- •Глава 2. Полупроводниковые подложки, особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •Диффузия из бесконечного источника 331
- •Диффузия из ограниченного источника 332
- •Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии 334
- •Атомные механизмы диффузии 335
- •Факторы, влияющие на процессы диффузии 337
- •Способы контроля процессов диффузии 339
- •Глава 10. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники .. 343
- •Типы интегральных микросхем..... 343
- •Корпуса имс и их конструкции 347
- •Требования к конструкции корпусов .............356
- •Глава 8. Фотолитографические процессы 265
- •Металлокерамические корпуса 357
- •Металлостеклянные корпуса 364
- •Пластмассовые корпуса.... ... 372
- •Корпуса чашечного типа 380
- •Глава 11. Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники 382
- •Разделение пластин на кристаллы 382
- •Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями 398
- •Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями 402
- •Автоматизированный монтаж кристаллов
- •11.5. Контроль качества сборочных операций 408
- •Глава 9. Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии.... 303
- •9.10. Диффузия ..322
- •Назначение и задачи диффузии .......322
- •Модели и механизмы диффузии 323
- •Одномерное уравнение Фика 326
- •Постоянные коэффициенты диффузии......327
- •Механизмы диффузии в твердом теле 328
- •Глава 12. Микромонтаж изделий интегральной
- •Глава 13. Герметизация изделий электроники
- •Глава 14. Обеспечение качества и надежности изделий полупроводниковых приборов 488
- •Глава 1
- •Физико-химические основы и технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и изделий интегральной электроники
- •1.1. Основные материалы изделий интегральной электроники
- •1.2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •1.2.1. Функции состояний
- •1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •1.2.3. Фазовые переходы
- •1.2.4. Типы диаграмм состояния двойных систем
- •Pис. 1.11. Двухфазная диаграмма состояний, на которой показаны процессы отвердевания
- •1.3. Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в изделиях интегральной электроники
- •1.4. Твердая растворимость
- •1.5. Диаграммы состояния тройных систем
- •Высотой перпендикуляра (например, e0e5 на рис. 1.22, б) к данной точке; и
- •Кривыми, отражающими на диаграмме геометрические места точек с равными свойствами (так, например, на географической карте изображаются изогипсы).
- •1.6. Основные понятия и определения
- •1) Минимальным размером элемента, надежно воспроизводимым на полупроводниковой пластине, которым оценивается разрешающая способность процесса;
- •Предельными отклонениями размеров элементов одного топологического слоя от номинальных;
- •Ограниченное время межоперационного хранения партии пластин;
- •Высокие требования к производственной гигиене (1-2-й классы помещений по климатическим параметрам и 1-2-й классы по запыленности воздушной среды).
- •1.7. Основные тины структур интегральных микросхем
- •Сравнительные характеристики основных типов структур интегральных микросхем:
- •1.8. Процесс изготовления биполярных имс
- •1.9. Процесс изготовления кмоп имс
- •1.10. Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки
- •Проводимости
- •1.11. Технологический маршрут изготовления mosfet-транзисторов
- •1.12. Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров
- •1.50). В закрытом состоянии сопротивление тиристора велико, что соответствует участку малого тока через прибор на воль-тамперной характеристике.
- •Глава 2
- •Особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •2.1. Основные характеристики полупроводниковых подложек
- •2.2. Физико-химические основы подготовки гладких поверхностей подложек
- •2.3. Разновидности загрязнений и их влияние на технологические храктеристики полупроводниковых подложек. Источники загрязнения поверхности подложек
- •2.4. Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел
- •2.5. Чистые производственные помещения
- •2.6. Контроль дефектности технологического процесса
- •Глава 3
- •Обработка поверхности полупроводниковых пластин в жидких средах
- •3.1. Классификация типов обработки поверхности
- •3.2. Кинетика процесса химического травления
- •3.3. Механизмы травления полупроводников
- •3.4. Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.5. Особенности жидкостного травления функциональных слоев
- •3.6. Электрохимическая обработка поверхности
- •3.7. Парогазовое травление
- •Парогазовое травление кремниевых подложек в различных
- •Глава 4
- •Ионно-плазменные методы обработки поверхности полупроводниковых пластин
- •4.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
- •4.2. Механизмы процесса ионно-плазменного травления
- •Размещение подложек на запитываемом электроде (катоде);
- •Относительно низкие рабочие давления (0,133-13,3 Па).
