- •Глава 2. Полупроводниковые подложки, особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •Диффузия из бесконечного источника 331
- •Диффузия из ограниченного источника 332
- •Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии 334
- •Атомные механизмы диффузии 335
- •Факторы, влияющие на процессы диффузии 337
- •Способы контроля процессов диффузии 339
- •Глава 10. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники .. 343
- •Типы интегральных микросхем..... 343
- •Корпуса имс и их конструкции 347
- •Требования к конструкции корпусов .............356
- •Глава 8. Фотолитографические процессы 265
- •Металлокерамические корпуса 357
- •Металлостеклянные корпуса 364
- •Пластмассовые корпуса.... ... 372
- •Корпуса чашечного типа 380
- •Глава 11. Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники 382
- •Разделение пластин на кристаллы 382
- •Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями 398
- •Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями 402
- •Автоматизированный монтаж кристаллов
- •11.5. Контроль качества сборочных операций 408
- •Глава 9. Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии.... 303
- •9.10. Диффузия ..322
- •Назначение и задачи диффузии .......322
- •Модели и механизмы диффузии 323
- •Одномерное уравнение Фика 326
- •Постоянные коэффициенты диффузии......327
- •Механизмы диффузии в твердом теле 328
- •Глава 12. Микромонтаж изделий интегральной
- •Глава 13. Герметизация изделий электроники
- •Глава 14. Обеспечение качества и надежности изделий полупроводниковых приборов 488
- •Глава 1
- •Физико-химические основы и технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и изделий интегральной электроники
- •1.1. Основные материалы изделий интегральной электроники
- •1.2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •1.2.1. Функции состояний
- •1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •1.2.3. Фазовые переходы
- •1.2.4. Типы диаграмм состояния двойных систем
- •Pис. 1.11. Двухфазная диаграмма состояний, на которой показаны процессы отвердевания
- •1.3. Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в изделиях интегральной электроники
- •1.4. Твердая растворимость
- •1.5. Диаграммы состояния тройных систем
- •Высотой перпендикуляра (например, e0e5 на рис. 1.22, б) к данной точке; и
- •Кривыми, отражающими на диаграмме геометрические места точек с равными свойствами (так, например, на географической карте изображаются изогипсы).
- •1.6. Основные понятия и определения
- •1) Минимальным размером элемента, надежно воспроизводимым на полупроводниковой пластине, которым оценивается разрешающая способность процесса;
- •Предельными отклонениями размеров элементов одного топологического слоя от номинальных;
- •Ограниченное время межоперационного хранения партии пластин;
- •Высокие требования к производственной гигиене (1-2-й классы помещений по климатическим параметрам и 1-2-й классы по запыленности воздушной среды).
- •1.7. Основные тины структур интегральных микросхем
- •Сравнительные характеристики основных типов структур интегральных микросхем:
- •1.8. Процесс изготовления биполярных имс
- •1.9. Процесс изготовления кмоп имс
- •1.10. Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки
- •Проводимости
- •1.11. Технологический маршрут изготовления mosfet-транзисторов
- •1.12. Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров
- •1.50). В закрытом состоянии сопротивление тиристора велико, что соответствует участку малого тока через прибор на воль-тамперной характеристике.
- •Глава 2
- •Особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •2.1. Основные характеристики полупроводниковых подложек
- •2.2. Физико-химические основы подготовки гладких поверхностей подложек
- •2.3. Разновидности загрязнений и их влияние на технологические храктеристики полупроводниковых подложек. Источники загрязнения поверхности подложек
- •2.4. Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел
- •2.5. Чистые производственные помещения
- •2.6. Контроль дефектности технологического процесса
- •Глава 3
- •Обработка поверхности полупроводниковых пластин в жидких средах
- •3.1. Классификация типов обработки поверхности
- •3.2. Кинетика процесса химического травления
- •3.3. Механизмы травления полупроводников
- •3.4. Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.5. Особенности жидкостного травления функциональных слоев
- •3.6. Электрохимическая обработка поверхности
- •3.7. Парогазовое травление
- •Парогазовое травление кремниевых подложек в различных
- •Глава 4
- •Ионно-плазменные методы обработки поверхности полупроводниковых пластин
- •4.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
- •4.2. Механизмы процесса ионно-плазменного травления
- •Размещение подложек на запитываемом электроде (катоде);
- •Относительно низкие рабочие давления (0,133-13,3 Па).
- •4.3. Методы плазменного травления
- •4.4. Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного травления
- •Изотропного плазмохимического травления;
- •Осаждения полимера.
