- •Конспект лекций по дисциплине «Физическая химия твердого тела» Направление подготовки
- •240100 Химическая технология
- •Магистерская программа
- •1. Введение. Основные цели и задачи физической химии твердого тела.
- •2. Кристаллография
- •Координаты точек и линий в элементарной ячейке.
- •Симметрия элементарной ячейки.
- •3. Кристаллохимия.
- •Основные виды гексагональных структур.
- •4.Дефекты кристаллической решетки. Точечные дефекты (дефекты I рода).
- •Температурные дефекты.
- •Структуры разрыхления. Дефекты по Шотки.
- •Структуры смещения. Дефекты по Френкелю.
- •Протяженные дефекты (дефекты II рода).
- •Дислокации. Дислокацией называется область дефектов решетки, простирающейся вдоль некоторой линии (линии дислокации). Краевые дислокации.
- •Винтовые диислокации.
- •Расчет дефектности.
- •Определение объема приходящегося на дефекты I и II рода.
- •Взаимодействие точечных и протяженных дефектов.
- •Источник Франка – Рида.
- •5. Методы исследования твердого тела Рентгенофазовый анализ
- •Возникновение непрерывного и линейчатого (атомного) спектра.
- •Закон Мозели.
- •Четыре квантовых числа.
- •Принцип Паули.
- •Основные сведения по физике рентгеновских лучей. Спектры испускания лучей.
- •Спектры поглощения рентгеновских лучей.
- •Рассеяние свободным электроном.
- •Эффект Комптона.
- •Фотоэффект.
- •Суммарное поглощение рентгеновского излучения веществом.
- •Спектры поглощения рентгеновского излучения.
- •Дифракция рентгновских лучей
- •Вывод уравнения Лауэ.
- •Вывод уравнения Вульфа – Брэгга.
- •Аппаратура для рентгененофазового анализа Принципиальная схема рентгеновской установки типа дрон.
- •Выбор основных параметров съемки дифрактограмм на рентгеновской установк типа дрон.
- •Приготовление образцов для проведения рентгенофазового анализа.
- •Съемка дифрактограмм. Метод Брентано.
- •Съемка рентгенограмм в монохроматическом излучении
- •Идентифкация вещества по межплоскостным расстояниям.
- •Индицирование рентгенограмм порошка.
- •Критерии правильности индицирования рентгенограмм.
- •Обратная решетка.
- •Индицирование рентгенограмм порошка. Индицирование рентгенограмм кубических веществ. Закон погасания.
- •Индицирование рентгенограмм в случае средних сингоний.
- •Аналитический метод индицирования рентгенограмм ромбических кристаллов (метод Хесса - Липсона).
- •Индицирование дебаеграмм методом Ито.
- •Метод подбора изоструктурного соединения.
- •Метод гомологии расшифровки рентгенограмм.
- •Переход от кубической ячейки к гексагональной.
- •Политипия. Интерпретация рентгенограмм слоистых структур со сложным характером чередования связей.
- •Источники ошибок в определении межплоскостных расстояний.
- •Зависимость точности в определении межплоскостного расстояния d от угла отражения .
- •Поправка на преломление.
- •Определение размеров кристаллитов и микронапряжений.
- •Метод определения областей когерентного рассеяния (окр).
- •Растровая электронная микроскопия (рэм, сэм) и рентгеноспектральный микроанализ (рсма).
- •Физические основы растровой электронной микроскопии
- •Формирование изображения в рэм.
- •Сканируемая область в зависимости от увеличения.
- •Глубина фокуса
- •Передача изобажения в цифровой форме и их обработка
- •Контраст
- •Контраст зависящий от атомного номера (контраст от состава, сигнал отраженных электронов)
- •Контраст от состава образца (режим вторичных электронов)
- •Компоненты контраста.
- •Ограничения разрешения.
- •Рентгеноспектральный микроанализ Физические основы рентгеноспектрального микороанализа
- •Устройство и работа рентгеноспектрального микроанализатора
- •Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним
- •Технические возможности рентгеноспектрального микроанализатора
- •Технические возможности сканирующего туннельного микроскопа
- •Требования к объектам исследования и методы их подготовки
- •Области использования сканирующей туннельной микроскопии
- •Развитие микроскопии ближнего поля и расширение области её применения
- •Программное обеспечение. Форма сохранения и выдачи информации
- •Термический анализ.
- •Термогравиметрический анализ (тга).
- •Дифференциально – термический анализ (дта).
- •Применение дта и тга.
- •Пример разложения каолина Al4(Si4o10)(oh)8.
- •Изучение стеклообразования методом дта.
- •Некоторые особые области применения дта.
- •Спектральные методы исследования твердых тел
- •Спектроскопия видимого излучения и уф – спектроскопия.
- •Спектроскопия ямр (ядерно-магнитного резонанса).
- •Спектроскопия эпр(электронный парамагнитный резонанс).
- •Электронная спектроскопия эсха, рфс, уфс, Оже-спектроскопия, схпээ.
- •Ядерная - резонансная (Мессбауэровская ) спектроскопия.
- •Спектроскопия комбинационного рассеяния света (кр, крс, Раммановская спектроскопия).
- •Рассеяние света.
- •Колебания, модуляции, спекры.
- •Комбинационное рассеяние и поглощение света.
- •Основные параметры линий комбинационного рассеяния.
- •Применение комбинационного рассеяния в химии.
- •Установление химического строения молекул.
- •Исследование микроскопических образцов методом крс.
- •Металлический кремний (Si) – 103 – 10-5 10-10 Ом-1см-1,
- •Уравнение Шредингера для твердого тела
- •Основы зонной теории твердых тел Классификация твердых тел по величине электропроводности Твердое тело
- •Одноэлекторонное приближение
- •Функции Блоха
- •Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Зоны Бриллюэна.
