- •Конспект лекций по дисциплине «Физическая химия твердого тела» Направление подготовки
- •240100 Химическая технология
- •Магистерская программа
- •1. Введение. Основные цели и задачи физической химии твердого тела.
- •2. Кристаллография
- •Координаты точек и линий в элементарной ячейке.
- •Симметрия элементарной ячейки.
- •3. Кристаллохимия.
- •Основные виды гексагональных структур.
- •4.Дефекты кристаллической решетки. Точечные дефекты (дефекты I рода).
- •Температурные дефекты.
- •Структуры разрыхления. Дефекты по Шотки.
- •Структуры смещения. Дефекты по Френкелю.
- •Протяженные дефекты (дефекты II рода).
- •Дислокации. Дислокацией называется область дефектов решетки, простирающейся вдоль некоторой линии (линии дислокации). Краевые дислокации.
- •Винтовые диислокации.
- •Расчет дефектности.
- •Определение объема приходящегося на дефекты I и II рода.
- •Взаимодействие точечных и протяженных дефектов.
- •Источник Франка – Рида.
- •5. Методы исследования твердого тела Рентгенофазовый анализ
- •Возникновение непрерывного и линейчатого (атомного) спектра.
- •Закон Мозели.
- •Четыре квантовых числа.
- •Принцип Паули.
- •Основные сведения по физике рентгеновских лучей. Спектры испускания лучей.
- •Спектры поглощения рентгеновских лучей.
- •Рассеяние свободным электроном.
- •Эффект Комптона.
- •Фотоэффект.
- •Суммарное поглощение рентгеновского излучения веществом.
- •Спектры поглощения рентгеновского излучения.
- •Дифракция рентгновских лучей
- •Вывод уравнения Лауэ.
- •Вывод уравнения Вульфа – Брэгга.
- •Аппаратура для рентгененофазового анализа Принципиальная схема рентгеновской установки типа дрон.
- •Выбор основных параметров съемки дифрактограмм на рентгеновской установк типа дрон.
- •Приготовление образцов для проведения рентгенофазового анализа.
- •Съемка дифрактограмм. Метод Брентано.
- •Съемка рентгенограмм в монохроматическом излучении
- •Идентифкация вещества по межплоскостным расстояниям.
- •Индицирование рентгенограмм порошка.
- •Критерии правильности индицирования рентгенограмм.
- •Обратная решетка.
- •Индицирование рентгенограмм порошка. Индицирование рентгенограмм кубических веществ. Закон погасания.
- •Индицирование рентгенограмм в случае средних сингоний.
- •Аналитический метод индицирования рентгенограмм ромбических кристаллов (метод Хесса - Липсона).
- •Индицирование дебаеграмм методом Ито.
- •Метод подбора изоструктурного соединения.
- •Метод гомологии расшифровки рентгенограмм.
- •Переход от кубической ячейки к гексагональной.
- •Политипия. Интерпретация рентгенограмм слоистых структур со сложным характером чередования связей.
- •Источники ошибок в определении межплоскостных расстояний.
- •Зависимость точности в определении межплоскостного расстояния d от угла отражения .
- •Поправка на преломление.
- •Определение размеров кристаллитов и микронапряжений.
- •Метод определения областей когерентного рассеяния (окр).
- •Растровая электронная микроскопия (рэм, сэм) и рентгеноспектральный микроанализ (рсма).
- •Физические основы растровой электронной микроскопии
- •Формирование изображения в рэм.
- •Сканируемая область в зависимости от увеличения.
- •Глубина фокуса
- •Передача изобажения в цифровой форме и их обработка
- •Контраст
- •Контраст зависящий от атомного номера (контраст от состава, сигнал отраженных электронов)
- •Контраст от состава образца (режим вторичных электронов)
- •Компоненты контраста.
- •Ограничения разрешения.
- •Рентгеноспектральный микроанализ Физические основы рентгеноспектрального микороанализа
- •Устройство и работа рентгеноспектрального микроанализатора
- •Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним
- •Технические возможности рентгеноспектрального микроанализатора
- •Технические возможности сканирующего туннельного микроскопа
- •Требования к объектам исследования и методы их подготовки
- •Области использования сканирующей туннельной микроскопии
- •Развитие микроскопии ближнего поля и расширение области её применения
- •Программное обеспечение. Форма сохранения и выдачи информации
- •Термический анализ.
- •Термогравиметрический анализ (тга).
- •Дифференциально – термический анализ (дта).
- •Применение дта и тга.
- •Пример разложения каолина Al4(Si4o10)(oh)8.
- •Изучение стеклообразования методом дта.
- •Некоторые особые области применения дта.
