- •Конспект лекций по дисциплине «Физическая химия твердого тела» Направление подготовки
- •240100 Химическая технология
- •Магистерская программа
- •1. Введение. Основные цели и задачи физической химии твердого тела.
- •2. Кристаллография
- •Координаты точек и линий в элементарной ячейке.
- •Симметрия элементарной ячейки.
- •3. Кристаллохимия.
- •Основные виды гексагональных структур.
- •4.Дефекты кристаллической решетки. Точечные дефекты (дефекты I рода).
- •Температурные дефекты.
- •Структуры разрыхления. Дефекты по Шотки.
- •Структуры смещения. Дефекты по Френкелю.
- •Протяженные дефекты (дефекты II рода).
- •Дислокации. Дислокацией называется область дефектов решетки, простирающейся вдоль некоторой линии (линии дислокации). Краевые дислокации.
- •Винтовые диислокации.
- •Расчет дефектности.
- •Определение объема приходящегося на дефекты I и II рода.
- •Взаимодействие точечных и протяженных дефектов.
- •Источник Франка – Рида.
- •5. Методы исследования твердого тела Рентгенофазовый анализ
- •Возникновение непрерывного и линейчатого (атомного) спектра.
- •Закон Мозели.
- •Четыре квантовых числа.
- •Принцип Паули.
- •Основные сведения по физике рентгеновских лучей. Спектры испускания лучей.
- •Спектры поглощения рентгеновских лучей.
- •Рассеяние свободным электроном.
- •Эффект Комптона.
- •Фотоэффект.
- •Суммарное поглощение рентгеновского излучения веществом.
- •Спектры поглощения рентгеновского излучения.
- •Дифракция рентгновских лучей
- •Вывод уравнения Лауэ.
- •Вывод уравнения Вульфа – Брэгга.
- •Аппаратура для рентгененофазового анализа Принципиальная схема рентгеновской установки типа дрон.
- •Выбор основных параметров съемки дифрактограмм на рентгеновской установк типа дрон.
- •Приготовление образцов для проведения рентгенофазового анализа.
- •Съемка дифрактограмм. Метод Брентано.
- •Съемка рентгенограмм в монохроматическом излучении
- •Идентифкация вещества по межплоскостным расстояниям.
- •Индицирование рентгенограмм порошка.
- •Критерии правильности индицирования рентгенограмм.
- •Обратная решетка.
- •Индицирование рентгенограмм порошка. Индицирование рентгенограмм кубических веществ. Закон погасания.
- •Индицирование рентгенограмм в случае средних сингоний.
- •Аналитический метод индицирования рентгенограмм ромбических кристаллов (метод Хесса - Липсона).
- •Индицирование дебаеграмм методом Ито.
- •Метод подбора изоструктурного соединения.
- •Метод гомологии расшифровки рентгенограмм.
- •Переход от кубической ячейки к гексагональной.
- •Политипия. Интерпретация рентгенограмм слоистых структур со сложным характером чередования связей.
- •Источники ошибок в определении межплоскостных расстояний.
- •Зависимость точности в определении межплоскостного расстояния d от угла отражения .
- •Поправка на преломление.
- •Определение размеров кристаллитов и микронапряжений.
- •Метод определения областей когерентного рассеяния (окр).
- •Растровая электронная микроскопия (рэм, сэм) и рентгеноспектральный микроанализ (рсма).
- •Физические основы растровой электронной микроскопии
- •Формирование изображения в рэм.
- •Сканируемая область в зависимости от увеличения.
- •Глубина фокуса
- •Передача изобажения в цифровой форме и их обработка
- •Контраст
- •Контраст зависящий от атомного номера (контраст от состава, сигнал отраженных электронов)
- •Контраст от состава образца (режим вторичных электронов)
- •Компоненты контраста.
- •Ограничения разрешения.
- •Рентгеноспектральный микроанализ Физические основы рентгеноспектрального микороанализа
- •Устройство и работа рентгеноспектрального микроанализатора
- •Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним
- •Технические возможности рентгеноспектрального микроанализатора
- •Технические возможности сканирующего туннельного микроскопа
- •Требования к объектам исследования и методы их подготовки
- •Области использования сканирующей туннельной микроскопии
- •Развитие микроскопии ближнего поля и расширение области её применения
- •Программное обеспечение. Форма сохранения и выдачи информации
- •Термический анализ.
- •Термогравиметрический анализ (тга).
- •Дифференциально – термический анализ (дта).
- •Применение дта и тга.
- •Пример разложения каолина Al4(Si4o10)(oh)8.
- •Изучение стеклообразования методом дта.
- •Некоторые особые области применения дта.
- •Спектральные методы исследования твердых тел
- •Спектроскопия видимого излучения и уф – спектроскопия.
- •Спектроскопия ямр (ядерно-магнитного резонанса).
- •Спектроскопия эпр(электронный парамагнитный резонанс).
- •Электронная спектроскопия эсха, рфс, уфс, Оже-спектроскопия, схпээ.
