- •Глава 2. Полупроводниковые подложки, особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •Диффузия из бесконечного источника 331
- •Диффузия из ограниченного источника 332
- •Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии 334
- •Атомные механизмы диффузии 335
- •Факторы, влияющие на процессы диффузии 337
- •Способы контроля процессов диффузии 339
- •Глава 10. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники .. 343
- •Типы интегральных микросхем..... 343
- •Корпуса имс и их конструкции 347
- •Требования к конструкции корпусов .............356
- •Глава 8. Фотолитографические процессы 265
- •Металлокерамические корпуса 357
- •Металлостеклянные корпуса 364
- •Пластмассовые корпуса.... ... 372
- •Корпуса чашечного типа 380
- •Глава 11. Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники 382
- •Разделение пластин на кристаллы 382
- •Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями 398
- •Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями 402
- •Автоматизированный монтаж кристаллов
- •11.5. Контроль качества сборочных операций 408
- •Глава 9. Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии.... 303
- •9.10. Диффузия ..322
- •Назначение и задачи диффузии .......322
- •Модели и механизмы диффузии 323
- •Одномерное уравнение Фика 326
- •Постоянные коэффициенты диффузии......327
- •Механизмы диффузии в твердом теле 328
- •Глава 12. Микромонтаж изделий интегральной
- •Глава 13. Герметизация изделий электроники
- •Глава 14. Обеспечение качества и надежности изделий полупроводниковых приборов 488
- •Глава 1
- •Физико-химические основы и технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и изделий интегральной электроники
- •1.1. Основные материалы изделий интегральной электроники
- •1.2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •1.2.1. Функции состояний
- •1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •1.2.3. Фазовые переходы
- •1.2.4. Типы диаграмм состояния двойных систем
- •Pис. 1.11. Двухфазная диаграмма состояний, на которой показаны процессы отвердевания
- •1.3. Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в изделиях интегральной электроники
- •1.4. Твердая растворимость
- •1.5. Диаграммы состояния тройных систем
- •Высотой перпендикуляра (например, e0e5 на рис. 1.22, б) к данной точке; и
- •Кривыми, отражающими на диаграмме геометрические места точек с равными свойствами (так, например, на географической карте изображаются изогипсы).
- •1.6. Основные понятия и определения
- •1) Минимальным размером элемента, надежно воспроизводимым на полупроводниковой пластине, которым оценивается разрешающая способность процесса;
- •Предельными отклонениями размеров элементов одного топологического слоя от номинальных;
- •Ограниченное время межоперационного хранения партии пластин;
- •Высокие требования к производственной гигиене (1-2-й классы помещений по климатическим параметрам и 1-2-й классы по запыленности воздушной среды).
- •1.7. Основные тины структур интегральных микросхем
- •Сравнительные характеристики основных типов структур интегральных микросхем:
- •1.8. Процесс изготовления биполярных имс
- •1.9. Процесс изготовления кмоп имс
- •1.10. Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки
- •Проводимости
- •1.11. Технологический маршрут изготовления mosfet-транзисторов
- •1.12. Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров
- •1.50). В закрытом состоянии сопротивление тиристора велико, что соответствует участку малого тока через прибор на воль-тамперной характеристике.
- •Глава 2
- •Особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •2.1. Основные характеристики полупроводниковых подложек
- •2.2. Физико-химические основы подготовки гладких поверхностей подложек
- •2.3. Разновидности загрязнений и их влияние на технологические храктеристики полупроводниковых подложек. Источники загрязнения поверхности подложек
- •2.4. Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел
- •2.5. Чистые производственные помещения
- •2.6. Контроль дефектности технологического процесса
- •Глава 3
- •Обработка поверхности полупроводниковых пластин в жидких средах
- •3.1. Классификация типов обработки поверхности
- •3.2. Кинетика процесса химического травления
- •3.3. Механизмы травления полупроводников
- •3.4. Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.5. Особенности жидкостного травления функциональных слоев
- •3.6. Электрохимическая обработка поверхности
- •3.7. Парогазовое травление
- •Парогазовое травление кремниевых подложек в различных
- •Глава 4
- •Ионно-плазменные методы обработки поверхности полупроводниковых пластин
- •4.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
- •4.2. Механизмы процесса ионно-плазменного травления
- •Размещение подложек на запитываемом электроде (катоде);
- •Относительно низкие рабочие давления (0,133-13,3 Па).