- •4.3. Методы плазменного травления
- •4.4. Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного травления
- •Изотропного плазмохимического травления;
- •Осаждения полимера.
- •Глава 5
- •Эпитаксиальные процессы в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- •5.1. Эпитаксиальные процессы
- •5.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии
- •5.3. Автоэпитаксия кремния
- •Вентили
- •5.4. Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксиальные соотношения в гетероэпитаксиальных слоях кремния на сапфире
- •5.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений aiiibv и твердых растворов на их основе
- •Диэлектрические слои и методы их нанесения
- •6.1. Стабилизация и защита поверхности имс и полупроводниковых приборов
- •5.6. Дефекты эпитаксиальных слоев
- •Глава 6
- •6.2. Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев
- •6.3. Формирование тонких слоев методом химического осаждения из газовой фазы
- •6.4, Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из газовой фазы
- •6.5. Атомно-слоевое осаждение (ald)
- •Сравнение атомно-слоевого осаждения и осаждения из газовой фазы
- •6.6. Пленки, получаемые центрифугированием из растворов кремнийорганических соединений (нцр-пленки)
- •Глава 7
- •7.1. Термическое испарение материалов в вакууме
- •7.2. Краткая характеристика испарителей
- •7.3. Индукционные испарители
- •7.4. Электронно-лучевое испарение
- •7.5. Метод ионного распыления
- •7.6. Катодное распыление
- •7.7. Магнетронное распыление
- •7.8. Лазерно-плазменное распыление
- •7.9. Вакуумное оборудование для формирования пленок
- •7.9.1. Термическое испарение материала
- •Вакуумные установки увн-2м2 (урм.3.279.017; увн-75р1)
- •7.9.2. Формирование пленок электронно-лучевым методом Установка 01нэ-7-004 «Оратория-9»
- •Каркас, в котором размещается высоковакуумная системах рабочей камерой;
- •Стойка питания и управления, служащая для автоматического управления вакуумной откачкой, устройством нагрева, вращением подложек и электронно-лучевыми пушками;
- •Две стойки управления, раздельно для каждой электроннолучевой пушки.
- •7.9.3. Установка увнрэ-э60 (прототип уbh-z400 фирмы Leybold Heraeus)
- •7.9.4. Формирование металлических пленок магнетронным распылением
- •7.10. Установка лазерного распыления
- •Тонких пленок
- •Глава 8
- •8.1. Процессы в фоторезистах
- •Фоторезистов
- •8.3. Методы литографии
- •8.3.1. Оптическая литография (фотолитография)
- •8.3.2. Технология контактной фотолитографии
- •Низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;
- •Высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.
- •8.4. Методы повышения качества формирования изображения
- •8.4.1. Рентгенолитография
- •8.4.2. Электронолитография
- •8.5. Метод самосовмещения
- •Затворами
- •Глава 9
- •Получение электронно-дырочных - переходов методом диффузии
- •9.1. Основы диффузионной технологии
- •9.2. Легирующие примеси и источники диффузии
- •9.3. Технология проведения процессов диффузии
- •9.4. Контроль параметров диффузионных слоев
- •9.5. Ионная имплантация
- •9.5.1. Назначение и применение ионной имплантации
- •9.5.2. Применение ионной имплантации в технологии сбис. Создание мелких переходов
- •9.6. Геттерирование
- •9.7. Эффекты, используемые в технологии сбис
- •9.7.1. Оборудование для ионной имплантации
- •9.7.2. Механизм проникновения ионов в подложку Распределение внедренных атомов по глубине подложки оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:
- •9.8. Дефекты ионного легирования и способы их устранения
- •9.8.1. Ионное каналирование
- •9.8.2. Радиационные дефекты
- •9.9. Отжиг легированных структур
- •9.9.1. Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
- •9.9.2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором
- •9.9.3. Изотермический отжиг
- •9.9.4. Диффузия имплантированных примесей
- •9.9.5. Быстрый отжиг
- •9.9.6. Отжиг в атмосфере кислорода
- •9.10. Диффузия
- •9.10.1. Назначение и задачи диффузии
- •9.10.2. Модели и механизмы диффузии
- •1) Теории сплошных сред с использованием уравнений диффу-
- •9.11. Одномерное уравнение Фика
- •9.12. Постоянные коэффициенты диффузии
- •9.13. Механизмы диффузии в твердом теле
- •Механизм диффузии, когда соседний атом, будь то атом примеси или собственный атом кристалла, мигрирует на место вакансии, называется вакансионным.
