- •Конспект лекций по дисциплине «Физическая химия твердого тела» Направление подготовки
- •240100 Химическая технология
- •Магистерская программа
- •1. Введение. Основные цели и задачи физической химии твердого тела.
- •2. Кристаллография
- •Координаты точек и линий в элементарной ячейке.
- •Симметрия элементарной ячейки.
- •3. Кристаллохимия.
- •Основные виды гексагональных структур.
- •4.Дефекты кристаллической решетки. Точечные дефекты (дефекты I рода).
- •Температурные дефекты.
- •Структуры разрыхления. Дефекты по Шотки.
- •Структуры смещения. Дефекты по Френкелю.
- •Протяженные дефекты (дефекты II рода).
- •Дислокации. Дислокацией называется область дефектов решетки, простирающейся вдоль некоторой линии (линии дислокации). Краевые дислокации.
- •Винтовые диислокации.
- •Расчет дефектности.
- •Определение объема приходящегося на дефекты I и II рода.
- •Взаимодействие точечных и протяженных дефектов.
- •Источник Франка – Рида.
- •5. Методы исследования твердого тела Рентгенофазовый анализ
- •Возникновение непрерывного и линейчатого (атомного) спектра.
- •Закон Мозели.
- •Четыре квантовых числа.
- •Принцип Паули.
- •Основные сведения по физике рентгеновских лучей. Спектры испускания лучей.
- •Спектры поглощения рентгеновских лучей.
- •Рассеяние свободным электроном.
- •Эффект Комптона.
- •Фотоэффект.
- •Суммарное поглощение рентгеновского излучения веществом.
- •Спектры поглощения рентгеновского излучения.
- •Дифракция рентгновских лучей
- •Вывод уравнения Лауэ.
- •Вывод уравнения Вульфа – Брэгга.
- •Аппаратура для рентгененофазового анализа Принципиальная схема рентгеновской установки типа дрон.
- •Выбор основных параметров съемки дифрактограмм на рентгеновской установк типа дрон.
- •Приготовление образцов для проведения рентгенофазового анализа.
- •Съемка дифрактограмм. Метод Брентано.
- •Съемка рентгенограмм в монохроматическом излучении
- •Идентифкация вещества по межплоскостным расстояниям.
- •Индицирование рентгенограмм порошка.
- •Критерии правильности индицирования рентгенограмм.
- •Обратная решетка.
- •Индицирование рентгенограмм порошка. Индицирование рентгенограмм кубических веществ. Закон погасания.
- •Индицирование рентгенограмм в случае средних сингоний.
- •Аналитический метод индицирования рентгенограмм ромбических кристаллов (метод Хесса - Липсона).
- •Индицирование дебаеграмм методом Ито.
- •Метод подбора изоструктурного соединения.
- •Метод гомологии расшифровки рентгенограмм.
- •Переход от кубической ячейки к гексагональной.
- •Политипия. Интерпретация рентгенограмм слоистых структур со сложным характером чередования связей.
- •Источники ошибок в определении межплоскостных расстояний.
- •Зависимость точности в определении межплоскостного расстояния d от угла отражения .
- •Поправка на преломление.
- •Определение размеров кристаллитов и микронапряжений.
- •Метод определения областей когерентного рассеяния (окр).
- •Растровая электронная микроскопия (рэм, сэм) и рентгеноспектральный микроанализ (рсма).
- •Физические основы растровой электронной микроскопии
- •Формирование изображения в рэм.
- •Сканируемая область в зависимости от увеличения.
- •Глубина фокуса
- •Передача изобажения в цифровой форме и их обработка
- •Контраст
- •Контраст зависящий от атомного номера (контраст от состава, сигнал отраженных электронов)
- •Контраст от состава образца (режим вторичных электронов)
- •Компоненты контраста.
- •Ограничения разрешения.
- •Рентгеноспектральный микроанализ Физические основы рентгеноспектрального микороанализа
- •Устройство и работа рентгеноспектрального микроанализатора
- •Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним
- •Технические возможности рентгеноспектрального микроанализатора
- •Технические возможности сканирующего туннельного микроскопа
- •Требования к объектам исследования и методы их подготовки
- •Области использования сканирующей туннельной микроскопии
- •Развитие микроскопии ближнего поля и расширение области её применения
- •Программное обеспечение. Форма сохранения и выдачи информации
- •Термический анализ.
- •Термогравиметрический анализ (тга).
- •Дифференциально – термический анализ (дта).
- •Применение дта и тга.
- •Пример разложения каолина Al4(Si4o10)(oh)8.
- •Изучение стеклообразования методом дта.
- •Некоторые особые области применения дта.
- •Спектральные методы исследования твердых тел
- •Спектроскопия видимого излучения и уф – спектроскопия.
- •Спектроскопия ямр (ядерно-магнитного резонанса).
- •Спектроскопия эпр(электронный парамагнитный резонанс).
- •Электронная спектроскопия эсха, рфс, уфс, Оже-спектроскопия, схпээ.
- •Ядерная - резонансная (Мессбауэровская ) спектроскопия.
- •Спектроскопия комбинационного рассеяния света (кр, крс, Раммановская спектроскопия).
- •Рассеяние света.
- •Колебания, модуляции, спекры.
- •Комбинационное рассеяние и поглощение света.
- •Основные параметры линий комбинационного рассеяния.
- •Применение комбинационного рассеяния в химии.
- •Установление химического строения молекул.
- •Исследование микроскопических образцов методом крс.
