- •Глава 2. Полупроводниковые подложки, особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •Диффузия из бесконечного источника 331
- •Диффузия из ограниченного источника 332
- •Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии 334
- •Атомные механизмы диффузии 335
- •Факторы, влияющие на процессы диффузии 337
- •Способы контроля процессов диффузии 339
- •Глава 10. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники .. 343
- •Типы интегральных микросхем..... 343
- •Корпуса имс и их конструкции 347
- •Требования к конструкции корпусов .............356
- •Глава 8. Фотолитографические процессы 265
- •Металлокерамические корпуса 357
- •Металлостеклянные корпуса 364
- •Пластмассовые корпуса.... ... 372
- •Корпуса чашечного типа 380
- •Глава 11. Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники 382
- •Разделение пластин на кристаллы 382
- •Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями 398
- •Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями 402
- •Автоматизированный монтаж кристаллов
- •11.5. Контроль качества сборочных операций 408
- •Глава 9. Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии.... 303
- •9.10. Диффузия ..322
- •Назначение и задачи диффузии .......322
- •Модели и механизмы диффузии 323
- •Одномерное уравнение Фика 326
- •Постоянные коэффициенты диффузии......327
- •Механизмы диффузии в твердом теле 328
- •Глава 12. Микромонтаж изделий интегральной
- •Глава 13. Герметизация изделий электроники
- •Глава 14. Обеспечение качества и надежности изделий полупроводниковых приборов 488
- •Глава 1
- •Физико-химические основы и технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и изделий интегральной электроники
- •1.1. Основные материалы изделий интегральной электроники
- •1.2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •1.2.1. Функции состояний
- •1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •1.2.3. Фазовые переходы
- •1.2.4. Типы диаграмм состояния двойных систем
- •Pис. 1.11. Двухфазная диаграмма состояний, на которой показаны процессы отвердевания
- •1.3. Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в изделиях интегральной электроники
- •1.4. Твердая растворимость
- •1.5. Диаграммы состояния тройных систем
- •Высотой перпендикуляра (например, e0e5 на рис. 1.22, б) к данной точке; и
- •Кривыми, отражающими на диаграмме геометрические места точек с равными свойствами (так, например, на географической карте изображаются изогипсы).
- •1.6. Основные понятия и определения
- •1) Минимальным размером элемента, надежно воспроизводимым на полупроводниковой пластине, которым оценивается разрешающая способность процесса;
- •Предельными отклонениями размеров элементов одного топологического слоя от номинальных;
- •Ограниченное время межоперационного хранения партии пластин;
- •Высокие требования к производственной гигиене (1-2-й классы помещений по климатическим параметрам и 1-2-й классы по запыленности воздушной среды).
- •1.7. Основные тины структур интегральных микросхем
- •Сравнительные характеристики основных типов структур интегральных микросхем:
- •1.8. Процесс изготовления биполярных имс
- •1.9. Процесс изготовления кмоп имс
- •1.10. Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки
- •Проводимости
- •1.11. Технологический маршрут изготовления mosfet-транзисторов
- •1.12. Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров
- •1.50). В закрытом состоянии сопротивление тиристора велико, что соответствует участку малого тока через прибор на воль-тамперной характеристике.
- •Глава 2
- •Особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •2.1. Основные характеристики полупроводниковых подложек
- •2.2. Физико-химические основы подготовки гладких поверхностей подложек
- •2.3. Разновидности загрязнений и их влияние на технологические храктеристики полупроводниковых подложек. Источники загрязнения поверхности подложек
- •2.4. Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел
- •2.5. Чистые производственные помещения
- •2.6. Контроль дефектности технологического процесса
- •Глава 3
- •Обработка поверхности полупроводниковых пластин в жидких средах
- •3.1. Классификация типов обработки поверхности
- •3.2. Кинетика процесса химического травления
- •3.3. Механизмы травления полупроводников
- •3.4. Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.5. Особенности жидкостного травления функциональных слоев
- •3.6. Электрохимическая обработка поверхности
- •3.7. Парогазовое травление
- •Парогазовое травление кремниевых подложек в различных
- •Глава 4
- •Ионно-плазменные методы обработки поверхности полупроводниковых пластин
- •4.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
- •4.2. Механизмы процесса ионно-плазменного травления
- •Размещение подложек на запитываемом электроде (катоде);
- •Относительно низкие рабочие давления (0,133-13,3 Па).