- •Механизм диффузии, при котором атом переходит из одного междоузлия в другое, не попадая при этом в узлы кристаллической решетки, называется механизмом перемещения атомов по междоузлиям.
- •9.14. Диффузия из бесконечного источника Диффузия из бесконечного источника описывается уравнением:
- •9.15. Диффузия из ограниченного источника
- •9.16. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
- •9.7. Атомные механизмы диффузии
- •I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными де-
- •9.19. Способы контроля процессов диффузии
- •Глава 10
- •Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники
- •10.1. Типы интегральных микросхем
- •10.2. Корпуса имс и их конструкции
- •10.3. Требования к конструкции корпусов
- •10.4. Металлокерамические корпуса
- •10.5. Металлостеклянные корпуса
- •10.6. Пластмассовые корпуса
- •Температура;
- •Удельное давление;
- •Продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
- •10.7. Корпуса чашечного типа
- •Глава 11
- •Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники
- •11.1. Разделение пластин на кристаллы
- •11.2. Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями
- •11.3. Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями
- •11.4. Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой
- •11.5. Контроль качества сборочных операций
- •Перемычками
- •Глава 12
- •12.1. Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники
- •12.2. Процессы термокомпрессионной микросварки
- •12.3. Ультразвуковая и термозвуковая микросварка
- •12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
- •12.5. Монтаж жесткими объемными выводами
- •12.6. Монтаж кристаллов на плате
- •Глава 13
- •Герметизация изделий электроники и контроль герметичности
- •13.1. Герметизация корпусов сваркой
- •Относительная деформация и удельное давление для холодной сварки некоторых металлов
- •13.2. Герметизация корпусов пайкой
- •13.3. Герметизация пластмассами
- •13.4. Бескорпусная герметизация
- •13.5. Контроль герметичности изделий
- •13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
- •Глава 14
- •Обеспечение качества и надежности полупроводниковых
- •Приборов
- •14.1. Качество и надежность приборов электронной техники
- •14.2. Конструктивно-технологические особенности изделий интегральной электроники, влияющие на их надежность
- •14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
- •14.3.1. Анализ технологических процессов с использованием качественных диаграмм
- •14.3.2. Статистическое регулирование технологических процессов
- •14.4. Система контроля технологического процесса
- •14.4.1. Контроль качества изделий в процессе производства
- •14.4.2. Контроль технологического процесса
- •Ануфриев Леонид Петрович Бордусов Сергей Валентинович Гурский Леонид Ильич и др. Технология изделий интегральной электроники
должны быть более жесткими в сравнении с нормами, устанавливаемыми в стандартах или технических условиях на ИМС конкретных типов.
Предприятие-изготовитель совместно с техническим контролем ежемесячно проводит обобщение данных по проценту выхода годных ИМС с указанием основных дефектов, обнаруженных в производстве за истекший период, а также данных об уровне сдачи партий после первого предъявления в технический контроль.
Если производственный брак ИМС или число рекламаций на них резко возрастает, то изготовитель анализирует причины увеличения брака и рекламаций. На основании анализа предприятие-изготовитель разрабатывает необходимые мероприятия и внедряет их в производство.
14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
Одной из основных мер при повышении эффективности производства и качества выпускаемой продукции являемся контроль и управление качеством технологических процессов.
Организация обеспечения качества изделий в процессу производства тесно связана с организацией самого производства: и развивалась вместе с ним. Появилась необходимость в разработке таких методов контроля, которые могли бы обеспечить предотвращение массовых отказов при одновременном сокращении трудоемкости контрольных операций. К числу наиболее распространенных в отечественной и зарубежной практике методов относятся статистические методы контроля изделий и регулирования технологических операций и процессов. Их внедрение в производство ознаменовало начало перевода от обеспечения качества путем простой разбраковки готовых изделий на годные и брак к оперативному управлению качеством и предотвращению появления массового брака вследствие разладки технологического процесса.
В единой системе управления качеством, охватывающей все стадии жизненного цикла изделия (разработка - производство -эксплуатация), этап производства является основным, так как на этом этапе (от входного контроля исходных материалов до выходного контроля готовых изделий) обеспечивается вещественная реализация всех качественных показаний (параметров) изделия, заложенных на этапе конструирования и сохраняемых на этапе эксплуатации.
