- •Глава 2. Полупроводниковые подложки, особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •Диффузия из бесконечного источника 331
- •Диффузия из ограниченного источника 332
- •Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии 334
- •Атомные механизмы диффузии 335
- •Факторы, влияющие на процессы диффузии 337
- •Способы контроля процессов диффузии 339
- •Глава 10. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники .. 343
- •Типы интегральных микросхем..... 343
- •Корпуса имс и их конструкции 347
- •Требования к конструкции корпусов .............356
- •Глава 8. Фотолитографические процессы 265
- •Металлокерамические корпуса 357
- •Металлостеклянные корпуса 364
- •Пластмассовые корпуса.... ... 372
- •Корпуса чашечного типа 380
- •Глава 11. Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники 382
- •Разделение пластин на кристаллы 382
- •Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями 398
- •Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями 402
- •Автоматизированный монтаж кристаллов
- •11.5. Контроль качества сборочных операций 408
- •Глава 9. Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии.... 303
- •9.10. Диффузия ..322
- •Назначение и задачи диффузии .......322
- •Модели и механизмы диффузии 323
- •Одномерное уравнение Фика 326
- •Постоянные коэффициенты диффузии......327
- •Механизмы диффузии в твердом теле 328
- •Глава 12. Микромонтаж изделий интегральной
- •Глава 13. Герметизация изделий электроники
- •Глава 14. Обеспечение качества и надежности изделий полупроводниковых приборов 488
- •Глава 1
- •Физико-химические основы и технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и изделий интегральной электроники
- •1.1. Основные материалы изделий интегральной электроники
- •1.2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •1.2.1. Функции состояний
- •1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •1.2.3. Фазовые переходы
- •1.2.4. Типы диаграмм состояния двойных систем
- •Pис. 1.11. Двухфазная диаграмма состояний, на которой показаны процессы отвердевания
- •1.3. Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в изделиях интегральной электроники
- •1.4. Твердая растворимость
- •1.5. Диаграммы состояния тройных систем
- •Высотой перпендикуляра (например, e0e5 на рис. 1.22, б) к данной точке; и
- •Кривыми, отражающими на диаграмме геометрические места точек с равными свойствами (так, например, на географической карте изображаются изогипсы).
- •1.6. Основные понятия и определения
- •1) Минимальным размером элемента, надежно воспроизводимым на полупроводниковой пластине, которым оценивается разрешающая способность процесса;
- •Предельными отклонениями размеров элементов одного топологического слоя от номинальных;
- •Ограниченное время межоперационного хранения партии пластин;
- •Высокие требования к производственной гигиене (1-2-й классы помещений по климатическим параметрам и 1-2-й классы по запыленности воздушной среды).
- •1.7. Основные тины структур интегральных микросхем
- •Сравнительные характеристики основных типов структур интегральных микросхем:
- •1.8. Процесс изготовления биполярных имс
- •1.9. Процесс изготовления кмоп имс
- •1.10. Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки
- •Проводимости
- •1.11. Технологический маршрут изготовления mosfet-транзисторов
- •1.12. Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров
- •1.50). В закрытом состоянии сопротивление тиристора велико, что соответствует участку малого тока через прибор на воль-тамперной характеристике.
- •Глава 2
- •Особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •2.1. Основные характеристики полупроводниковых подложек
- •2.2. Физико-химические основы подготовки гладких поверхностей подложек
- •2.3. Разновидности загрязнений и их влияние на технологические храктеристики полупроводниковых подложек. Источники загрязнения поверхности подложек
- •2.4. Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел
- •2.5. Чистые производственные помещения
- •2.6. Контроль дефектности технологического процесса
- •Глава 3
- •Обработка поверхности полупроводниковых пластин в жидких средах
- •3.1. Классификация типов обработки поверхности
- •3.2. Кинетика процесса химического травления
- •3.3. Механизмы травления полупроводников
- •3.4. Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.5. Особенности жидкостного травления функциональных слоев
- •3.6. Электрохимическая обработка поверхности
- •3.7. Парогазовое травление
- •Парогазовое травление кремниевых подложек в различных
- •Глава 4
- •Ионно-плазменные методы обработки поверхности полупроводниковых пластин
- •4.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
- •4.2. Механизмы процесса ионно-плазменного травления
- •Размещение подложек на запитываемом электроде (катоде);
- •Относительно низкие рабочие давления (0,133-13,3 Па).