- •Глава 5
- •Эпитаксиальные процессы в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- •5.1. Эпитаксиальные процессы
- •5.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии
- •5.3. Автоэпитаксия кремния
- •Вентили
- •5.4. Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксиальные соотношения в гетероэпитаксиальных слоях кремния на сапфире
- •5.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений aiiibv и твердых растворов на их основе
- •Диэлектрические слои и методы их нанесения
- •6.1. Стабилизация и защита поверхности имс и полупроводниковых приборов
- •5.6. Дефекты эпитаксиальных слоев
- •Глава 6
- •6.2. Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев
- •6.3. Формирование тонких слоев методом химического осаждения из газовой фазы
- •6.4, Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из газовой фазы
- •6.5. Атомно-слоевое осаждение (ald)
- •Сравнение атомно-слоевого осаждения и осаждения из газовой фазы
- •6.6. Пленки, получаемые центрифугированием из растворов кремнийорганических соединений (нцр-пленки)
- •Глава 7
- •7.1. Термическое испарение материалов в вакууме
- •7.2. Краткая характеристика испарителей
- •7.3. Индукционные испарители
- •7.4. Электронно-лучевое испарение
- •7.5. Метод ионного распыления
- •7.6. Катодное распыление
- •7.7. Магнетронное распыление
- •7.8. Лазерно-плазменное распыление
- •7.9. Вакуумное оборудование для формирования пленок
- •7.9.1. Термическое испарение материала
- •Вакуумные установки увн-2м2 (урм.3.279.017; увн-75р1)
- •7.9.2. Формирование пленок электронно-лучевым методом Установка 01нэ-7-004 «Оратория-9»
- •Каркас, в котором размещается высоковакуумная системах рабочей камерой;
- •Стойка питания и управления, служащая для автоматического управления вакуумной откачкой, устройством нагрева, вращением подложек и электронно-лучевыми пушками;
- •Две стойки управления, раздельно для каждой электроннолучевой пушки.
- •7.9.3. Установка увнрэ-э60 (прототип уbh-z400 фирмы Leybold Heraeus)
- •7.9.4. Формирование металлических пленок магнетронным распылением
- •7.10. Установка лазерного распыления
- •Тонких пленок
- •Глава 8
- •8.1. Процессы в фоторезистах
- •Фоторезистов
- •8.3. Методы литографии
- •8.3.1. Оптическая литография (фотолитография)
- •8.3.2. Технология контактной фотолитографии
- •Низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;
- •Высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.
- •8.4. Методы повышения качества формирования изображения
- •8.4.1. Рентгенолитография
- •8.4.2. Электронолитография
- •8.5. Метод самосовмещения
- •Затворами
- •Глава 9
- •Получение электронно-дырочных - переходов методом диффузии
- •9.1. Основы диффузионной технологии
- •9.2. Легирующие примеси и источники диффузии
- •9.3. Технология проведения процессов диффузии
- •9.4. Контроль параметров диффузионных слоев
- •9.5. Ионная имплантация
- •9.5.1. Назначение и применение ионной имплантации
- •9.5.2. Применение ионной имплантации в технологии сбис. Создание мелких переходов
- •9.6. Геттерирование
- •9.7. Эффекты, используемые в технологии сбис
- •9.7.1. Оборудование для ионной имплантации
- •9.7.2. Механизм проникновения ионов в подложку Распределение внедренных атомов по глубине подложки оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:
- •9.8. Дефекты ионного легирования и способы их устранения
- •9.8.1. Ионное каналирование
- •9.8.2. Радиационные дефекты
- •9.9. Отжиг легированных структур
- •9.9.1. Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
- •9.9.2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором
- •9.9.3. Изотермический отжиг
- •9.9.4. Диффузия имплантированных примесей
- •9.9.5. Быстрый отжиг
- •9.9.6. Отжиг в атмосфере кислорода
- •9.10. Диффузия
- •9.10.1. Назначение и задачи диффузии
- •9.10.2. Модели и механизмы диффузии
- •1) Теории сплошных сред с использованием уравнений диффу-
- •9.11. Одномерное уравнение Фика
- •9.12. Постоянные коэффициенты диффузии
- •9.13. Механизмы диффузии в твердом теле
- •Механизм диффузии, когда соседний атом, будь то атом примеси или собственный атом кристалла, мигрирует на место вакансии, называется вакансионным.
- •Механизм диффузии, при котором атом переходит из одного междоузлия в другое, не попадая при этом в узлы кристаллической решетки, называется механизмом перемещения атомов по междоузлиям.
