Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Кураев А.А., Попкова Т.Л., Синицын А.К. Электродинамика и распространение радиоволн

.pdf
Скачиваний:
342
Добавлен:
02.05.2014
Размер:
5 Мб
Скачать
☆

10.6.3Пример использования метода неортогональных рядов: расчет характеристик области сильной связи трехдецибельного

направленного ответвителя

Для создания трехдецибельных направленных ответвителей (НО) на связанных полосковых линиях используются смещенные линии (рис. 10.15а). Полоса перекрытия НО более октавы реализуется каскадным соединением отрезков связанных линий с различной степенью связи в каждом каскаде. При увеличении числа каскадов в симметричном НО расширяется полоса рабочих частот и одновременно степень связи в его центральном каскаде. Следовательно, широкополосность симметричных НО ограничена возможностью реализации сильной связи.

Максимальная величина связи достигается при конфигурации нулевого смещения (рис. 10.15б), т.е., когда полоски расположены одна над другой.

Часто при проектировании НО на смещенных линиях пользуются формулами, полученными методом конформных преобразований, предполагая, что пространство внутри экрана заполнено однородным диэлектриком. Ис-

Рис. 10.15.

пользование прокладок из материалов с диэлектрической проницаемостью ε1, даже слабо отличающейся от проницаемости подложек ε2, ведет к ошибке в нахождении волновых сопротивлений честной и нечетной мод порядка 2-5%. Расчеты на ЭВМ показывают, что это приводит к увеличению девиации переходного ослабления относительно расчетного значения на 0,2-0,5 дБ. Кроме того, имеются ограничения на геометрические размеры связанных линий:

181

W

 

 

W

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

0

≥ 0.7;

 

 

 

 

≥ 0.35 .

S

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

1

−

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

Анализ этих ограничений показывает, что существует предел максимальных значений волновых сопротивлений, достоверно полученных таким методом. Поэтьому метод конформных преобразований не позволяет точно определить геометрические параметры линий для высоких значений волновых сопротивлений четной моды, необходимые для создания сверхширокополосных симметричных НО.

Расчет же с помощью метода неортогональных рядов не связан с каки- ми-либо ограничениями, накладываемыми на геометрию линий и характеристики материалов прокладки и подложек. Будем рассчитывать полностью экранированную модификацию линии (рис. 10.17в), что более удобно для применения метода, и при достаточно большом а не приводит к ощутимым погрешностям.

Эффективная диэлектрическая проницаемость и волновое сопротивление четной и нечетной мод вычисляется по формулам

 

++

 

ρ(ε)+ ρ12

(ε)

;

+−

ρ(ε)− ρ12

(ε)

 

εэфф =

 

 

 

εэфф =

 

 

 

;

ρ(1)+ ρ

(1)

 

ρ(1)− ρ

(1)

 

 

 

 

12

 

 

 

1

12

 

 

 

Z

++

= Z0

[ρ(ε)+ ρ

 

 

 

 

 

 

 

(ε)][ρ(1)+ ρ (1)];

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

12

 

 

 

Z

+−

= Z0

[ρ(ε)− ρ

 

1

 

 

 

 

 

 

(ε)][ρ(1)ρ (1)];

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

12

 

 

 

где Z0 - волновое сопротивление вакуума;

ρ(ε)= C(ε),

ρ

(ε)=

C12 (ε)

;

 

ε0

12

ε0

 

 

 

 

C ++ (ε)= C(ε)+ C

(ε), C +− (ε)= C(ε)− C (ε).

12

12

Емкости C (ε) и C12(ε) определяются следующим образом:

−ε0

X 2

 

 

 

∂ϕ

 

 

 

∂ϕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∫

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε1 ∂z

 

 

− ε2 ∂z

 

 

 

 

C(ε)= V

 

 

 

 

 

 

 

 

dx ,

 

0

X1

 

 

 

 

 

 

 

 

Z →+0

 

 

 

 

 

 

Z →−0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε0

X 2

 

 

 

 

∂ϕ

 

 

 

 

 

 

 

∂ϕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∫

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε21

∂z

 

 

 

 

− ε1 ∂z

 

 

 

 

C12 (ε)= V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dx ,

0

X1

 

 

 

 

 

 

 

 

Z →−S +0

 

 

 

 

 

 

 

Z →−S −0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

182

где x =

(a −W )

;

x

2

=

(a +W )

 

; V0 - потенциал полоски.