- •4.3. Методы плазменного травления
- •4.4. Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного травления
- •Изотропного плазмохимического травления;
- •Осаждения полимера.
- •Глава 5
- •Эпитаксиальные процессы в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- •5.1. Эпитаксиальные процессы
- •5.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии
- •5.3. Автоэпитаксия кремния
- •Вентили
- •5.4. Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксиальные соотношения в гетероэпитаксиальных слоях кремния на сапфире
- •5.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений aiiibv и твердых растворов на их основе
- •Диэлектрические слои и методы их нанесения
- •6.1. Стабилизация и защита поверхности имс и полупроводниковых приборов
- •5.6. Дефекты эпитаксиальных слоев
- •Глава 6
- •6.2. Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев
- •6.3. Формирование тонких слоев методом химического осаждения из газовой фазы
- •6.4, Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из газовой фазы
- •6.5. Атомно-слоевое осаждение (ald)
- •Сравнение атомно-слоевого осаждения и осаждения из газовой фазы
- •6.6. Пленки, получаемые центрифугированием из растворов кремнийорганических соединений (нцр-пленки)
- •Глава 7
- •7.1. Термическое испарение материалов в вакууме
- •7.2. Краткая характеристика испарителей
- •7.3. Индукционные испарители
- •7.4. Электронно-лучевое испарение
- •7.5. Метод ионного распыления
- •7.6. Катодное распыление
- •7.7. Магнетронное распыление
- •7.8. Лазерно-плазменное распыление
- •7.9. Вакуумное оборудование для формирования пленок
- •7.9.1. Термическое испарение материала
- •Вакуумные установки увн-2м2 (урм.3.279.017; увн-75р1)
- •7.9.2. Формирование пленок электронно-лучевым методом Установка 01нэ-7-004 «Оратория-9»
- •Каркас, в котором размещается высоковакуумная системах рабочей камерой;
- •Стойка питания и управления, служащая для автоматического управления вакуумной откачкой, устройством нагрева, вращением подложек и электронно-лучевыми пушками;
- •Две стойки управления, раздельно для каждой электроннолучевой пушки.
- •7.9.3. Установка увнрэ-э60 (прототип уbh-z400 фирмы Leybold Heraeus)
- •7.9.4. Формирование металлических пленок магнетронным распылением
- •7.10. Установка лазерного распыления
- •Тонких пленок
- •Глава 8
- •8.1. Процессы в фоторезистах
- •Фоторезистов
- •8.3. Методы литографии
- •8.3.1. Оптическая литография (фотолитография)
- •8.3.2. Технология контактной фотолитографии
- •Низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;
- •Высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.
- •8.4. Методы повышения качества формирования изображения
- •8.4.1. Рентгенолитография
- •8.4.2. Электронолитография
- •8.5. Метод самосовмещения
- •Затворами
- •Глава 9
- •Получение электронно-дырочных - переходов методом диффузии
- •9.1. Основы диффузионной технологии
- •9.2. Легирующие примеси и источники диффузии
- •9.3. Технология проведения процессов диффузии
- •9.4. Контроль параметров диффузионных слоев
- •9.5. Ионная имплантация
- •9.5.1. Назначение и применение ионной имплантации
- •9.5.2. Применение ионной имплантации в технологии сбис. Создание мелких переходов
- •9.6. Геттерирование
- •9.7. Эффекты, используемые в технологии сбис
- •9.7.1. Оборудование для ионной имплантации
- •9.7.2. Механизм проникновения ионов в подложку Распределение внедренных атомов по глубине подложки оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:
- •9.8. Дефекты ионного легирования и способы их устранения
- •9.8.1. Ионное каналирование
- •9.8.2. Радиационные дефекты
- •9.9. Отжиг легированных структур
- •9.9.1. Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
- •9.9.2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором
- •9.9.3. Изотермический отжиг
- •9.9.4. Диффузия имплантированных примесей
- •9.9.5. Быстрый отжиг
- •9.9.6. Отжиг в атмосфере кислорода
- •9.10. Диффузия
- •9.10.1. Назначение и задачи диффузии
- •9.10.2. Модели и механизмы диффузии
- •1) Теории сплошных сред с использованием уравнений диффу-
- •9.11. Одномерное уравнение Фика
- •9.12. Постоянные коэффициенты диффузии
- •9.13. Механизмы диффузии в твердом теле
- •Механизм диффузии, когда соседний атом, будь то атом примеси или собственный атом кристалла, мигрирует на место вакансии, называется вакансионным.