- •4.3. Методы плазменного травления
- •4.4. Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного травления
- •Изотропного плазмохимического травления;
- •Осаждения полимера.
- •Глава 5
- •Эпитаксиальные процессы в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- •5.1. Эпитаксиальные процессы
- •5.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии
- •5.3. Автоэпитаксия кремния
- •Вентили
- •5.4. Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксиальные соотношения в гетероэпитаксиальных слоях кремния на сапфире
- •5.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений aiiibv и твердых растворов на их основе
- •Диэлектрические слои и методы их нанесения
- •6.1. Стабилизация и защита поверхности имс и полупроводниковых приборов
- •5.6. Дефекты эпитаксиальных слоев
- •Глава 6
- •6.2. Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев
- •6.3. Формирование тонких слоев методом химического осаждения из газовой фазы
- •6.4, Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из газовой фазы
- •6.5. Атомно-слоевое осаждение (ald)
- •Сравнение атомно-слоевого осаждения и осаждения из газовой фазы
- •6.6. Пленки, получаемые центрифугированием из растворов кремнийорганических соединений (нцр-пленки)
- •Глава 7
- •7.1. Термическое испарение материалов в вакууме
- •7.2. Краткая характеристика испарителей
- •7.3. Индукционные испарители
- •7.4. Электронно-лучевое испарение
- •7.5. Метод ионного распыления
- •7.6. Катодное распыление
- •7.7. Магнетронное распыление
- •7.8. Лазерно-плазменное распыление
- •7.9. Вакуумное оборудование для формирования пленок
- •7.9.1. Термическое испарение материала
- •Вакуумные установки увн-2м2 (урм.3.279.017; увн-75р1)
- •7.9.2. Формирование пленок электронно-лучевым методом Установка 01нэ-7-004 «Оратория-9»
- •Каркас, в котором размещается высоковакуумная системах рабочей камерой;
- •Стойка питания и управления, служащая для автоматического управления вакуумной откачкой, устройством нагрева, вращением подложек и электронно-лучевыми пушками;
- •Две стойки управления, раздельно для каждой электроннолучевой пушки.
- •7.9.3. Установка увнрэ-э60 (прототип уbh-z400 фирмы Leybold Heraeus)
- •7.9.4. Формирование металлических пленок магнетронным распылением
- •7.10. Установка лазерного распыления
- •Тонких пленок
- •Глава 8
- •8.1. Процессы в фоторезистах
- •Фоторезистов
- •8.3. Методы литографии
- •8.3.1. Оптическая литография (фотолитография)
- •8.3.2. Технология контактной фотолитографии
- •Низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;
- •Высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.
- •8.4. Методы повышения качества формирования изображения
- •8.4.1. Рентгенолитография
- •8.4.2. Электронолитография
- •8.5. Метод самосовмещения
- •Затворами
- •Глава 9
- •Получение электронно-дырочных - переходов методом диффузии
- •9.1. Основы диффузионной технологии
- •9.2. Легирующие примеси и источники диффузии
- •9.3. Технология проведения процессов диффузии
- •9.4. Контроль параметров диффузионных слоев
- •9.5. Ионная имплантация
- •9.5.1. Назначение и применение ионной имплантации
- •9.5.2. Применение ионной имплантации в технологии сбис. Создание мелких переходов
- •9.6. Геттерирование
- •9.7. Эффекты, используемые в технологии сбис
- •9.7.1. Оборудование для ионной имплантации
- •9.7.2. Механизм проникновения ионов в подложку Распределение внедренных атомов по глубине подложки оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:
- •9.8. Дефекты ионного легирования и способы их устранения
- •9.8.1. Ионное каналирование
- •9.8.2. Радиационные дефекты
- •9.9. Отжиг легированных структур
- •9.9.1. Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
- •9.9.2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором
- •9.9.3. Изотермический отжиг
- •9.9.4. Диффузия имплантированных примесей
- •9.9.5. Быстрый отжиг
- •9.9.6. Отжиг в атмосфере кислорода
- •9.10. Диффузия
- •9.10.1. Назначение и задачи диффузии
- •9.10.2. Модели и механизмы диффузии
- •1) Теории сплошных сред с использованием уравнений диффу-
- •9.11. Одномерное уравнение Фика
- •9.12. Постоянные коэффициенты диффузии
- •9.13. Механизмы диффузии в твердом теле
- •Механизм диффузии, когда соседний атом, будь то атом примеси или собственный атом кристалла, мигрирует на место вакансии, называется вакансионным.