- •Металлический кремний (Si) – 103 – 10-5 10-10 Ом-1см-1,
- •Уравнение Шредингера для твердого тела
- •Основы зонной теории твердых тел Классификация твердых тел по величине электропроводности Твердое тело
- •Одноэлекторонное приближение
- •Функции Блоха
- •Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Зоны Бриллюэна.
- •Построение зон Бриллюэна в простой кубической решетке с параметром а
- •Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •Физические свойства кристаллов и методвы их определения Электрические свойства тел. Основные свойства металлов. Электропроводность.
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Влияние примесей и дефектов
- •Сверхпроводимость
- •Электропроводность металлов
- •Электрон в кристалле всегда подчиняется функции Блоха
- •Собственная проводимость полупроводников.
- •Концентрация носителей
- •Равновесная концентрация дырок в валентной зоне
- •Концентрация дырок, с учетом всех выкладок, будет равна
- •Подвижность в собственном полупроводнике
- •Проводимость примесных полупроводников
- •Концентрация носителей
- •Подвижность
- •Электропроводность диэлектриков.
Электронная спектроскопия эсха, рфс, уфс, Оже-спектроскопия, схпээ.
Рентгеновская и фотоэлектронная спектроскопия основаны на измерении кинетической энергии электронов, испускаемых веществом при его облучении ионизирующим пучком или частицами высоких энергий.
При действии на вещество ионизирующего излучения в нем протекают различные процессы.
Электронный пучок проходит через орбитали атома или его ядро
Прошедшие или отраженные электроны более низкой энергии (2) + вторичныые электроны, выбитые с внутренних энергетических уровней (2’)
Электронные переходы (регистрируются КРС - спектроскопией)
Испускание рентгеновских лучей
Испускание вторичных Оже-электронов.
Некоторые процессы, идущие в веществе при бомбардировке его пучком электонов.
Различные дифракционные микроскопические и спектроскопические методы исследования веществ, использующие электронное и рентгеновское излучение (а) и схематическое представление электронных переходов, отвечающих за возникновение рентгеновских спектров поглощения и испускания (б). длины волн соответствуют меди Cu.
Самый простой процесс – прямое удаление электронов с валентных или внутренних электронных слоев атомов. Кинетическая энергия Е удаляемых электронов равна разности энергии первичного излучения и энергии связи электрона или потенциала ионизации Ев.
Е = h - Eв
Для каждого атома существует набор Ев отвечающий энергии выбивания электронов с различных оболочек. Ев – характеристические для каждого атома.
Измерение Е(Ев) служит средством идентификации атома. Эти измерения составляют основу метода ЭСХА.
В ЭСХА, в качестве ионизирующего излучения используется рентгеновское излучение (рентгеновское, монохроматическое, МgK 1294 эВ или AlK 1487 эВ) либо УФ (гелиевый источник 21,4 и 40,8 эВ отвечающий переходу 2p1s в He и He+ соответственно). Отсюда некоторые названия двух вариантов этого метода РФС (рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия) и УФС (ультрафиолетовая электронная спектроскопия).
В методе РФС – выбиваются электроны с внутренних оболочек, а в УФС – валентные электроны, электроны с молекулярных орбиталей или энергетических валентных зон.
Аналогичные принципы, в Оже – спектроскопии, где регистрируются кинетическая энергия, образующихся в результате перехода возбужденных атомов, в основное состояние вторичных электронов
Рис. происхождение ЭСХА и Оже – электронов
Возникновение спектров ЭСХА в веществе при протекании процесса
Излучение
А
том
А А+
+ e
А+ - ионизированный атом А, находящийся в возбужденном состоянии.
Возбуждающее состояние – следствие воздействия первичного пучка, либо в результате выбивания электрона с внутренней электронной оболочки, после чего остается свободная атомная орбиталь, либо в результате перехода других е на обычно незанятые уровни с боле высокой энергией. Возбужденные атомы могут переходить обратно в основное состояние по мере того, как электроны начнут занимать освободившееся низкоэнергетические уровни. При этом имеется выход рентгеновской или УФ – энергии.
А+ А+ + h (рентгеновское или УФ - излучение)
А+ А++ + е (Оже-электроны)
Оже – электроны характерны для атомов легких элементов.
Если высвобождающаяся энергия передается другим электронам того же атома, находящихся на внешних оболочках, то такие электроны могут покидать атом. Такие вторичные возбужденные электроны называются Оже-электронами.
Оже – спектры получают одновременно со спектрами ЭСХА. ЭСХА – эффективный метод излучения энергетических уровней атомов и молекул. Используется для изучения поверхности материалов т.к. электроны, выбитые излучением, имеют низкую кинетическую энергию ( 1 кэВ) и быстро поглощаются твердым телом. Они не могут покидать твердое тело, если находятся на глубине больше чем 20 – 50 А (2-5 нм). В принципе методом ЭСХА можно получать объемные характеристики материала.
Применение ЭСХА:
Химические сдвиги и структура областей ближнего порядка.
Химическая связь и зонная структура.
Исследование поверхности.
Спектроскопия характеристических потерь энергии электронов (СХПЭЭ). Используется для элементного анализа и для обнаружения легких элементов (С,N). Этим методом можно изучать структуру энергетических уровней в поверхностных слоях твердых тел.
Спектр СХПЭЭ представляет собой график зависимости интенсивности пучка первичных электронов от потерь энергии. СХПЭЭ служит дополнением метода РФА.