- •4.3. Методы плазменного травления
- •4.4. Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного травления
- •Изотропного плазмохимического травления;
- •Осаждения полимера.
- •Глава 5
- •Эпитаксиальные процессы в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- •5.1. Эпитаксиальные процессы
- •5.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии
- •5.3. Автоэпитаксия кремния
- •Вентили
- •5.4. Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксиальные соотношения в гетероэпитаксиальных слоях кремния на сапфире
- •5.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений aiiibv и твердых растворов на их основе
- •Диэлектрические слои и методы их нанесения
- •6.1. Стабилизация и защита поверхности имс и полупроводниковых приборов
- •5.6. Дефекты эпитаксиальных слоев
- •Глава 6
- •6.2. Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев
- •6.3. Формирование тонких слоев методом химического осаждения из газовой фазы
- •6.4, Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из газовой фазы
- •6.5. Атомно-слоевое осаждение (ald)
- •Сравнение атомно-слоевого осаждения и осаждения из газовой фазы
- •6.6. Пленки, получаемые центрифугированием из растворов кремнийорганических соединений (нцр-пленки)
- •Глава 7
- •7.1. Термическое испарение материалов в вакууме
- •7.2. Краткая характеристика испарителей
- •7.3. Индукционные испарители
- •7.4. Электронно-лучевое испарение
- •7.5. Метод ионного распыления
- •7.6. Катодное распыление
- •7.7. Магнетронное распыление
- •7.8. Лазерно-плазменное распыление
- •7.9. Вакуумное оборудование для формирования пленок
- •7.9.1. Термическое испарение материала
- •Вакуумные установки увн-2м2 (урм.3.279.017; увн-75р1)
- •7.9.2. Формирование пленок электронно-лучевым методом Установка 01нэ-7-004 «Оратория-9»
- •Каркас, в котором размещается высоковакуумная системах рабочей камерой;
- •Стойка питания и управления, служащая для автоматического управления вакуумной откачкой, устройством нагрева, вращением подложек и электронно-лучевыми пушками;
- •Две стойки управления, раздельно для каждой электроннолучевой пушки.
- •7.9.3. Установка увнрэ-э60 (прототип уbh-z400 фирмы Leybold Heraeus)
- •7.9.4. Формирование металлических пленок магнетронным распылением
- •7.10. Установка лазерного распыления
- •Тонких пленок
- •Глава 8
- •8.1. Процессы в фоторезистах
- •Фоторезистов
- •8.3. Методы литографии
- •8.3.1. Оптическая литография (фотолитография)
- •8.3.2. Технология контактной фотолитографии
- •Низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;
- •Высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.
- •8.4. Методы повышения качества формирования изображения
- •8.4.1. Рентгенолитография
- •8.4.2. Электронолитография
- •8.5. Метод самосовмещения
- •Затворами
- •Глава 9
- •Получение электронно-дырочных - переходов методом диффузии
- •9.1. Основы диффузионной технологии
- •9.2. Легирующие примеси и источники диффузии
- •9.3. Технология проведения процессов диффузии
- •9.4. Контроль параметров диффузионных слоев
- •9.5. Ионная имплантация
- •9.5.1. Назначение и применение ионной имплантации
- •9.5.2. Применение ионной имплантации в технологии сбис. Создание мелких переходов
- •9.6. Геттерирование
- •9.7. Эффекты, используемые в технологии сбис
- •9.7.1. Оборудование для ионной имплантации
- •9.7.2. Механизм проникновения ионов в подложку Распределение внедренных атомов по глубине подложки оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:
- •9.8. Дефекты ионного легирования и способы их устранения
- •9.8.1. Ионное каналирование
- •9.8.2. Радиационные дефекты
- •9.9. Отжиг легированных структур
- •9.9.1. Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
- •9.9.2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором
- •9.9.3. Изотермический отжиг
- •9.9.4. Диффузия имплантированных примесей
- •9.9.5. Быстрый отжиг
- •9.9.6. Отжиг в атмосфере кислорода
- •9.10. Диффузия
- •9.10.1. Назначение и задачи диффузии
- •9.10.2. Модели и механизмы диффузии
- •1) Теории сплошных сред с использованием уравнений диффу-
- •9.11. Одномерное уравнение Фика
- •9.12. Постоянные коэффициенты диффузии
- •9.13. Механизмы диффузии в твердом теле
- •Механизм диффузии, когда соседний атом, будь то атом примеси или собственный атом кристалла, мигрирует на место вакансии, называется вакансионным.