- •Механизм диффузии, при котором атом переходит из одного междоузлия в другое, не попадая при этом в узлы кристаллической решетки, называется механизмом перемещения атомов по междоузлиям.
- •9.14. Диффузия из бесконечного источника Диффузия из бесконечного источника описывается уравнением:
- •9.15. Диффузия из ограниченного источника
- •9.16. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
- •9.7. Атомные механизмы диффузии
- •I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными де-
- •9.19. Способы контроля процессов диффузии
- •Глава 10
- •Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники
- •10.1. Типы интегральных микросхем
- •10.2. Корпуса имс и их конструкции
- •10.3. Требования к конструкции корпусов
- •10.4. Металлокерамические корпуса
- •10.5. Металлостеклянные корпуса
- •10.6. Пластмассовые корпуса
- •Температура;
- •Удельное давление;
- •Продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
- •10.7. Корпуса чашечного типа
- •Глава 11
- •Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники
- •11.1. Разделение пластин на кристаллы
- •11.2. Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями
- •11.3. Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями
- •11.4. Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой
- •11.5. Контроль качества сборочных операций
- •Перемычками
- •Глава 12
- •12.1. Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники
- •12.2. Процессы термокомпрессионной микросварки
- •12.3. Ультразвуковая и термозвуковая микросварка
- •12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
- •12.5. Монтаж жесткими объемными выводами
- •12.6. Монтаж кристаллов на плате
- •Глава 13
- •Герметизация изделий электроники и контроль герметичности
- •13.1. Герметизация корпусов сваркой
- •Относительная деформация и удельное давление для холодной сварки некоторых металлов
- •13.2. Герметизация корпусов пайкой
- •13.3. Герметизация пластмассами
- •13.4. Бескорпусная герметизация
- •13.5. Контроль герметичности изделий
- •13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
- •Глава 14
- •Обеспечение качества и надежности полупроводниковых
- •Приборов
- •14.1. Качество и надежность приборов электронной техники
- •14.2. Конструктивно-технологические особенности изделий интегральной электроники, влияющие на их надежность
- •14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
- •14.3.1. Анализ технологических процессов с использованием качественных диаграмм
- •14.3.2. Статистическое регулирование технологических процессов
- •14.4. Система контроля технологического процесса
- •14.4.1. Контроль качества изделий в процессе производства
- •14.4.2. Контроль технологического процесса
- •Ануфриев Леонид Петрович Бордусов Сергей Валентинович Гурский Леонид Ильич и др. Технология изделий интегральной электроники
герметизированных сваркой или пайкой, степень герметичности составляет 6,7.10-9м3Па/с, что обеспечивает поддержание избыточного давления внутри блока в течение 8 лет.
13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
Повышение влагоустойчивости полупроводниковых приборов и ИМС в пластмассовых корпусах является актуальной задачей, т.к. причинами отказов микросхем являются растрескивание корпусов в процессе пайки и коррозия алюминиевых проводников и контактных площадок на поверхности кристалла. Негерметичный пластмассовый корпус - серьезная проблема защиты сложных электронных компонентов. Пластмассовые корпуса, предназначенные для поверхностного монтажа, могут расслаиваться или растрескиваться в процессе пайки оплавлением. Эффект растрескивания корпусов обусловлен влагой, поглощенной при формировании пластмассового корпуса. Поглощенная влага имеет тенденцию собираться под кристаллом, прикрепленным к основанию, и превращаться в пар, при нагреве корпуса до температур от 218 до 230 °С, которая является типичной температурой для процесса пайки оплавлением. Образующийся пар создает давление на границе кристалл - компаунд и вызывает расслаивание и растрескивание корпусов (см. рис. 13.10).