- •9.14. Диффузия из бесконечного источника Диффузия из бесконечного источника описывается уравнением:
- •9.15. Диффузия из ограниченного источника
- •9.16. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
- •9.7. Атомные механизмы диффузии
- •I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными де-
- •9.19. Способы контроля процессов диффузии
- •Глава 10
- •Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники
- •10.1. Типы интегральных микросхем
- •10.2. Корпуса имс и их конструкции
- •10.3. Требования к конструкции корпусов
- •10.4. Металлокерамические корпуса
- •10.5. Металлостеклянные корпуса
- •10.6. Пластмассовые корпуса
- •Температура;
- •Удельное давление;
- •Продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
- •10.7. Корпуса чашечного типа
- •Глава 11
- •Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники
- •11.1. Разделение пластин на кристаллы
- •11.2. Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями
- •11.3. Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями
- •11.4. Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой
- •11.5. Контроль качества сборочных операций
- •Перемычками
- •Глава 12
- •12.1. Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники
- •12.2. Процессы термокомпрессионной микросварки
- •12.3. Ультразвуковая и термозвуковая микросварка
- •12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
- •12.5. Монтаж жесткими объемными выводами
- •12.6. Монтаж кристаллов на плате
- •Глава 13
- •Герметизация изделий электроники и контроль герметичности
- •13.1. Герметизация корпусов сваркой
- •Относительная деформация и удельное давление для холодной сварки некоторых металлов
- •13.2. Герметизация корпусов пайкой
- •13.3. Герметизация пластмассами
- •13.4. Бескорпусная герметизация
- •13.5. Контроль герметичности изделий
- •13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
- •Глава 14
- •Обеспечение качества и надежности полупроводниковых
- •Приборов
- •14.1. Качество и надежность приборов электронной техники
- •14.2. Конструктивно-технологические особенности изделий интегральной электроники, влияющие на их надежность
- •14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
- •14.3.1. Анализ технологических процессов с использованием качественных диаграмм
- •14.3.2. Статистическое регулирование технологических процессов
- •14.4. Система контроля технологического процесса
- •14.4.1. Контроль качества изделий в процессе производства
- •14.4.2. Контроль технологического процесса
- •Ануфриев Леонид Петрович Бордусов Сергей Валентинович Гурский Леонид Ильич и др. Технология изделий интегральной электроники
хности ионных примесей. Кроме того, за счет интенсивного перемешивания раствора, обусловленного выделением пузырьков кислорода, и создания щелочной аммиачной среды происходит эффективная очистка поверхности от микрочастиц. Однако при использовании ПАР может наблюдаться загрязнение поверхности кремния примесями алюминия, магния и железа, что в ряде случаев требует дополнительной обработки в кислотных растворах.
Очистку поверхности подложек от металлических примесей производят в перекисно-соляном растворе (НСl:Н202:Н20=5:1:1) при температуре 70-90 °С. Действие ПСР основано на образовании хорошо растворимых простых и комплексных солей соляной кислоты с ионными и атомарными загрязнениями на поверхности кремния и диоксида кремния. ПСР эффективен для удаления как щелочных, так и тяжелых металлов.
2.5. Чистые производственные помещения
В связи с малыми размерами элементов современных ИМС (намного меньше 1 мкм) изготовление ИМС осуществляют в специальных чистых помещениях, к которым предъявляются особо жесткие требования по микроклимату. Под микроклиматом понимают параметры воздушной среды, заключенной в ограниченном объеме (количество загрязняющих частиц в воздухе, внутрикомнатное давление, температуру, влажность).
Загрязняющей частицей является любая аэрозоль (взвесь жидких или твердых частиц в атмосфере). Источниками загрязнений являются: 1) воздушная среда, 2) работающее оборудование, 3) производственный персонал.
Все производственные помещения для производства изделий интегральной электроники имеют определенный класс чистоты.
Класс чистоты - основная характеристика чистых помещений, характеризующаяся запыленностью воздуха. Запыленность воздуха — максимальная концентрация аэрозольных частиц определенного размера, находящихся в единице объема воздуха. Требования к запыленности воздуха чистых помещений различных классов чистоты приведены в табл. 2.2.
Для получения и поддержания в помещении необходимого класса чистоты существуют следующие четыре принципа.
Принцип 1. Частицы не должны вноситься извне.
Перед тем, как войти в чистое помещение проводят удаление пыли с помощью воздушного душа. Это необходимо для того, чтобы одежда не несла в чистую комнату загрязнений.
Прежде чем внести в чистую комнату какой-либо предмет, его чистят в тамбуре либо он проходит пропускной бокс.
Для предотвращения загрязнения воздуха в чистом помещении поддерживается избыток давления.
Чистая комната должна обладать высокой герметичностью.
Принцип 2. В чистых комнатах не допускается появление новых частиц.
Для того чтобы воспрепятствовать распространению пыли от работников, последние носят очищенную одежду, выполненную по специальному фасону из непылящего материала.