- •Построение зон Бриллюэна в простой кубической решетке с параметром а
- •Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники
- •Физические свойства кристаллов и методвы их определения Электрические свойства тел. Основные свойства металлов. Электропроводность.
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Влияние примесей и дефектов
- •Сверхпроводимость
- •Электропроводность металлов
- •Электрон в кристалле всегда подчиняется функции Блоха
- •Собственная проводимость полупроводников.
- •Концентрация носителей
- •Равновесная концентрация дырок в валентной зоне
- •Концентрация дырок, с учетом всех выкладок, будет равна
- •Подвижность в собственном полупроводнике
- •Проводимость примесных полупроводников
- •Концентрация носителей
- •Подвижность
- •Электропроводность диэлектриков.
Спектроскопия ямр (ядерно-магнитного резонанса).
Спектроскопия ЯМР – это экспериментальный метод, в основе которого лежит изучение энергии атомных ядер, обладающих магнитным моментом. Внешнее магнитное поле оказывает влияние энергию ядер элементов имеющих ненулевой ядерный спин (1H, 2H, 6Li, 7Li, 13C, 29Si), но не (12С, 16O, 28Si). При наложении внешнего магнитного поля спины ядер параллельно или антипараллельно этому полю. Это приводит к расщеплению энергетического состояния ядер на два состояния. Разность энергий между двумя состояниями, отвечающих параллельным и антипараллельным спинам ядер соответствует энергии радиочастотного излучения. Эта разность очень мала: при напряженности внешнего поля 104 Гс = 1 Т она соответствует 0,01 Дж/моль. Поэтому резонансная частота, вызывающая переходы магнитных спинов, в таких магнитных полях равна 50 МГц. Разность энергий между двумя состояниями и отвечающая ей резонансная частота зависят не только от природы химического элемента, но и от его окружения.
Применение спектров ЯМР.
а) Структурные исследования.
Обычно ЯМР – спектры твердых тел характеризуются наличием широких полос, мало пригодных для изучения структуры веществ. Применение более усовершенствованных методик, например “магического угла вращения”, позволяет выявить тонкую структуру широких резонансных линий. Метод ЯМР можно использовать для исследования тонких структур. Спектроскопия ЯМР – эффективный метод изучения ближнего порядка твердых тел.
б) Движение атомов в твердых телах.
Можно изучать в том случае, если благодаря этому движению происходит сужение обычно широких линий ЯМР.
Спектроскопия эпр(электронный парамагнитный резонанс).
Метод ЭПР во многом близок и имеет много общего с ядерным магнитным резонансом. С его помощью можно регистрировать изменение конфигурации спинов электронов. ЭПР связан с наличием в образце постоянных магнитных диполей, каковыми являются неспаренные электроны, например во многих ионах переходных металов. под действием внешнего магнитного поля происходит изменение ориентации спинов неспаренных электронов. Изменение энергии при таком переходе невелико (10 Дж/моль), хотя и несколько больше, чем в случае ЯМР.
В ЭПР – спектрометрах при напряженности внешнего магнитного поля 3000 Гс можно использовать микроволновое излучение частотой 2,81010 Гц = 28 ГГц.
На практике, в радиоспектрометрах, частота излучения поддерживается постоянной, а условие резонанса достигается путем изменения напряженности внешнего магнитного поля. Величина поглощаемой энергии, необходимой для изменения ориентации спинов в условиях резонанса, связана с напряженностью внешнего магнитного поля H.
Дж/Гс – магнетон Бора,
g – фактор спектроскопического расщепления (g - фактор).
Для свободного электрона g – фактор равен 2,0023. значение g – фактора зависит от природы парамагнитного иона, его степени окисления и координационного числа. g – фактор позволяет определить положение линии резонансного поглощения в спектрах ЭПР, т.е. является аналогом “химического сдвига” в спектрах ЯМР. Ширина линий поглощения в спектрах ЭПР твердых тел (как и в спектрах ЯМР) достаточно велика. Поэтому приходится подбирать специальные экспериментальные условия, чтобы линии спектра становились более узкими, только в том случае из них можно подчерпнуть информацию.
Причина уширения линий на ЭПР – спектрах:
наличие спин – спинового взаимодействия между неспаренными электронами.
Это можно преодолеть путем понижения концентрации неспаренных электронов, при введении в диамагнитный материал небольших добавок (0,1 – 1%) парамагнитных ионов переходных металлов.
существование низколежащих возбужденных состояний вблизи основного энергетического состояния парамагнитного иона.
Это приводит к частым электронным переходам, коротким временам релаксации и, как следствие, к широким линиям ЭПР.
Для предотвращения этого явления спектры ЭПР снимают при низких температурах (температура жидкого гелия 4,2 К). Интерпретация упрощается если парамагнитная частица имеет только один неспаренный электрон (ионы переходных элементов V4+, Cr5+ и др. имеющие один d-электрон).
Спектр ЭПР записывается в виде зависимости поглощения от напряженности поля (рис. а), но обычно - в виде первой производной кривой (рис. б)
При соответствующих навыках из ЭПР можно:
Получить информацию о парамагнитном поле и его ближайшем окружении в матрице вещества, в которую вводится данный ион.
Степень окисления, электронную конфигурацию и К.Ч. парамагнитного иона.
Конфигурацию d-орбитали основного состояния парамагнитного иона и ее искажения, обусловлнные эффектом Яна-Теллера.
Степень ковалентности химических связей между ионом и окружающими его анионами или лигандами.