 

 

1

2

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Поля ϕ1 и ϕ2 представим разложениями по неортогональному базису

 

 

ϕ1(X , Z )=V (X , Z )+ ∑∞ αm(1)Um (X ,Z )+ ∑∞ βm(1)Vm (X , Z ),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m=0

m=0

 

 

ϕ2 (X ,Z )= ∑∞ αm(2)Um (a − x,−s − z)+ ∑∞ βm(2)Vm (a − x,−s − z),

 

 

 

 

 

 

m=0

 

m=0

где базисные функции Um(X, Z), Vm(X, Z) являются решениями ключевых задач электростатики (п.10.6.2) и имеют вид

Um (X ,Z )= cos(γ m x)eγ m Z + ∑∞ C(pm)cos(γ p x)eγ p Z ,

p =0

Vm (X ,Z )= cos(γ m x)e−γ m Z + ∑∞ B(pm)cos(γ p x)emγ p Z ,

p =0

а функция V(X, Z) представляется в виде

V (X ,Z ) ∞ Ap cos( p x)emγ p Z ,

= ∑ γ

p =0

где γ m = (2m + 1)π ; знаки «+» и «–» соответствуют областям ε1 и ε2. Выраже- a

ния для C(pm), B(pm), Ap приведены в п.10.6.2, а коэффициенты αm(1, 2), βm(1, 2) вычисляются из бесконечных систем линейных алгебраических уравнений второго рода с вполне непрерывным оператором. Эти системы решаются на ЭВМ методом редукции (усечения).

Втабл.10.2 приведены результаты расчета Z++,Z+– и величин ε+эфф+ и

ε+эфф− связанных полосковых линий с полной лицевой связью при заданных

геометрических размерах и величин εr

материалов. Эти данные были ис-

пользованы

для

 

изготовления

экспериментального

макета

(Zсогл = (Z ++ Z +−)1/ 2 ).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Табл. 10.2

ε1

ε2

Н,

 

S,

W,

ε++

 

ε+−

Z++,

Z+–,

Zсогл,

 

 

 

мм

 

мм

мм

эфф

 

эфф

Ом

Ом

Ом

 

 

 

 

 

 

 

 

2.8

3.1

1.5

 

0.04

0.36

3.062

 

2.811

10.81

219.7

48.737

 

В табл.10.3, 10.4 приведены примеры расчета полосковых линий с полной лицевой связью при согласовании на 60 и 165 ОМ. Из табл. 10.4 видно, что при определенных соотношениях относительно диэлектрических прони-

183

цаемостей подложек и прокладки можно получить повышение волнового сопротивления четной моды.

Погрешность расчета волнового сопротивления и эффективной диэлектрической проницаемости линии методом неортогональных рядов определяется порядком редукции N. Следует отметить, что соотношения геометрических размеров рассматриваемой линии являются неблагоприятными с точки зрения сходимости метода редукции (малая толщина прокладки по сравнению с шириной полосок), поэтому порядок решаемой системы значителен. Сходимость метода редукции иллюстрируется табл.10.5. В качестве оценки абсолютных погрешностей величин, приведенных в табл.10.2, можно принять их приращения при увеличении N с 72 до 80.

