •5.1.1. Физика.
- •5.1.2. Ошибки современной физики.
- •5.1.3.Ошибки теории.
- •5.1.4. Новые приоритеты, как путь к развитию физики.
- •5.2.3. Двухмерный процессовый переход. Общее уравнение для функции процессового перехода. Внешняя функция процессового перехода.
- •5.2.4. Внешняя степенная функция процессового перехода. Показатель степени как регулятор кривизны переходного участка.
- •5.2.5. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей минимизации.
- •5.2.6. Внешняя степенная функция процессового перехода по принципу результирующей максимизации.
- •5.2.7. Задача о мини-максимизации и макси-минимизации.
- •5.2.8. Математика процессового перехода. Асимптоты.
- •5.3. Общий случай обратной связи. Присутствие отрицательной обратной связи в функции процессового перехода.
- •5.3.1. Уравнение обратной связи для степенной функции. Оос.
- •5.3.2. Общий случай обратных связей.
- •5.3.2.1. Mатематическое определение обратных связей.
- •5.3.2.2. Доказательство эквивалентности системы с оос как системы с переходом процессов.
- •5.4. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода..
- •5.4.1. Внешняя экспоненциальная функция процессового перехода. Зависимость кривизны участка перехода от масштабов функций.
- •5.5. Математическое моделирование процессов в электронных приборах.
- •5.5.1. Математическая модель процессового перехода с внешней степенной функцией для вольт-амперной характеристики вакуумного диода с вольфрамовым катодом.
- •5.5.2. Особенности математической модели процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением».
- •5.5.3. Математическая модель процессового перехода с внешним логарифмическим уравнением называемым «эмиссионным уравнением», для вольт-амперной характеристики прямого тока полупроводникового диода.
- •5.5.5. Примеры моделирования результирующей функции, для двух процессов, ограничивающих рост друг друга при эмиссионном уравнении, в качестве внешней функции.
- •5.6. Основы математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.1 Четыре основные вольт-амперные характеристики прямого тока для p-n переходов биполярного транзистора.
- •5.6.2. Условия измерений и математические модели вольт-амперных характеристик прямого тока для p-n переходов.
- •5.6.3. Способы наблюдения вольт-амперных характеристик прямого тока для pn-переходов .
- •5.6.4. Уравнение вольт-амперной характеристики pn-перехода.
- •5.6.5. Эмиссионное уравнение для прямого тока p-n перехода.
- •5.6.6. Моделирование функции fbe0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.7. Моделирование функции fbe1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.8. Моделирование функции fbk0 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.9. Моделирование функции fbk1 при помощи эмиссионного уравнения.
- •5.6.10. Инжекционный ток, как тепловой ток.
- •5.6.11. Особенности математического моделирования вольт-амперных характеристик биполярного транзистора.
- •5.6.12. Эмиссионное смещение как переход процессов.
- •5.6.14. Вывод по 5-й части.
- •16 Января 2014 г.
- •Графики вольт-амперных характеристик прямого тока полупроводниковых диодов.
- •1. Релаксация тепловой энергии нагретого тела.
- •1.1. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе закона Фурье.
- •1.2. Вывод закона Ньютона-Рихмана на основе теории зарядов-энергий.
- •1. Релаксация электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •1.1. Вывод закона релаксации электрической энергии при разряде конденсатора на резистор.
- •§ 74. Конденсатор в цепи с сопротивлением
- •1.2. Вывод закона релаксации электрической энергии, при разряде конденсатора на резистор, на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Релаксация магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •1.1. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности.
- •§ 95. Исчезновение и установление тока
- •1.2. Вывод закона релаксации магнитной энергии в катушке индуктивности на основе теории Зарядов-Энергий.
- •1. Математика пучка прямых.
- •1. Изотоковые характеристики.
- •1.1. Управление эмиссионной способностью.
- •1.2 Изотоковые характеристики в эксперименте с. Дэшмана.
- •1.3. Термоэлектронная эмиссия p-n перехода при протекании прямого тока в кремниевом диоде кд213а.
- •1.4. Изотоковые характеристики полупроводникового кремниевого диода кд213а.
- •1.4. Вывод.
- •1.1. Реостатный принцип усиления. Влияние сопротивления нагрузки на выходное напряжение.
3.3.3. Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока.