Существует два пути проникновения влаги и ее адсорбции не на поверхность кристаллов микросхем, защищенных эпоксидными компаундами. Первый - через поверхность раздела между компаундом и выводами; второй - диффузией влаги через материал корпуса. Все пластмассы в какой-то степени адсорбируют влагу, однако количественно влагоустойчивость зависит от структуры защитного покрытия и условий отверждения. Компаунды, содержащие в своем составе полярные гидрофильные группы, адсорбируют влагу значительно больше, чем неполярные смолы.
При определении времени влагозащиты следует рассматривать явление сорбции влаги герметизирующим материалом, т.е. постепенное повышение концентрации влаги на поверхности герметизируемого изделия. Расчет обычно сводится к определению времени, в течение которого на внутренней стороне герметизирующей оболочки образуется критическая концентрация влаги, соответствующая критическому давлению паров воды. Поэтому время наступления такого состояния будет определяться толщиной оболочки, а также скоростью процесса сорбции, т.е. коэффициентом диффузии влаги в полимер. Время влагозащиты монолитных полимерных корпусов можно определить из выражения:
Температурная зависимость коэффициента диффузии D определяется выражением:
В результате адсорбции влаги и ее диффузии через герметизирующую оболочку со временем увеличивается количество адсорбированной влаги на изделиях внутри корпуса вплоть до некоторого значения, являющегося для данного корпуса критическим. Однако при образовании адгезионных связей герметизирующего материала с поверхностью теплоотвода, энергия которых превышает энергию адсорбции влаги этой поверхностью, действительное время влагозащиты превысит значение, определенное из выражения (13.18):
(13.20)
где tдиф - время влагозащиты, обусловленное временем диффузии влаги через герметизирующий слой полимера; tадг — время влагозащиты, обусловленное наличием адгезионных связей полимера с поверхностью кристаллодержателя.
Применение эффективной дополнительной защиты кристалла (нанесение защитного компаунда) позволяет увеличить время влагозащиты за счет составляющей tдиф, которая включаем:
(13.21)
где tдиф1 - время влагозащиты, обусловленное временем диффузии влаги через герметизирующий слой полимерного корпуса; tдиф2 - время влагозащиты, обусловленное временем диффузии влаги через герметизирующий слой компаунда на кристалле.
Однако не всякий компаунд обладает эффективной защитой от проникновения влаги. В результате проникновения влаги и растворенных в ней ионных загрязнений, которые, попадая на поверхность кристалла, образуют агрессивный электролит, возникает коррозия проводников и контактных площадок на поверхности кристалла. Мобильные ионы Na+,К+, Li+, NH4+ и особенно Сl-, вызывают разрушение проволочного монтажа и металлических слоев микросхем. Внешний вид таких дефектов микросварного соединения при разварке алюминиевой проволокой на кристаллодержатель показан на рис. 13.11.
Современная технология получения герметизирующих мате-риалов позволяет свести к минимуму количество ионов Сl и других примесей. Так пресс-материалы различных фирм-изгото-
вителей содержат в своем составе ионогенных примесей от 5 . 10-3 - 5 . 10-6 % (см. табл. 13,3).
Проникновение мобильных ионов внутрь корпуса может происходить в процессе изготовления ИМС на операциях очистки, металлизации, маркировки, пайки и др.
Рис. 13.11. Внешний вид дефектов микросварного соединения
Для изделий в пластмассовых корпусах попадание ионов хлора наиболее вероятно на таких операциях, предшествующих гальваническому осаждению сплава олово-висмут на внешние выводы и теплоотвод, как: обезжиривание деталей в растворе CaCO3+NaON+Na3PO4+стекло натриевое при температуре 60-80 °С в течение 10-15 мин с плотностью тока на катоде 0,5-1,0 А/дм2, травление в растворе HNO3:H2SO4:HCl = 1:1:0,2, в течение 3-5 с и декапировании в растворе НСl:Н2O = 2:1 в течение 60-180 с.
