- •Конспект лекций по дисциплине «Физическая химия твердого тела» Направление подготовки
- •240100 Химическая технология
- •Магистерская программа
- •1. Введение. Основные цели и задачи физической химии твердого тела.
- •2. Кристаллография
- •Координаты точек и линий в элементарной ячейке.
- •Симметрия элементарной ячейки.
- •3. Кристаллохимия.
- •Основные виды гексагональных структур.
- •4.Дефекты кристаллической решетки. Точечные дефекты (дефекты I рода).
- •Температурные дефекты.
- •Структуры разрыхления. Дефекты по Шотки.
- •Структуры смещения. Дефекты по Френкелю.
- •Протяженные дефекты (дефекты II рода).
- •Дислокации. Дислокацией называется область дефектов решетки, простирающейся вдоль некоторой линии (линии дислокации). Краевые дислокации.
- •Винтовые диислокации.
- •Расчет дефектности.
- •Определение объема приходящегося на дефекты I и II рода.
- •Взаимодействие точечных и протяженных дефектов.
- •Источник Франка – Рида.
- •5. Методы исследования твердого тела Рентгенофазовый анализ
- •Возникновение непрерывного и линейчатого (атомного) спектра.
- •Закон Мозели.
- •Четыре квантовых числа.
- •Принцип Паули.
- •Основные сведения по физике рентгеновских лучей. Спектры испускания лучей.
- •Спектры поглощения рентгеновских лучей.
- •Рассеяние свободным электроном.
- •Эффект Комптона.
- •Фотоэффект.
- •Суммарное поглощение рентгеновского излучения веществом.
- •Спектры поглощения рентгеновского излучения.
- •Дифракция рентгновских лучей
- •Вывод уравнения Лауэ.
- •Вывод уравнения Вульфа – Брэгга.
- •Аппаратура для рентгененофазового анализа Принципиальная схема рентгеновской установки типа дрон.
- •Выбор основных параметров съемки дифрактограмм на рентгеновской установк типа дрон.
- •Приготовление образцов для проведения рентгенофазового анализа.
- •Съемка дифрактограмм. Метод Брентано.
- •Съемка рентгенограмм в монохроматическом излучении
- •Идентифкация вещества по межплоскостным расстояниям.
- •Индицирование рентгенограмм порошка.
- •Критерии правильности индицирования рентгенограмм.
- •Обратная решетка.
- •Индицирование рентгенограмм порошка. Индицирование рентгенограмм кубических веществ. Закон погасания.
- •Индицирование рентгенограмм в случае средних сингоний.
- •Аналитический метод индицирования рентгенограмм ромбических кристаллов (метод Хесса - Липсона).
- •Индицирование дебаеграмм методом Ито.
- •Метод подбора изоструктурного соединения.
- •Метод гомологии расшифровки рентгенограмм.
- •Переход от кубической ячейки к гексагональной.
- •Политипия. Интерпретация рентгенограмм слоистых структур со сложным характером чередования связей.
- •Источники ошибок в определении межплоскостных расстояний.
- •Зависимость точности в определении межплоскостного расстояния d от угла отражения .
- •Поправка на преломление.
- •Определение размеров кристаллитов и микронапряжений.
- •Метод определения областей когерентного рассеяния (окр).
- •Растровая электронная микроскопия (рэм, сэм) и рентгеноспектральный микроанализ (рсма).
- •Физические основы растровой электронной микроскопии
- •Формирование изображения в рэм.
- •Сканируемая область в зависимости от увеличения.
- •Глубина фокуса
- •Передача изобажения в цифровой форме и их обработка
- •Контраст
- •Контраст зависящий от атомного номера (контраст от состава, сигнал отраженных электронов)
- •Контраст от состава образца (режим вторичных электронов)
- •Компоненты контраста.
- •Ограничения разрешения.
- •Рентгеноспектральный микроанализ Физические основы рентгеноспектрального микороанализа
- •Устройство и работа рентгеноспектрального микроанализатора
- •Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним
- •Технические возможности рентгеноспектрального микроанализатора
- •Технические возможности сканирующего туннельного микроскопа
- •Требования к объектам исследования и методы их подготовки
- •Области использования сканирующей туннельной микроскопии
- •Развитие микроскопии ближнего поля и расширение области её применения
- •Программное обеспечение. Форма сохранения и выдачи информации
- •Термический анализ.
- •Термогравиметрический анализ (тга).
- •Дифференциально – термический анализ (дта).
- •Применение дта и тга.
- •Пример разложения каолина Al4(Si4o10)(oh)8.
- •Изучение стеклообразования методом дта.
- •Некоторые особые области применения дта.
- •Спектральные методы исследования твердых тел
- •Спектроскопия видимого излучения и уф – спектроскопия.
- •Спектроскопия ямр (ядерно-магнитного резонанса).
- •Спектроскопия эпр(электронный парамагнитный резонанс).
- •Электронная спектроскопия эсха, рфс, уфс, Оже-спектроскопия, схпээ.
- •Ядерная - резонансная (Мессбауэровская ) спектроскопия.
- •Спектроскопия комбинационного рассеяния света (кр, крс, Раммановская спектроскопия).
- •Рассеяние света.
- •Колебания, модуляции, спекры.
- •Комбинационное рассеяние и поглощение света.
- •Основные параметры линий комбинационного рассеяния.
- •Применение комбинационного рассеяния в химии.
- •Установление химического строения молекул.
- •Исследование микроскопических образцов методом крс.
- •Металлический кремний (Si) – 103 – 10-5 10-10 Ом-1см-1,
- •Уравнение Шредингера для твердого тела
- •Основы зонной теории твердых тел Классификация твердых тел по величине электропроводности Твердое тело
- •Одноэлекторонное приближение
- •Функции Блоха
- •Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Зоны Бриллюэна.