Табл. 10.3

Примеры расчета полосковых линий с полной лицевой связью при согласо-

 

 

вании на 50 Ом: ε1=2.8; ε2=3;

N =10; I=300

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

а,

d1,

 

∆,

b1,

ε++

ε+−

 

Z++,

Z+–,

Zсогл,

мм

мм

 

мм

мм

эфф

эфф

 

Ом

Ом

Ом

 

 

 

 

4

0.37

 

0.04

1.5

2.9788

2.8054

 

10.7665

226.831

49.4184

4

0.41

 

0.05

2

2.9769

2.8083

 

11.6774

218.437

50.4836

4

0.41

 

0.05

1.5

2.9767

2.8086

 

11.6607

205.127

48.9073

2

0.2

 

0.02

2

2.9804

2.8044

 

10.1102

250.613

50.3364

2

0.2

 

0.02

1.5

2.9801

2.8044

 

10.1097

248.379

50.1102

6

0.42

 

0.06

2

2.9742

2.8118

 

13.0443

204.293

51.6224

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Табл. 10.4

Примеры расчета полосковых линий с полной лицевой связью при согласо-

вании на 165 Ом; ∆=1мм, b1=20мм,

N =10; I=300; ε1=1

 

 

 

 

 

 

4

 

 

а,

ε2

d1,

ε++

ε+−

 

Z++,

Z+–,

Zсогл,

мм

 

мм

эфф

эфф

 

Ом

Ом

Ом

 

 

 

 

10

1

1.2

1

1

 

86.0743

315.313

164.744

10

1.2

0.95

1.139

1.041

 

89.217

312.415

166.93

10

1.35

0.915

1.2435

1.0736

 

86.147

305.871

162.326

10

1.5

0.903

1.351

1.107

 

86.4038

315.414

165.08

10

1.7

0.89

1.487

1.145

 

85.53

322.078

165.97

10

1.85

0.7

1.603

1.212

 

88.85

309.711

165.088

9

2

0.6

1.652

1.226

 

89.415

288.257

160.545

8

5

0.3

3.260

1.8743

 

97.775

279.881

162.006

Табл. 10.5

184

Иллюстрация сходимости метода редукции

 

 

 

 

 

 

 

Z++,

 

ε1

ε2

N

I

ε++

ε+−

Z+–,

 

 

 

 

эфф

эфф

Ом

Ом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.8

3.1

24

500

2.974

2.821

 

27.099

203.276

2.8

3.1

32

500

2.990

2.816

 

20.498

210.518

2.8

3.1

40

500

3.007

2.813

 

16.469

214.910

2.8

3.1

48

500

3.023

2.812

 

13.991

217.492

2.8

3.1

56

500

3.038

2.811

 

12.483

218.899

2.8

3.1

64

500

3.049

2.811

 

11.589

219.527

2.8

3.1

72

500

3.056

2.811

 

11.081

219.721

2.8

3.1

80

500

3.062

2.811

 

10.8109

219.715

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 10.16.

Табл.10.6

Зависимость точности решения от числа слагаемых при вычислении базисных функций

 

 

 

 

 

 

Z++,

 

ε1

ε2

N

I

ε++

ε+−

Z+–,

 

 

 

 

эфф

эфф

Ом

Ом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.8

3.1

80

200

3.062

2.809

10.995

229.270

2.8

3.1

80

300

3.062

2.810

10.901

224.364

2.8

3.1

80

400

3.062

2.811

10.851

221.783

2.8

3.1

80

450

3.062

2.811

10.829

220.627

В качестве примера была поставлена задача разработки симметричного НО в диапазоне частот 140-1280 МГц (коэффициент перекрытия χ=9,1) с переходным ослаблением A=3±1 дБ. Для изготовления подложек использовался флан (ε1=2.8) толщиной Н=1,5 мм, для прокладки - полиамид (ε2=3.1) толщиной S=0,004 мм. Общая длина области связи НО 18,6 см. для уменьшения геометрических размеров НО область связи была выполнена П-образной формы (рис.10.18).

Частотная характеристика переходного ослабления НО, измеренная на панорамном измерителе КСВ, приведена на рис. 10.17.

185

Из рис. 10.19 видно, что измеренное переходное ослабление НО в требуемом диапазоне частот находится в заданных пределах.