- •Механизм диффузии, при котором атом переходит из одного междоузлия в другое, не попадая при этом в узлы кристаллической решетки, называется механизмом перемещения атомов по междоузлиям.
- •9.14. Диффузия из бесконечного источника Диффузия из бесконечного источника описывается уравнением:
- •9.15. Диффузия из ограниченного источника
- •9.16. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
- •9.7. Атомные механизмы диффузии
- •I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными де-
- •9.19. Способы контроля процессов диффузии
- •Глава 10
- •Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники
- •10.1. Типы интегральных микросхем
- •10.2. Корпуса имс и их конструкции
- •10.3. Требования к конструкции корпусов
- •10.4. Металлокерамические корпуса
- •10.5. Металлостеклянные корпуса
- •10.6. Пластмассовые корпуса
- •Температура;
- •Удельное давление;
- •Продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
- •10.7. Корпуса чашечного типа
- •Глава 11
- •Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники
- •11.1. Разделение пластин на кристаллы
- •11.2. Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями
- •11.3. Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями
- •11.4. Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой
- •11.5. Контроль качества сборочных операций
- •Перемычками
- •Глава 12
- •12.1. Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники
- •12.2. Процессы термокомпрессионной микросварки
- •12.3. Ультразвуковая и термозвуковая микросварка
- •12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
- •12.5. Монтаж жесткими объемными выводами
- •12.6. Монтаж кристаллов на плате
- •Глава 13
- •Герметизация изделий электроники и контроль герметичности
- •13.1. Герметизация корпусов сваркой
- •Относительная деформация и удельное давление для холодной сварки некоторых металлов
- •13.2. Герметизация корпусов пайкой
- •13.3. Герметизация пластмассами
- •13.4. Бескорпусная герметизация
- •13.5. Контроль герметичности изделий
- •13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
- •Глава 14
- •Обеспечение качества и надежности полупроводниковых
- •Приборов
- •14.1. Качество и надежность приборов электронной техники
- •14.2. Конструктивно-технологические особенности изделий интегральной электроники, влияющие на их надежность
- •14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
- •14.3.1. Анализ технологических процессов с использованием качественных диаграмм
- •14.3.2. Статистическое регулирование технологических процессов
- •14.4. Система контроля технологического процесса
- •14.4.1. Контроль качества изделий в процессе производства
- •14.4.2. Контроль технологического процесса
- •Ануфриев Леонид Петрович Бордусов Сергей Валентинович Гурский Леонид Ильич и др. Технология изделий интегральной электроники
ляются на испарители с горячим катодом и анодной мишенью и испарители с «электронной пушкой».
Нанесение пленок титана производится с помощью «электронной пушки» на подложку, нагретую до температуры 250...300 °С при вакууме не хуже 6,7 ∙ 10-4 Па. Электронно-лучевое испарение титана в высоком вакууме позволяет приблизительно на порядок повысить скорость напыления пленки по сравнению с катодным распылением.
Термическое испарение вещества в вакууме имеет ряд недо-статков и ограничений, главные из которых следующие:
а) напыление пленок из тугоплавких материалов (W, Mo, SiO2, Аl2O3 и др.) требует высоких температур на испарителе, при которых неизбежно «загрязнение» потока материалом испа- рителя;
б) при испарении сплавов различие в скорости испарения от- дельных компонентов приводит к изменению состава пленки по сравнению с исходным составом материала, помещенного в испаритель;
в) инерционность процесса, требующая введения в рабочую ка- меру заслонки с электромагнитным приводом;
г) неравномерность толщины пленки, вынуждающая применять устройства перемещения подложек и корректирующие диаф- рагмы.
Первые три недостатка обусловлены необходимостью высокотемпературного нагрева вещества, а последний — высоким вакуумом в рабочей камере.