Производственные линии делают короткими, стараются исключить ненужные движения.
Для внутренней отделки чистых помещений выбирают материалы, выделяющие минимальное количество загрязняющих частиц.
В чистые помещения ограничивается внос предметов, способных привести к появлению загрязнений.
Дважды в смену в чистых помещениях производится влажная уборка технологического оборудования, стен, пола.
Принцип 3. Частицы не должны задерживаться.
При строительстве чистых помещений выбирают формы, затрудняющие скопление загрязняющих частиц, внутренняя отделка чистых помещений должна легко поддаваться очистке.
Для изготовления чистых помещений применяют антистатические материалы, затрудняющие прилипание взвешенных частиц.
Принцип 4. Появляющиеся частицы не должны рассеиваться по объему чистого помещения.
Вблизи источника загрязнения устанавливают приспособления для отсоса генерируемых частиц (вакуумная пылеуборка, вытяжная вентиляция).
С помощью высокоэффективных фильтров принимают меры по очистке подводимого воздуха.
Воздушные потоки в помещении носят ламинарный характер, а загрязнённый воздух удаляют, не позволяя ему рассеиваться.
Комплекс мер и требований, предъявляемых к производственным помещениям, персоналу, работающему в этих помещениях, спецодежде персонала, и регламентирующий порядок уборки в помещениях и контроль чистоты, называют электронной гигиеной (ЭГ).
Комплекс требований к действиям персонала при ремонте, обслуживании оборудования и при работе с полупроводниковыми пластинами и оснасткой, обеспечивающий минимальный прирост дефектности и исключающий появление брака, называют культурой производства.
Производство изделий интегральной электроники осуществляют в чистых производственных модулях. Чистым производственным модулем называют совокупность чистых комнат, зон обслуживания, а также бытовых комнат, туалетов, раздевалок, подсобных помещений, соединенных чистым коридором (см. рис. 2.12).
Чистая комната — чистое помещение определенного объема, в котором реализуется какая-либо технологическая операция, оснащенное определенным типом оборудования и в котором соблюдены все требования к технологическому микроклимату. Каждая из чистых комнат окружена сервисной зоной (или зоной обслуживания). В чистой комнате размещается технологическое оборудование и персонал. При этом в чистой комнате расположены только пульты управления, а также загру-зочно-разгрузочные устройства. Остальные части оборудования расположены в сервисной зоне.
Вход в чистый производственный модуль осуществляется через специальную шлюзовую камеру (узкий коридор шириной 1,2-1,5 м, в боковых стенках которого расположены патрубки, обеспечивающие обдув очищенным азотом).
В чистом производственном модуле помещения имеют различный класс чистоты. В проходном коридоре класс чистоты -100, в сервисной зоне - 1000, в чистой комнате — 10, а на рабочем месте - 1.
Чистое рабочее место — рабочее место с уменьшенной запыленностью, характеризуемое подачей фильтрованного воздуха и имеющее низкий класс чистоты.
Попадание из зоны обслуживания в чистое помещение должно быть исключено. При входе в модуль персонал дважды переодевается. Сначала в гардеробе первого переодевания (13) персонал снимает одежду, надевает халат и тапочки. Затем перемещается в гардероб второго переодевания (14), где облачается в защитный костюм (комбинезон с капюшоном, перчатки, бахилы и лицевую маску, закрывающую рот и нос). После этого через шлюз (15) персонал попадает в чистое производственное помещение.
Чистые комнаты имеют форму удлиненного прямоугольника и чередующиеся через них зоны обслуживания. Ширина коридора около 2,4 м. Размеры зон обслуживания определяются технологическим оборудованием и варьируются от 1,5 до 6,0 м.
Число чистых комнат определяется сложностью технологического процесса изготовления изделий. С помощью чистого коридора осуществляется связь как с чистыми комнатами, так и с бытовыми помещениями, а также осуществляется передача изделий (в современных модулях транспортировка партий плас-тин производится автоматическими транспортными системами).
Потолки чистых помещений представляют собой систему ячеек с фильтрами тонкой очистки (1), через которые сверху подается воздух, и освещающими устройствами (см. рис. 2.13). Удаление пыли из чистых помещений достигается за счет рациональной очистки и циркуляции воздуха. Наибольшая чистота достигается при скорости ламинарного потока воздуха 0,25 — 0,45 м/с. Поверхность пола (2) почти целиком занята вытяжными отверстиями. Под полом чистой комнаты имеется пространство для сбора и удаления воздуха. Воздушные потоки направлены от потолка по направлению к полу. Следовательно, если в верхней части помещения пыль отсутствует, то и во всей комнате будет достигаться высокая степень чистоты. Скорость ламинарного потока воздуха в чистой комнате составляет по-