- •Механизм диффузии, при котором атом переходит из одного междоузлия в другое, не попадая при этом в узлы кристаллической решетки, называется механизмом перемещения атомов по междоузлиям.
- •9.14. Диффузия из бесконечного источника Диффузия из бесконечного источника описывается уравнением:
- •9.15. Диффузия из ограниченного источника
- •9.16. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
- •9.7. Атомные механизмы диффузии
- •I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными де-
- •9.19. Способы контроля процессов диффузии
- •Глава 10
- •Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники
- •10.1. Типы интегральных микросхем
- •10.2. Корпуса имс и их конструкции
- •10.3. Требования к конструкции корпусов
- •10.4. Металлокерамические корпуса
- •10.5. Металлостеклянные корпуса
- •10.6. Пластмассовые корпуса
- •Температура;
- •Удельное давление;
- •Продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
- •10.7. Корпуса чашечного типа
- •Глава 11
- •Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники
- •11.1. Разделение пластин на кристаллы
- •11.2. Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями
- •11.3. Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями
- •11.4. Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой
- •11.5. Контроль качества сборочных операций
- •Перемычками
- •Глава 12
- •12.1. Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники
- •12.2. Процессы термокомпрессионной микросварки
- •12.3. Ультразвуковая и термозвуковая микросварка
- •12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
- •12.5. Монтаж жесткими объемными выводами
- •12.6. Монтаж кристаллов на плате
- •Глава 13
- •Герметизация изделий электроники и контроль герметичности
- •13.1. Герметизация корпусов сваркой
- •Относительная деформация и удельное давление для холодной сварки некоторых металлов
- •13.2. Герметизация корпусов пайкой
- •13.3. Герметизация пластмассами
- •13.4. Бескорпусная герметизация
- •13.5. Контроль герметичности изделий
- •13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
- •Глава 14
- •Обеспечение качества и надежности полупроводниковых
- •Приборов
- •14.1. Качество и надежность приборов электронной техники
- •14.2. Конструктивно-технологические особенности изделий интегральной электроники, влияющие на их надежность
- •14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
- •14.3.1. Анализ технологических процессов с использованием качественных диаграмм
- •14.3.2. Статистическое регулирование технологических процессов
- •14.4. Система контроля технологического процесса
- •14.4.1. Контроль качества изделий в процессе производства
- •14.4.2. Контроль технологического процесса
- •Ануфриев Леонид Петрович Бордусов Сергей Валентинович Гурский Леонид Ильич и др. Технология изделий интегральной электроники
брака могут быть устранены и предупреждены при соблюдении технологии, качественном контроле паяемых деталей и узлов и тщательной проверке кассет после их изготовления и в процессе работы.
В настоящее время в промышленности применяют способы герметизации с помощью бесфлюсовой пайки (например, пайка эвтектикой золото-олово), которую осуществляют в конвейерных печах в среде инертного газа при 320-350 °С (температура плавления эвтектики 280 °С). Поскольку припой обладает низкой текучестью, пайка требует длительного времени, при этом основание корпуса и крышку предварительно золотят. Сплав золото-олово очень хрупкий, поэтому изготовление прокладок из этого припоя представляет собой сложный технологический процесс.