7.2. Краткая характеристика испарителей
Качество пленок, получаемых путем термического испарения в вакууме, в значительной мере зависит от типа и конструкции испарителей. Применяемые для этой цели испарители сильно различаются. Их конструкции определяются свойствами испаряемых материалов, требуемой скоростью испарения, количеством испаряемого вещества за один цикл загрузки, исходной формой вещества (гранулы, порошок, проволока), а также
рядом других факторов. Требования к однородности свойств пленой, а также обеспечение производительности и экономичности использования технологического оборудования накладывают жесткие условия на характеристики испарителей.
Часто бывает необходимо, чтобы испаритель обеспечивал постоянную скорость осаждения пленки независимо от количества оставшегося в испарителе вещества. Выполнение этого условия исключает влияние изменения скорости напыления в течение каждого отдельного процесса на структуру пленки. При этом также легко получать заданную толщину пленки, прекращая испарение при достижении определенного сопротивления слоя или регулируя продолжительность испарения после того, как установлена постоянная скорость напыления. Во многих случаях от испарителя требуется, чтобы он обеспечивал такое распределение молекулярного потока, при котором достигается максимальная равномерность толщины покрытия на большой площади. Важным требованием является то, чтобы при работе испарителя не образовывались посторонние легколетучие вещества, способные загрязнить наносимые пленки. Кроме того, испаритель должен обладать достаточной долговечностью, характеризующейся временем, в течение которого он в состоянии обеспечить в заданных пределах режимы испарения.
К материалам, используемым для испарителей подогревателя, предъявляются следующие требования:
давление пара материала испарителя при температуре испарения напыляемого вещества должно быть пренебрежимо малым;
материал испарителя должен хорошо смачиваться расплавленным испаряемым материалом, что необходимо для обеспечений хорошего теплового контакта между ними;
между материалами испарителя и испаряемым веществом не должно происходить химических реакций, а также не должны образовываться легколетучие соединения этих веществ, так как в противном случае происходит загрязнение наносимых пленок и разрушение испарителей.
Одним из важных факторов, характеризующих процесс нанесения тонких пленок в вакууме, является способ, при кото-
ром осаждаемый материал нагревается до температуры испарения или возгонки.
В зависимости от способа нагрева испарители можно подразделить на резистивные, индукционные и электронные. В резис-тивных испарителях тепловая энергия для нагрева испаряемого вещества получается за счет выделения джоулева тепла при прохождении тока через нагреватель (резистивный нагрев). Большим преимуществом резистивного нагрева является простота устройств электропитания, а также удобство контроля и регулирования режимов работы испарителя.
В индукционных испарителях металл, подлежащий испарению, окружается индуктором, представляющим собой один или несколько медных водоохлаждаемых витков, по которым проходит ток высокой частоты. Созданное этим током переменное магнитное поле вызывает в металле вихревые токи, которые и нагревают его до температуры испарения. При использовании этого метода нагрева в рабочей камере отсутствуют разогретые элементы, такие как нагреватели при резистивном или катод при электронно-лучевом методе нагрева. В процессе испарения металла за счет сил электродинамического воздействия происходит непрерывное перемешивание расплава, что способствует его эффективному обезгаживанию.
При помощи индукционного нагрева возможно осуществить бестигельное испарение металла из капли, находящейся во взвешенном состоянии в электромагнитном поле индуктора. При этом целиком отпадают проблемы, связанные с взаимодействием между испаряемым веществом и испарителем.
К недостаткам индукционного метода нагрева следует отнести относительно высокую стоимость оборудования и низкий электрический КПД, из-за необходимости применения преобразователей частоты, невозможность непосредственного испарения диэлектриков и невозможность в практических условиях изменять частоту генератора и коэффициент трансформации выход-ного трансформатора, что приводит к необходимости использования различных индукторов для испарения различных материалов.
Широкое применение для нагрева испаряемых материалов нашел метод электронной бомбардировки. Метод нагрева электронной бомбардировкой имеет ряд преимуществ перед остальными. Так, с помощью электронных пучков можно получить поток энергии с большой концентрацией мощности на сравнительно небольшой поверхности испарителя (до 5,0 ∙ 108 Вт/ см2). Точная фокусировка электронного пучка позволяет получить очень высокую температуру, что в свою очередь позволяет испарять даже самые тугоплавкие металлы.