Таким образом, метод проектирования сверхширокополосковых трехдецибельных направленных ответвителей, основанный на строгом расчете каскада сильной связи методом неортогональных рядов, позволяет пректировать НО с учетом различия диэлектрических проницаемостей материалов подложек и прокладок в области сильной связи.

10.7. Копланарная линия передачи

Копланарная линия (КЛ) передачи относится к линиям квазиоткрытого типа, в которой распространяются волны квази-Т и Н типа. Токонесущие про-

водники КЛ образованы узким проводником и двумя полубесконечными слоями металла, расположенными на одной стороне диэлектрической подложки.

Структуры электромагнитных полей в КЛ для четного типа волн приведены на рис. 10.20,а, для нечетного – на рис.10.20,б. Распределение продольных токов в поперечном сечении КЛ представлено на рис.10.20,в,г, а распределение токов на проводящих слоях – на рис.10.20,д,е.

Для изотропной подложки погонная емкость рассчитывается с помощью формулы, полученной методом конформных отображений:

C = 2(ε +1)ε0 K(k )/ K '(k ),

(4.7.1)

где K '(k )= K(k'), k = a / b , k'= (1 − k 2 )1/ 2 .

 

1

1

 

Рис. 10.17.

186

Рис. 10.18.

Результаты расчета емкости КЛ на единицу длины в отсутствии диэлектрической подложки представлены в табл.10.7.

Табл.10.7

a/b

C, пФ

 

 

0.2

1.6529

0.4

2.1838

0.6

2.7566

0.8

3.5804

10.8. Четная и нечетная моды в связанных полосковых линиях

Пусть в симметричной либо микрополосковой линии две металлические полоски равной ширины располагаются, как показано на рис. 10.20. Электрические поля, возникающие вокруг этих проводников, существуют не только в непосредственной близости от каждого из них, поэтому появляется взаимодействие между ними за счет краевых полей, величина которых зависит от разности потенциалов между проводниками, формы проводников, расстояния между проводниками и параметров диэлектрической подложки.

187

Взаимодействие, обусловленное краевыми полями, используется в таких устройствах, как направленные ответвители, а также во многих типах фильтров. Для получения требуемой характеристики в фильтре используются связанные отрезки линии передачи, резонирующие на определенной частоте и расположенные определенным образом.

Возможны два способа возбуждения проводников: оба центральных проводника находятся под одним и тем же потенциалом, равным, например,

Рис. 10.19.

+1В (четная мода), либо потенциал одного из проводников +1, а второго –1В (нечетная мода). Тогда на оси симметрии (штрихпунктирная линия на рис. 10.19) будут располагаться «магнитная» стенка при возбуждении четной моды и электрическая стенка при возбуждении нечетной моды. Во всх связанных вдоль бокового торца (боковая связь) линии могут существовать четная и нечетная моды. Коэффициент связи между линиями, как правило, может быть выражен через волновое сопротивление четной и нечетной мод. Следующие соотношения устанавливают связь между этими величинами:

коэффициент связи С(дБ)=20lg(Ku)=-20lgC0;

где Ku – коэффициент связи по напряжению; волновое сопротивление для четной моды

1/ 2

ZВЧ = ZВ 1+ C0 , (10.47)

1−C0

волновое сопротивление для нечетной моды

1/ 2

ZВН = ZВ 1−C0 ; (10.48)

1+ C0

188

ZВ = (ZВЧ ZВH )1/ 2 .

(10.49)

Указанные соотношения строго выполняются для Т-волн, например, в коаксиальной или симметричной полосковой линии, где постоянные распространения четной и нечетной мод равны.

В микрополосковой линии каждая из этих мод, строго говоря, имеет свой коэффициент распространения и свою фазовую скорость, поэтому равенствами (10.47) – (10.49) можно пользоваться лишь как приближенными.

Простейшая реализация связанных симметричных полосковых линий (СПЛ) изображена на рис.10.21 б, где оба центральных проводника расположены на равном расстоянии от внешних проводников и настолько близко друг к другу, что возникает их взаимное влияние.