Общей целью любых систем управления качеством на этапе производства является обеспечение изготовления изделий в полном соответствии с требованиями нормативно-технической документации НТД (технические условия плюс конструкторская документация) при минимальных затратах.
Недостаточная изученность подчас сложнейших технологических операций, вероятностный характер их протекания и недостаточная управляемость обусловливают, в большинстве случаев, сравнительно низкий уровень процента выхода годных изделий. Обычно после запуска в производство новой ИМС процент выхода годных изделий постоянно растет, что объясняется отработкой технологических режимов, выявлением и использованием возможностей управления технологическими операциями, повышением квалификации исполнителей и т.п., и в течение трех-пяти лет может быть повышен в 2-5 и более раз. Одним из основных путей реализации этих резервов является организация системного анализа технологического процесса. Главным же инструментом системного анализа являются вероятностно-статистические методы.
Вторым направлением обеспечения качества изделий является стабилизация технологических операций и процессов, т.е. максимальное уменьшение разброса параметров, определяющих изделие на данной операции, а также своевременное обнаружение тенденции разладки процессов и устранение причин этой разладки до появлений массовых отказов. Реализация этого направления осуществляется путем своевременно регулирова-ния технологических режимов, в идеале с помощью автоматических средств и систем. Различные способы регулирования технологических процессов также основываются на статистических методах оценки их состояния.
И третье направление — сокращение затрат на контроль путем замены сплошного, т.е. 100%-ного, контроля выборочным. Выборочный контроль будет эффективным только тогда, когда он основывается на методах теории вероятностей и математической статистики.
Таким образом, в системе управления качеством при производстве ИМС широко используются: методы статистического анализа технологического процесса; методы статистического регулирования хода технологических операций и процесса в целом; выборочного статистического контроля качества продукции.
С усложнением ИС, т.е. с выпуском ВИС и СБИС, значение этих методов и умение их применять становится необходимым для широкого круга специалистов.
Информационной базой задач статистического анализа являются:
параметры контролируемых элементов кристаллов ИС;
параметры тестовых структур, специально изготовляемых и расположенных на каждом кристалле ИС, или сформированных с использованием схемотехнических элементов кристаллов ИМС;
параметры тестовых структур в составе специальных тестовых ячеек, изготавливаемых на пластинах одновременно с кристаллами ИС;
параметры структур контрольных пластин-спутников;
статические, динамические и другие параметры, контролируемые на кристаллах и готовых ИС.
Одной из основных задач системы статистического анализа технологии ИМС является задача выявления доминирующих параметров операционного контроля ИМС.
Основными точками сбора информации о качестве на стадиях изготовления ИМС, как правило, считаются операции:
диффузионно-окислительные;
фотолитографии и травления;
- проверки параметров и внешнего вида структур-кристаллов на пластине;
микроварки внутренних выводов;
проверки параметров при нормальных условиях и при крайних температурах;
проверки герметичности ИМС.
Например, на диффузионно-окислительных операциях рекомендуется осуществлять контроль следующих параметров: поверхностного сопротивления; глубины залегания диффузионных слоев; толщины эпитаксиальных пленок; пористости и толщины диэлектрических слоев; напряжения отсечки С—V-характе-ристик; коэффициента усиления прямого и инверсного; толщины проводящих слоев; пробивного напряжения коллектор — эмиттер; сопротивления тестового резистора; порогового напряжения; переходного сопротивления контактов между проводящими слоями и легированными областями.
При статистическом контроле производственных процессов происходит их непрерывное совершенствование и повышение за счет постоянного улучшения качества изделий. Наряду с информацией, получаемой в процессе производства, статистический контроль качества производства учитывает также результаты анализа изделий, отказавших в эксплуатации, т.е. скрытые дефекты, при этом результаты анализа соотносятся с ходом технологического процесса, учитывается, на каком этапе технологического процесса появился дефект, послуживший основой для выявления брака, разрабатываются меры для совершенствования технологического процесса повышения качества исходных материалов.
Анализ связи показателей качества пластин с параметрами операционного контроля является той основой, на которой базируется оценка уровня технологии изготовления ИМС и достигается повышение процента выхода годной продукции. Он может быть выполнен путем автоматизированного наложения данных операционного контроля и их исследования методами математической статистики. Необходимо отметить, что статистические методы контроля качества продукции применимы только к управляемому, стабильному производству.