Метод позволяет получить большую чистоту и однородность состава напыляемой пленки, легко регулировать и контролировать как мощность нагрева, так и скорость напыления. Ионизация пара испаряемого вещества позволяет контролировать скорость испарения путем измерения ионного тока в цепи коллектора.
К недостаткам метода следует отнести необходимость высокого напряжений (порядка 10 кВ). Особые требования предъявляются к конструкции и материалу катода. Катод должен обеспечивать высокую плотность эмиссии электронов и сохранять стабильность при работе в относительно плохом вакууме (до 1,3 ∙ 10-2 Па), а также должен быть стоек к бомбардировке положительными ионами. Для увеличения срока службы катода его удаляют на значительное расстояние от зоны плавки, а электронный луч отклоняется на большой угол и пропускается через систему диафрагм.
По конструктивным признакам все испарители подразделяются на следующие основные типы: проволочные, ленточные и тигельные (автотигельные).
Проволочные испарители, основное преимущество которых заключается в простоте их устройства, изготавливаются из тугоплавких металлов в виде цилиндрической спирали, конической спирали, спирали V-образной, волнообразной формы и др. Применяемая проволока (диаметром от 0,5 до 1,5 мм) Должна иметь по всей длине одинаковое сечение. В противном случае из-за местных перегревов будет нарушаться равномерность нагрева и проволока быстро перегорит.
Для качественного испарения металла с нити необходимо выполнение следующих условий:
металл должен смачивать нить;
металл должен иметь достаточное для испарения давление паров при температуре, меньшей температуры плавления нити;
металл не должен взаимодействовать с нитью и образовывать с ней соединения.
Хорошая смачиваемость приводит к взаимодействию испаряемого материала с материалом испарителя, что приводит к разрушению испарителей. Этим объясняется относительно низкая долговечность проволочных испарителей. Большим недостатком испарителей являются трудности испарения порошкообразных диэлектрических материалов.
На рис. 7.3 схематически показаны наиболее распространенные конструкции проволочных испарителей. Для испарения небольших количеств металлов применяются U-образные, V-образные, W-образные, волнообразные и спиральные испарители. Эти виды испарителей хорошо противостоят вибрации, обеспечивают достаточно однородное испарение, и при их использовании легко осуществляется компенсация тепловых деформаций. Испаряемый материал размещается на этих испарителях в виде проволочных навесок, U-образные (см. рис. 7.3, а) и V-образные (см. рис. 7.3, б) испарители часто называют точечными, т.к. они образуют точечную каплю. Однако наиболее интенсивное испарение здесь происходит не из капли, а с прилегающих к изгибу участков. Испаритель (см. рис. 7.3, в) используется для увеличения площади и интенсивности испарения, т.е. увеличения скорости испарения, что обеспечивает получение большей толщины пленки за заданный промежуток времени. Для увеличения длины испаряемого вещества в виде проволоки используют испарители типа (см. рис. 7.3, г, д, е). Эти испарители (см. рис. 7.3, г, д, е) используется, также как и испарители (см. рис. 7.3, б, в), но только для материалов, слабосмачивающих материал испарителя. Проволока, навитая на нагреватель в виде спирали, увеличивает площадь соприкосновения с нагревателем, и тем самым обеспечивается увеличение плотности потока ато-
мов испаряемого материала. Испаритель типа (см. рис. 7.3, ж) используют для распыления материалов, испаряющихся сублимацией, например Мо, при этом испарение идет по всей длине материала. Испаритель (см. рис. 7.3, з) используется для напыления двухкомпонентного материала (например, NiCr). Но нагрев надо вести при большом токе, чтобы навеска распылялась быстро, т.к. температуры испарения Ni и Сr различны, а первым пылится Сr, и только затем Ni, поэтому обеспечить стандартное соотношение NiCr 80:20 по толщине напыляемой пленки затруднительно.
Для направленного испарения основного материала вверх используются испарители, свитые в виде конической спирали (см. рис.7.4, и). С конической спирали можно испарять металлы, слабое мачивающие тугоплавкие нагреватели, например се-ребро и медь. Расстояние между витками должно быть небольшим, чтобы капли расплавленного металла хорошо удерживались на спирали.