- •Ядерная - резонансная (Мессбауэровская ) спектроскопия.
- •Спектроскопия комбинационного рассеяния света (кр, крс, Раммановская спектроскопия).
- •Рассеяние света.
- •Колебания, модуляции, спекры.
- •Комбинационное рассеяние и поглощение света.
- •Основные параметры линий комбинационного рассеяния.
- •Применение комбинационного рассеяния в химии.
- •Установление химического строения молекул.
- •Исследование микроскопических образцов методом крс.
- •Металлический кремний (Si) – 103 – 10-5 10-10 Ом-1см-1,
- •Уравнение Шредингера для твердого тела
- •Основы зонной теории твердых тел Классификация твердых тел по величине электропроводности Твердое тело
- •Одноэлекторонное приближение
- •Функции Блоха
- •Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Зоны Бриллюэна.
- •Построение зон Бриллюэна в простой кубической решетке с параметром а
- •Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •Физические свойства кристаллов и методвы их определения Электрические свойства тел. Основные свойства металлов. Электропроводность.
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Влияние примесей и дефектов
- •Сверхпроводимость
- •Электропроводность металлов
- •Электрон в кристалле всегда подчиняется функции Блоха
- •Собственная проводимость полупроводников.
- •Концентрация носителей
- •Равновесная концентрация дырок в валентной зоне
- •Концентрация дырок, с учетом всех выкладок, будет равна
- •Подвижность в собственном полупроводнике
- •Проводимость примесных полупроводников
- •Концентрация носителей
- •Подвижность
- •Электропроводность диэлектриков.
Термический анализ.
Под термином “термический анализ” понимают изменение физических или химических свойств материалов в зависимости от температуры.
Основными разновидностями термического анализа являются термогравиметрический анализ (ТГА) и дифференциальный термический анализ (ДТА). В рамках первого осуществляется автоматическая регистрация изменения массы образца в зависимости от температуры или времени. В методе ДТА измеряют разницу температур T исследуемого материала и эталона.
Термогравиметрический анализ (тга).
Термогравиметрия – метод основанный на изменении массы вещества в зависимости от температуры или времени.
Образец массой wi нагревается с постоянной скоростью (1 – 20 0C/мин) до температуры Ti при которой начинается разложение, масса образца постоянна. В условиях реального эксперимента процесс разложения протекает в интервале температур Ti - Tf. Выше Tf кривая потери массы горизонтальна и параллельна линии температуры. Величины wi, wg, w – основные экспериментальные характеристики, которые используются для количественных расчетов изменения состава системы. Влияние окружающей среды может быть существенным.
Дифференциально – термический анализ (дта).
ДТА основан на сравнении температуры образца с температурой эталлона в процессе запрограммированного измерения температуры. Температуры исследуемого образца и эталона должны быть одинаковыми до начала фазовых превращений, таких как плавление, разложение или изменение кристаллической структуры, происходящее в образце. В течение этих процессов температура либо отстает (эндотермический процесс), либо опережает (экзотермический процесс) температуру эталона.
На рис. показаны два способа регистрации результатов термического анализа
Если образец нагревается с постоянной скоростью (рис. а) и его Tsизменяется непрерывно, то зависимость температуры (рис. б) от времени линейна до начала эндотермического эффекта (до точки плавления Ts). Далее вплоть до завершения плавления температура остается постоянной. Термический эффект проявляется в виде горизонтального участка (отклонения от основной наклонной линии). На рис. в приведена схема установки используемой в дифференциально-термическом анализе (ДТА).
Пока температуры эталона и образца одинаковы, их термо-ЭДС дифференциальной термопары равны 0. При возникновении процессов с изменением температуры T (сопровождается тепловыми эффектами) возникает некоторая разность температур T между образцом и эталоном, которая регистрируется в виде нулевой величины. Когда в изучаемом объекте начинаются процессы, сопровождающиеся тепловыми эффектами, возникает разность температур T между образцом и эталоном, которая регистрируется в виде ненулевой величины ЭДС дифференциальной термопары. Обычно используется и третья термопара, которая измеряет температуру нагревания блока. В результате получают зависимость T от температуры (рис. г). На горизонтальной линии (базовой) при T=0, заметен острый пик, связанный с тепловым эффектом в исследуемом образце. Температуру этого теплового эффекта принимают либо T1 (температура начала отклонения от нулевой линии) либо T2 (температура максимального отклонения от базовой линии). Температуру теплового эффекта выражают через T2. Аппаратурно величину пика на зависимости T=f(T) можно значительно усилить, что дает возможность усилить любой минимальный тепловой эффект.
Приборы ДТА. Интервал рабочих температур 190 – 16000С. образец берется в небольшом количестве (несколько миллиграммов) что дает возможность ликвидировать температурный градиент во всем образце. Скорость нагрева 1- 50 0С/мин. При меньших скоростях чувствительность метода уменьшается, т.к. в некоторых случаях T уменьшается с понижением скорости нагрева.