- •Построение зон Бриллюэна в простой кубической решетке с параметром а
- •Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •Физические свойства кристаллов и методвы их определения Электрические свойства тел. Основные свойства металлов. Электропроводность.
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Влияние примесей и дефектов
- •Сверхпроводимость
- •Электропроводность металлов
- •Электрон в кристалле всегда подчиняется функции Блоха
- •Собственная проводимость полупроводников.
- •Концентрация носителей
- •Равновесная концентрация дырок в валентной зоне
- •Концентрация дырок, с учетом всех выкладок, будет равна
- •Подвижность в собственном полупроводнике
- •Проводимость примесных полупроводников
- •Концентрация носителей
- •Подвижность
- •Электропроводность диэлектриков.
Изучение стеклообразования методом дта.
Возможность заметного переохлаждения способствует образованию стекла.
Интервал гистерезиса зависит не только от природы вещества, но и происходящих в нем структурных изменений (разрыв прочных химических связей, сопровождающихся заметным гистерезисом), но и от условий проведения эксперимента (скорость нагрева и охлаждение образца).
Часто гистерезис образцов наблюдается при охлаждении с высокой скоростью. При быстром охлаждении некоторые тепловые эффекты могут вообще не проявляться на кривых ДТА. В этих особых экспериментальных условиях, исследуемые в образцах процессы как бы становятся необратимыми.
Процесс стеклования. При нагревании кристаллического вещества (оксиды кремния SiO2) в точке плавления, его пик эндотермический. При охлаждении процесс кристаллизации не идет, а получается переохлажденная жидкость. С понижением температуры, вязкость переохлажденной жидкости возрастает, до образования стекла. Следовательно, кристаллизация кристаллизация как бы подавляется. Другими словами, в этом случае гистерезис настолько велик, что кристаллизация не происходит. В случае SiO2 расплав очень вязкий даже выше Tпл = 17000С и кристаллизация идет весьма медленно и при низких скоростях охлаждения.
Некоторые особые области применения дта.
Стекла. Метод ДТА имеет важное значение при определении температуры стеклования Tg в этих системах. Как показано на рис, процесс стеклообразования проявляется на кривых ДТА не в виде отчетливого пика, а в виде широкого размытого отклонения от базовой линии. Tg отвечает температуре при которой стекло переходит из состояния упругого тела в переохлажденную вязкую жидкость. Температура стеклования является важной характеристикой стекла, так как это – верхняя температурная граница практического использования данного материала. Температура Tg легко определяется методом ДТА.
Поскольку стекло представляет собой замороженную и кинетически устойчивую фазу, при исследовании таких объектов как кварцевое стекло, на кривых ДТА можно обнаружить единственный тепловой эффект, отвечающий процессу стеклообразования; кристаллизация практически не идет. (кривая 1 рис.).
В некоторых других стеклообразных системах при температуре выше Tg, но ниже Tf начинается кристаллизация стекла (расстекловывание). Процессу расстеклования отвечает экзотермический эффект на кривой ДТА, за которым следует эндотермический пик при более высокой температуре (плавление образовавшихся кристаллов) (кривая 2).
Металлические стекла являются материалами, характеризующимися процессами расстекловывания, которые получают в виде тонких пленок в некоторых металлических системах путем быстрой закалки.
Полиморфные превращения и контроль свойств.
Температуры фазовых переходов весьма существенно зависят от состава твердого раствора, и следовательно метод ДТА может служить чувствительным инструментом для изучения свойств материала и его состава.
Изучение свойств матеиалов. Метод ДТА позволяет выявить различия веществами в группе материалов. В ряде случаев он также может применяться для определения чистоты вещества. В качестве наглядного примера можно привести пример превращения в железе Fe, весьма чувствительного к содержанию примесей. При добавлении 0,02 масс. % С, температура этого превращения понижается от 910 до 723 0С. наличие примесей часто влияет на значение температуры плавления вещества, особенно если примесь образует с веществом низкотемпературную эвтектику.
Построение фазовых диаграмм. В сочетании с рентгенофазовым анализом, ДТА – мощный инструмент при построении фазовых диаграмм. На рис. б показаны тепловые эффекты на кривых ДТА двух образцов системы с простой эвтектикой (составы на рис. а)
При нагревании состава образца А, плавление начинается при температуре T2, что сопровождается эндотермическим эффектом. Этот эффект накладывается на другой эндоэффект более размытый, который наблюдается в области температур T1 и относится к плавлению охватывающему интервал температур Т2 – Т1.
При исследовании методом ДТА можно оценивать температуру солидуса Т2 и температуру ликвидуса Т1. Состав В отвечает эвтектическрму составу. При нагреве плавление начинается и заканчивается при одной и той же температуре эвтектики Т2.
Если сравнивать кривые ДТА образцов, представляющих собой гетерогенные смеси X + Y, то на всех кривых можно обнаружить эндотермические эффекты при T2, причем величина эффекта зависит от того, какая часть образца плавится при этой температуре, т.е. от того, насколько близок состав образца к центру эвтектики. Кроме того на ДТА наблюдается размытый эндотермический эффект при некоторой температуре выше T2 (кроме состава В), обусловленный окончанием плавления образца при температуре ликвидуса. Температура этого пика меняется с составом образца.
Полиморфные фазовые превращения в субсолидусной части диаграммы состояния могут быть обнаружены методом ДТА в силу того, что при образовании твердого раствора температура фазового перехода зависит от состава.
Кинетика. При изучении реакций протекающих при постоянной температуре (Т = const), ТГА позволяет определить механизм реакции разложения и ее энергию активации.