Рис. 7.4. Ленточные испарители
Испарители (см. рис. 7.3, к, л) окружены тепловыми экранами (2), которые уменьшают потери на излучение и одновременно создают направленность потока (3) испаряемрго материала, находящегося внутри стирали (1) (см. рис. 7.3, к) или охваты-вающёго нагреваемый стержень (см. рис. 7.3, л).
Все виды проволочных испарителей могут выполняться как одножильными, так и многожильными. При употребления многожильный испарителей возможно осуществлять испарение достаточно большого количества вещества, добиться более равно-
мерного распределения испаряемого материала на подложке, распылять металлы, плохо смачивающие нагреватель (например, Аl); увеличить скорость испарения, а также увеличить срок службы испарителя.
Ленточные испарители представляют собой нагреватели, изготовленные из тонких листов тугоплавких металлов и имеющие специальные углубления в виде желобков, лодочек или коробочек, в которых размещается испаряемый материал. Они применяются для испарения больших количеств вещества, для испарения металлов, плохо смачивающих нагреватель, а также для испарения порошковых материалов и неорганических соединений. Эти испарители, так же как и проволочные, потребляют достаточно большую мощность вследствие больших потерь на излучение. Ленточные испарители обеспечивают большую направленность испарения, при этом их предельно возможная область испарения ограничена телесным углом 2π сте-рад. Они обычно изготавливаются из тугоплавких металлов (тантал, молибден, платина).
Наиболее надежными являются испарители открытого типа (см. рис. 7.4, а-г), представляющие собой ленты с углублениями в средней части для фиксации расплавленного материала. Ленточные испарители, как и все другие, деформируются при высоких температурах, что приводит к нарушению взаимного расположения испарителя и подложки. Термические деформации могут быть минимизированы либо приданием испарителям более сложной формы (см. рис. 7.4, д), либо применением специальных пружин, компенсирующих термическое расширение испарителя. Для того чтобы обеспечить наиболее высокую температуру в средней части испарителя, ему придается форма с расширением по концам (см. рис. 7.4, е). На рис. 7.4 (ж) показан испаритель с сетчатой крышкой, предназначенной для испарения порошкообразных материалов с вертикально и горизонтально направленным потоком пара. С помощью испарителя (см. рис. 7.4, з) можно одновременно покрывать образцы пленками равной толщины из разных материалов, рас-полагая их у торцов цилиндра нагревателя. Эта конструкция обеспечивает малое загрязнение пленки веществом нагревате-
ля, поскольку покрываемые образцы обращены к торцевым срезам цилиндра нагревателя.
Испаритель значительной протяженности может быть изготовлен в виде цилиндра со щелью по образующей (см. рис. 7.4, к). Внутри такого цилиндра создаются условия теплообмена, подобные таковым у черного тела. Поэтому в них даже вещества с малой теплопроводностью сравнительно быстро приобретают температуру испарителя. В данном испарителе поток атомов может быть сделан более направленным, если изогнуть цилиндр так, чтобы создать узкую глубокую щель. Такой испаритель ограничивает поток атомов в ненужных направлениях, что существенно, например, при нанесении покрытий на вращающиеся цилиндры.
Испаритель лодочного типа (см. рис. 7.4, л) предназначается для испарения диэлектриков и металлов в больших количествах. Он непригоден для испарения хорошо смачивающих нагреватель металлов, которые, растекаясь по нему, значительно снижают его сопротивление, вследствие чего нагреватель может перегореть. Ленточный испаритель трубчатого типа (см. рис 7.4, м) предназначен для испарения веществ с малой теплопроводностью. Испарители этого типа могут иметь значительную протяженность.
Тигельные испарители могут применяться только для испарения материалов, не вступающих в реакцию с материалом тигля и не образующих с ними соединений. Они изготавливаются из тугоплавких металлов (W, Та, Мо), из оксидов (Аl2О3, ВеО, ZrО2, ThО2 и др.) и графита. Для напыления материалов с низкой температурой испарения можно использовать тигли из стекла и кварца. При резистивном нагреве тиглей, изготавливаемых из оксидов металлов, до высоких температур проволочными нагревателями из тугоплавких металлов между нагревателями и тиглем обычно имеют место химические реакции, которые и приводят к разрушению тигля. Экспериментально установлено, что наиболее надежными являются испарители, у которых испаряемый материал не соприкасается непосредственно с нагревательным элементом, а лишь получает от него тепло.