Выражение
(3.3.2.,11)
представляет собой физический закон о соотношении электрического и флуктуационного тока. Определение основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока в термоэлектрическом процессе:
При протекании электрического тока из среду в среду, с удельной энергией теплообмена на единицу электрического заряда, приходящейся на единицу электрического тока GЕд , полный флуктуационный ток GΣ, переносимый в термоэлектрическом процессе растёт в логарифмической зависимости от протекающего электрического тока, делённого
на единицу тока.
3.3.4. Два составных термоэлектрических потенциала в вольт-амперной характеристике прямого тока полупроводникового диода.
На рисунке 3.12. изобразим схему полупроводникового диода с составными термоэлектрическими потенциалами.
Рис. 3.12. Представление полупроводникового диода как системы из двух сред с двумя составными термоэлектрическими потенциалами. На рисунке обозначены: А – анод, К – катод, TF – тепловое напряжение (температура) преимущественного перемещения электронов из зоны N в зону P, которое не зависит от Ia.
∆FK - составной термоэлектрический потенциал катода.
∆FA - составной термоэлектрический потенциал анода.
Напишем формулы для составных термоэлектрических потенциалов.
(3.3.4.,01)
Формула (3.3.4.,01) характеризует поток энергии 4-го уровня в
PN-переходе.
(3.3.4.,02)
Теперь опишем сами потенциалы:
(3.3.4.,03)
(3.3.4.,04)
Отсюда можно вычислить:
(3.3.4.,05)
Если учесть
(3.3.1.,08)
то,
(3.3.4.,06)
Мы получили эмиссионное уравнение (3.3.1.,01).
Таким образом, с помощью определения составных термоэлектрических потенциалов, можно делать расчёты вольт-амперных характеристик электронных приборов.
3.3.5. Вольт-амперная характеристика вакуумного диода с вольфрамовым катодом. Эксперимент с. Дэшмана.
Об эксперименте С. Дэшмана изложено в главе 2.1.1. При поиске решения задачи, выразить оба процесса аналитически одной формулой, была найдена математическая модель. Она описывается как два ограничивающих друг друга процесса.
1. Ток анода в законе о насыщении анодного тока:
(3.3.5.,01)
2. Ток анода в «законе 3/2»:
(3.3.5.,02)
Обратные функции ограничивающих друг друга процессов:
Обратная функция от (3.3.5.,01) определяет температуру насыщения:
(3.3.5.,03)
Обратная функция от (3.3.5.,02) определяет напряжение барьера объёмного пространственного заряда:
(3.3.5.,04)
Ток анода в электровакуумном диоде в эксперименте С. Дэшмана моделировался следующей формулой:
(3.3.5.,05)
где:
TF =(Ln ( IA/1А) +27,325 ) / 1,047∙10-2 ;
UB = ( IA / 9,215∙10-5) 2/3 ;
UD = 0,01 Вольт;
KT = 0,0956 Вольт-1 ∙ Кельвин-1;
T > TF ;
T – температура катода;
UA - напряжение на аноде;
IA – ток анода.
3.3.6. Как работает математическая модель закона Ричардсона- Дэшмана.
Температура TF определяет некоторую температуру насыщения.
При TF = T наступает явление насыщения. (T – температура катода.) И предельный ток, называемый «током насыщения» , вычисляется по формуле (см. (3.3.5.,01)) :
(3.3.6.,01)
Отсюда следует:
(3.3.6.,02)
Это выражение может быть приведено к виду выражения (3.3.1.,10):
(3.3.6.,03)
далее:
(3.3.6.,04)
Мы привели выражение (3.3.6.,01) к эмиссионному уравнению, имеющего вид уравнения (3.3.1.,10).
(3.3.1.,10)
где
ΔF2=0,109 ∙ (TF-2609,8);
0.109 В - некоторое напряжение;
2609,8К – температура;
ΔF1=0;
KT= 0,0956 Вольт-1 ∙ Кельвин-1 – коэффициент;
TF – температура (тепловое напряжение) электронов в вакууме;
IA – ток анода.
При TF = T ток IA представляет собой ток насыщения IAN . Мы получили уравнение, которое заменяет уравнение Ричардсона-Дэшмана и само является эмиссионным уравнением. Рассмотрим, почему уравнение Ричардсона – Дэшмана предоставляет нам другую математическую модель. Привожу это уравнение, как оно выглядит в одной из лабораторных работ:
(3.3.6.,05)
Здесь T – температура катода.
Узнаём, что A для вольфрама = 4,52 эВ
Зная, что J – плотность тока насыщения, переведём её в ток насыщения, умножив на коэффициент KS.