- •Спектральные методы исследования твердых тел
- •Спектроскопия видимого излучения и уф – спектроскопия.
- •Спектроскопия ямр (ядерно-магнитного резонанса).
- •Спектроскопия эпр(электронный парамагнитный резонанс).
- •Электронная спектроскопия эсха, рфс, уфс, Оже-спектроскопия, схпээ.
- •Ядерная - резонансная (Мессбауэровская ) спектроскопия.
- •Спектроскопия комбинационного рассеяния света (кр, крс, Раммановская спектроскопия).
- •Рассеяние света.
- •Колебания, модуляции, спекры.
- •Комбинационное рассеяние и поглощение света.
- •Основные параметры линий комбинационного рассеяния.
- •Применение комбинационного рассеяния в химии.
- •Установление химического строения молекул.
- •Исследование микроскопических образцов методом крс.
- •Металлический кремний (Si) – 103 – 10-5 10-10 Ом-1см-1,
- •Уравнение Шредингера для твердого тела
- •Основы зонной теории твердых тел Классификация твердых тел по величине электропроводности Твердое тело
- •Одноэлекторонное приближение
- •Функции Блоха
- •Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Зоны Бриллюэна.
- •Построение зон Бриллюэна в простой кубической решетке с параметром а
- •Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •Физические свойства кристаллов и методвы их определения Электрические свойства тел. Основные свойства металлов. Электропроводность.
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Влияние примесей и дефектов
- •Сверхпроводимость
- •Электропроводность металлов
- •Электрон в кристалле всегда подчиняется функции Блоха
- •Собственная проводимость полупроводников.
- •Концентрация носителей
- •Равновесная концентрация дырок в валентной зоне
- •Концентрация дырок, с учетом всех выкладок, будет равна
- •Подвижность в собственном полупроводнике
- •Проводимость примесных полупроводников
- •Концентрация носителей
- •Подвижность
- •Электропроводность диэлектриков.
Основные виды гексагональных структур.
Структура вюрцита.
ZnS, КЧ 4/4; для ее образования надо совместить две плотные гексагональные упаковки так, чтобы нулевая точка одной центрировала тетраэдр другой решетки (рис. 1.69 а). Оба координационных многогранника тетрэдры. Вид симметрии C6v – 6mm.
Структура арсенида никеля NiAs.
Октаэдрически – призматическая координация КЧ 6/6. Каждый атом никеля окружен 6 атомами мышьяка, расположенными в вершинах октаэдра. Каждый атом мышьяка окружен 6 атомами никеля, расположенными в вершинах тригональной призмы. (рис.1.69, b). Вид симметрии D6h – 6/mmm/
Структуры типа NiAs длительное время считали типично металлическими, как и сам NiAs. На самом деле некоторые из веществ со структурой арсенида никеля оказались полупроводниками. Представляется вероятным, что вещества, кристаллизующиеся в этом типе, являются металлическими, если для их элементарных ячеек соотношение (c/a)1,67, и полупроводниковыми, если (c/a)1,67.
Слоистая решетка типа CdI2.
Октаэдрически-треугольная координация, КЧ 6/3; атомы неметалла образуют плотную гексагональную упаковку: GeI2, PbI2, TiS2, ZrS2, TiSe2, ZrSe2, TiTe2 (рис. 1.69 с).
Слоистая решетка типа сульфида молибдена MoS2.
Призматически треугольная координация, КЧ 6/3, MoS2, WS2 рис.1.69 d.
Ближний и дальний порядок. Формы координационных многогранников. Дальний и ближний порядок в пространственной решетке идеального и реального кристалла.
Характеристика фаз с точки зрения ближнего и дальнего порядка.
Дальним порядком в пространственной решетке называется бесконечная совокупность кристаллографических точек, возникающая при действии трансляционной группы на кристаллографическую точку или элементарную ячейку. Структура NaCl является примером наличия дальнего порядка.
Под дальним порядком в идеальном кристалле понимаются не только терминальные установки, но и ее физическая сущность: распределение центров тяжести ядер и электронной плотности в периодическом поле кристалла, характер и прочность химических связей. Отсюда, кристаллической называется фаза, атомы которой образуют структуру с дальним порядком.
При характеристике дальнего порядка в реальных кристаллах всегда должны рассматриваться дефекты.
В стеклах и жидкостях существует только ближний порядок, ограничивающийся первой или второй координационными сферами.
В газообразных средах порядка вообще не наблюдается.
Под ближним порядком понимается понимается состав первой координационной сферы ABn, где n – число соседей, входящих в состав координационной сферы, определяемое координационным числом, межатомные расстояния A – B, валентные углы B – A – B, конфигурацию и объем фигуры, образованной атомами, лежащими на координационной сфере, характер и прочность химических связей в ней.