Эффективность защиты от воздействия агрессивных сред оценивали на приборах до формирования полимерного корпуса. Приборы, собранные с различными защитными покрытиями типа ЭП-91, КО-97, ЛД, КЭН-3, АД-9103 и ККП-2 подвергались воздействию агрессивных сред, предусмотренных технологическим процессом. Прямое воздействие агрессивных сред на полимерные защитные покрытия ЭП-91, КО-97, ЛД, КЭН-3, АД-9103 приводит к деструкции и разрушению, снижению адгезии как к металлическому кристаллодержателю, так и к кремниевому кристаллу. В свою очередь это приводит к попаданию влаги на кристалл и растравливанию алюминиевого слоя на кристалле.
Для получения влагостойких полимерных корпусов важное значение имеет технология их формования, в частности, подготовка и очистка поверхности пресс-формы перед процессом герметизации. Плохо подготовленная и неочищенная поверхность пресс-формы может приводить к снижению качества формования и ухудшению герметичности корпуса. Поэтому непременным условием является процедура хорошей периодической очистки пресс-форм, частота которой зависит от конструкции пресс-формы, параметров прессования, используемого пресс-материала. При этом необходимо учитывать, что остатки компонентов самого очистителя в гнездах пресс-формы могут внедряться в состав полимерного корпуса в процессе последующей герметизации, ухудшая качество приборов. Для повышения эффективности отделения корпуса от зеркала пресс-формы без остатков прес-сматериала в конструкции пресс-формы предусмотрено двухслойное хромовое покрытие, а угол боковых стенок литниковой системы выбран в пределах 9-10°.
Для оценки состояния влагоустойчивости корпуса ТО-220, изготовленного с использованием пресс-материалов разных производителей, проводилась выдержка приборов при избыточном давлении 0,5МПа в спиртовом растворе, содержащем краситель для визуализации пути проникновения влаги. После вскрытия корпусов установлено, что основная масса затекшего родамина попадает в корпус со стороны кристаллодержателя, где отсутствует замок. Внешний вид кристаллодержателей с затеканием родамина показан на рис. 13.12.
Пути проникновения влаги одинаковые для корпусов, изготовленных с использованием различных пресс-материалов. Это указывает на то, проникновение влаги происходит по границе полимер - выводная рамка и во многом определяется адгезионной составляющей tадг, обусловленной наличием адгезионных связей полимера с поверхностью выводной рамки, а также конструкцией рамки. Установлены основные пути затекания влаги в полимерный корпус в процессе испытаний в автоклаве (см. рис. 13.13): со стороны отверстия в теплоотводе (А), c верхней части боковых сторон кристаллодержателя выше «замка» (В), с нижней части боковых сторон кристаллодержателя ниже «замка» (С), с нижней части кристаллодержателя (D). В то же время со стороны выводов затекание родамина не выявлено.
Таким образом, для повышения влагоустойчивости улучшают адгезионную прочность сцепления пресс-материала и кристаллодержателя, что достигается доработкой конструкции выводной рамки за счет введения замков герметичности по периметру кристаллодержателя, а также выбором оптимальных режимов герметизации и окончательного отверждения полимерного корпуса.
Для оценки влагоустойчивости ИМС в дластмаcсовом корпусе целесообразно использовать ускоренные методы испытаний с повышением температуры и влажности среды с приложенным внешним напряжением (HAST) и без напряжения (РСТ). Пластмассовый корпус не может полностью изолировать активную структуру ИМС от воздействия влаги. При этом резко ускоряются процессы, приводящие к отказам ИМС. Поэтому наиболее распространенным является метод испытаний под давлением пара (pressure cookertest - РСТ) в автоклаве.
Испытание в автоклаве проводится в режиме хранения в перегретом паре при температуре 4-121 °С, давлении 0,2 МПа и относительной влажности 100 %. Такие испытания проводили в течение 240 ч. При этом перегретый пар быстро проникает по дефектам пластмассового корпуса и инициирует процессы гальванической коррозии. При испытаниях в автоклаве коэффициент ускорения определяли из выражения:
При приложении в этих условиях к ИМС электрической нагрузки (HAST - highly accelerated stress test) реализуются испытания с большим ускорением. Они проводятся не только при температуре 121 °С, но и при более высоких температурах вплоть до 155 °С в условиях ненасыщенного пара (80—85 % относительной влажности). При этом коэффициенты ускорения для ИМС в пластмассовых корпусах достигают 700-3500.