(3.3.6.,06)
Переведём к логарифмическому виду:
(3.3.6.,07)
Отсюда мы видим, что Ln(KS) + Ln(B) представляет собой некоторую постоянную и её всегда можно вычислить. Оставшаяся часть без постоянной, имеет вид:
(3.3.6.,08)
y = Ln( T2 ) - A/(k ∙ T) (3.3.6.,09)
Постоянная Больцмана в электроновольтах имеет вид:
k = 8,617343·10-5 эВ·К-1 ;
Перепишем уравнение в более простой форме:
Отношение H = A/k = 4,52 / 8,617343·10-5 = 5,245236·104
(3.3.6.,10)
С – некоторая постоянная.
Уравнение Ричардсона-Дэшмана должно моделировать прямую A-A (см. рис. 1.3.) на графике в полулогарифмическом масштабе.
При С = 4,1 уравнение Ричардсона-Дэшмана пытается моделировать прямую линию. Видно, что при малых токах происходит несовпадение с экспериментальными данными эксперимента Дэшмана. (см. рис. 3.14.)
В чём я вижу несоответствие закона Ричардсона-Дэшмана опыту:
Во-первых, уравнение Ричардсона-Дэшмана было выведено из статистического уравнения распределения электронов по энергиям. И там температура была в знаменателе! Здесь привожу реальный вид уравнения:
(3.3.6.,11)
Так и следует его писать. То есть здесь распределение электронов по энергиям ничего общего не имеет с распределением Максвелла. Начинали выводить согласно статистическому распределению Максвелла, а в результате получили уравнение (3.3.6.,11) , что соответствует совсем другому статистическому распределению.
Во-вторых, уравнение Ричардсона-Дэшмана пытается моделировать прямую линию и весьма неудачно. Когда, просто проведенная прямая совпадает с большим количеством точек .
На рисунке 3.13. представлены экспериментальные данные в полулогарифмическом масштабе.
Рис. 3.13. Кривая А-А’ из эксперимента С. Дэшмана, в полулогарифмическом масштабе имеет вид прямой линии.
На рисунке 3.14. построена мат. модель для экспериментальных данных (для эксперимента С. Дэшмана) через уравнение Ричардсона-Дэшмана:
(3.3.6.,10)
при С = 4,1
Рис. 3.14. Кривая А-А’ из эксперимента С. Дэшмана, в полулогарифмическом масштабе имеет вид прямой линии. Поверх неё построена математическая модель согласно закону Ричардсона-Дэшмана :
Сравните, как на рисунке 3.15. экспериментальные данные моделируются с помощью прямой линии:
(3.3.6.,12)
IAN – ток насыщения.
Рис. 3.15. Кривая А-А’ из эксперимента С. Дэшмана, в полулогарифмическом масштабе имеет вид прямой линии. Поверх неё построена математическая модель в виде прямой :
В отличие, от уравнения Шокли, уравнение Ричардсона – Дэшмана описывает не семейство характеристик при изменении температуры, а всего одну прямую для определенного катода (и возможно для анода – ведь есть же в эмиссионном уравнении температурный напор). Уравнение Ричардсона-Дэшмана нуждается в экспериментальной проверке. Закон Ричардсона-Дэшмана заменяет собой некоторое явление природы, создаёт псевдо-физический смысл явлению термоэлектронной эмиссии, представленными в уравнении константами и размерностями.
Я предлагаю более простую альтернативную математическую модель для эксперимента Дэшмана (и соответственно модель для тока насыщения вакуумного диода):
(3.3.6.,03)
0,109 Вольт - некоторое напряжение.
2609,8 Кельвин – температура.
0,095 Вольт-1 ∙ Кельвин-1– коэффициент.
T – температура катода.
IAN – ток насыщения анода.
В случае, если рассматривается эмиссионное уравнение ( задаётся условие: IA = IAN), то выражение для тока анода имеет следующий вид:
(3.3.6.,13)
Закон Ричардсона – Дэшмана для вольфрамового катода создаёт математическую модель для тока насыщения. Уравнение Шокли, в отличие от уравнения Ричардсона – Дэшмана является ложной математической моделью, так как, не проходит экспериментальную проверку. Общее для этих двух моделей – это то, что в их формулах присутствует экспонента. Экспоненты в формулах Шокли и закона Ричардсона – Дэшмана возникают в уравнениях из-за действия закона для электрического тока в условиях СТЭ-потенциалов при протекании флуктуационного тока (или теплопередачи) - см. выражение (3.3.1.,10).
(3.3.1.,10)
Выражение (3.3.1.,10) выводится из теории зарядов-энергий (3.3.2.,19) :
(3.3.2.,19)