На примере структуры NaCl можно описать координационные многогранники примером рис. 1.72. Принимая за источник равносторонней волны центральный ион Na+, можно сказать, что при ее распространении, первыми на ее пути встанут 6 ионов Cl- в центрах граней элементарной ячейки (к.ч. 6), форма фигуры – октаэдр. Следующими во второй координационной сфере достигаются 12 ионов Na+ в центрах ребер многогранника (к.ч. 12), в третьей - 8 ионов Cl-, располагающихся в вершинах куба (к.ч. 8), в 5 координационной сфере 24 атома Cl-. Первая координационная сфера образуется ребрами решетки, вторая координационная сфера формируется диагоналями квадратов, лежащих в разных плоскостях от центрального иона Na+, третья координационная сфера формируется диагоналями 8 кубов от центрального иона Na+.
В конечном итоге образуется структура, состоящая из множества концентрических многогранников, образованными разноименными Ap+Bp-(где p – в общем случае - дробь).
Координационное число и плотность упаковки. Определение рентгенографической плотности.
Плотность упаковки определяется как соотношение объема шарообразных частиц, формирующих элементарную ячейку, с общим объемом всей ячейки. Выражается плотность упаковки в процентах.
Если R – расстояние между центрами двух соседних шаров, а радиус одного шара r = R/2, то
Vn = nR3/6
Если V0 – объем элементарной ячейки, то
P = (Vn/V0)100%
В таблице приведены значения плотности упаковок для некоторых структур
Тип решетки |
К.Ч. |
Плотность решетки P, % |
Алмаз |
4 |
(/6)(27/8)34 |
Кубическая P |
6 |
(/6)(1)54 |
Кубическая I |
8 |
(/6)(27/4)68 |
Кубическая F |
12 |
(/6)(2)74 |
Гексагональная плотная (с/a) = 26/3 = 1,633 |
12 |
(/6)(2)74 |
Из таблицы видно, что плотность решеток возрастает с увеличением координационного числа.
Определение рентгенографической плотности.
Для определения рентгенографической плотности необходимо знать объем элементарной ячейки V0, количество атомов Z в ней, и молярную массу. Масса атомов в элементарной ячейке равна (A/N0)Z, где N0 – число Авогадро, А –молярная масса соединения, а (A/N0) – масса одного атома в граммах.
x=(AZ)/N0V0 = (1,6602AZ)/v0
V0=v0*10-24
Если x неизвестна, а найдена пикнометрическая плотность , тогда
Z = ( v0)/1,6602A
V = (1-/x)*100%
Величина V не позволяет сама по себе определять как складываются эти объемы – из точечных или протяженных дефектов.
Зависимость между типом структуры, координационным числом и электрофизическими характеристиками фазы.
Плотнейшие и плотные упаковки (к.ч. 12/12 или 8/8) (P = 74-68%) типичны для металлов.
Наименее плотные упаковки (к.ч. 4/4, 4/2 (куприт) или 2/2 (селен)) (P = 34%) типичны для полупроводников.
Структуры с промежуточным значением (6/6, P 68%) допускают образование металлических веществ – соединений переменного состава (TiO, TiN, TiC, VC), полупроводников PbS, PbSe, PbTe и диэлектриков (NaCl, MgO).
Металлические вещества могут кристаллизоваться и с более низшими координационными числами. Это не исключается теоретически и подтверждается на практике.
Островные, цепные, слоистые структуры и стехиометрический состав координационных многогранников.
Рис.1.75
Островные структуры являются молекулярными структурами в терминах физической теории решетки. Структуры цепные и слоистые отличаются от координационных наличием неограниченных по протяженности в одном или двух измерениях групп атомов, на которые разбивается вся решетка. Если протяженность группы атомов бесконечна в одном измерении вдоль одного из векторов, структура называется цепной.
Цепи (сетки) и стехиометрический состав координационных многогранников.
Если цепи или сетки состоят из сложных узлов (А – внутри тетраэдра или октаэдра, В – вершины октаэдров или тетраэдров), то для определения n в соединении ABn необходимо сложить структурные дроби для атомов B в каждой позиции.
Для рис.1.76а октаэдры соединяются вершинами, n=4/4+2/2 =5 соединение AB5.
Для рис.1.76б октаэдры соединяются ребрами n=2/1+4/2 = 4 соединение AB4
Для рис. 1.76в октаэдры соединяются гранями n=6/2 =3. Соединение AB3.
Распределение классов по сингониям и правила кристаллографической установки. Правила выбора кристаллографической системы координат.
Таблица из Хохлов Павлов