При t<0,1 и W/b>0,35 формулы для анализа имеют вид

(ε )1/ 2 ZВЧ = 30π (b −t )/ (W + (bC / 2π )AЧ )

,

 

 

 

 

ВH

 

 

(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(ε )1/ 2 Z

 

 

 

 

 

 

H )

 

 

 

 

 

= 30π (b −t )/ W

+ (bC / 2π )A ,

 

 

 

где

 

ln(1+ thθ )

 

 

 

 

 

ln(1+ cthθ )

 

 

 

 

 

 

A =1+

;

A =1+

;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ч

 

 

0,6932

 

H

 

 

0,6932

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(2b −t ) .

 

 

 

 

 

2b −t

 

t

θ = (πS / 2b); C = 2ln

 

 

−(t / b)ln

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(b −t )2

 

 

 

 

 

b −t

 

 

 

Формулы для синтеза имеют вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

W / b = (2 /π )arсth(kЧ kH ),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

− k

 

 

 

1/ 2

 

 

 

 

 

S / b = (2/π )arсth

 

 

 

Ч

(k / k

 

 

)

 

,

 

 

 

 

 

 

H

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ч

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

− kH

 

 

 

 

 

 

 

где

(10.50)

(10.51)

189

 

 

 

exp(π x

 

 

)−

2

 

4 1/ 2

 

 

 

 

 

k

 

= 1

−

 

 

 

 

Ч

 

 

 

 

 

 

 

при 1≤

х

 

≤ ∞;

 

exp

(π x

 

 

)+

2

 

 

Ч

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ч

 

 

 

 

 

 

 

 

Ч

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

exp(π xН )− 2

4 1/ 2

 

 

 

 

 

k

 

= 1

−

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

при 1≤ х

 

≤ ∞;

Н

 

exp(π x

 

 

 

)+ 2

Н

 

 

 

 

 

Н

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

exp(π x

 

)− 2

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kЧ

=

 

 

 

 

Ч

 

 

 

 

 

 

при 0 ≤ хЧ ≤1;

 

 

 

exp(π x

 

)+ 2

 

 

 

 

 

 

 

 

Ч

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kH

 

exp(π xН )−

2

2

при 0 ≤ хН ≤1;

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

exp(π xН )+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

х

=

ZВЧ (ε )1/ 2

; x

H

 

=

ZВH (ε )1/ 2

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ч

 

 

 

 

30π

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30π

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приближенный синтез микрополосковых линий (рис.10.21 а) можно выполнять, имея зависимость величины ZВЧ и ZВH от параметра W/h при различных значениях S/h и заданном значении ε. Затем рассчитываются те же зависимости, но при воздушном заполнении, что позволяет определить фазовую скорость и длину волны каждой из мод. (Так как у диэлектриков µ =1, погонная индуктивность линии в первом приближении не зависит от характера диэлектрического заполнения).

Действительно,

ZВЧ =υфЧ L, ZВH =υфН L,

 

 

ZВЧвозд = cL,

ZВНвозд = cL,

 

 

 

те. .

 

 

 

 

 

 

 

υфЧ = cZВЧ / ZВЧвозд,

 

 

 

 

υфH = cZВH / ZВвоздH

 

 

 

 

и

 

 

 

 

 

 

 

λ

=υ

фЧ

/ f = cZ

ВЧ

/ fZ

возд,

(10.52)

Ч

 

 

 

ВЧ

 

λH =υфH / f = cZВH / fZВвоздH ,

где f – рабочая частота.

Воспользуемся для примера графиками, построенными в (рис.10.22). Пусть перед нами стоит задача определить величины W и S в связан-

ных микрополосковых линиях, если заданы толщина подложки h=0,25 мм, ее относительная диэлектрическая проницаемость ε=2,3, коэффициент связи С=-10 дБ, рабочая частота f=1 ГГц и волновое сопротивление питающей линии ZВ =50 Ом.

Из соотношений (10.47) – (10.49) определяем величины

190