13.3. Герметизация пластмассами
Современный этап развития электронной промышленности характеризуется значительным увеличением объёмов производства надежных и дешевых полупроводниковых приборов и микросхем в пластмассовых корпусах. Такое увеличение связано с дальнейшей микроминиатюризацией, заменой дорогостоящих металлостеклянных и металлокерамических корпусов, экономией драгоценных металлов, возможностью совмещения технологических операций изготовления корпусов и герметизации и полной их механизации.
Пластмасса изолирует приборы и микросхемы от внешних воздействий и обеспечивает требуемую механическую и электрическую прочность. Различные типы ИМС герметизируют в пластмассовые корпуса разными способами, что связано в основном с их конструктивными особенностями и объемами производства. Различают следующие технологические способы пластмассовой герметизации: литьевое или трансферное прессование; компрессионное прессование; опрессовка с помощью жидких композиций; обволакивание и окунание: герметизация в полые пластмассовые корпуса; заливка во вспомогательные съемные формы; заливка в предварительно изготовленный корпус-капсулу. Способ трансферного прессования как для термоплас-
тичных, так и для термореактивных масс, распространен в промышленности наиболее широко.
Несмотря на то, что многие полупроводниковые приборы, диодные матрицы и интегральные микросхемы, герметизированные пластмассами, успешно работают в различных электронных устройствах и аппаратуре, повышение надежности этих изделий остается актуальным вопросом. Это связано с тем, что герметизация с помощью пластмасс имеет и недостатки: ухудшение условий теплоотвода; появление остаточных напряжений, возникающих при отверждении герметика; недостаточность влагостойкости вследствие сорбции влаги полимерами; подверженность процессам старения.
Защитные свойства пластмассового корпуса характеризуются скоростью проникновения через пластмассу газов и паров, количеством адсорбируемой влаги, адгезией пластмассы к металлу рамки и выводов.
Для герметизации полупроводниковых приборов и микросхем используют различные пластичные материалы на основе эпоксидных, кремнийорганических и полиэфирных смол (эмали, заливочные компаунды, порошкообразные композиции). К ним предъявляют требования, определяемые надежной работой изделий в различных климатических условиях при электрических и механических нагрузках.
Различают две основные группы свойств пластмасс: физико-химические и технологические, характеризующие перераба-тываемость пластмасс. К первой группе относятся плотность, теплопроводность, механическая прочность; термостойкость, электроизоляционные свойства и др. В зависимости от типа герметизируемых приборов отдельные электрические характеристики приобретают особое значение.
Так, при герметизации высоковольтных полупроводниковых приборов необходимо использовать материал, обладающий высокой электрической прочностью, которая служит критерием для сравнительной оценки способности данной пластмассы противостоять электрическому пробою. Для приборов, работающих в СВЧ диапазоне, большое значение имеют диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь (способ-
ность пластмассы рассеивать электрическую энергию в переменном поле). Для маломощных диодов, обладающих малыми уровнями обратных токов, необходимо выбирать пластмассы с высокими значениями поверхностных и объемных сопротивлений.
Ко второй группе относятся текучесть, скорость отверждения, усадка и др. Текучесть характеризует способность материала к переработке, т.е. способность пластмассы под действием теплоты и давления течь и заполнять пресс-форму или заливочную форму. Текучесть зависит от внутреннего трения между частицами материала (степень трения, в свою очередь, определяется вязкостью смолы, природой наполнителя и его количеством), внешнего трения (обусловленного качеством полировки пресс-формы и степенью прилипания к ней материала) и от скорости отверждения. При слишком высокой текучести материал затекает в мельчайшие зазоры между соединяемыми деталями пресс-формы, прилипает к поверхности формующих полостей, а при низкой текучести повышается удельное давление прессования.
Усадка — это свойство пластмасс уменьшаться в размерах при охлаждении, которая зависит прежде всего от природы материала, давления и температуры прессования, изменения структуры материала при отверждении и др. Для материалов, используемых при герметизации в полупроводниковой промышленности, усадка допускается не более 0,6 %.
Важным свойством пластмасс является стойкость к набуханию во влажной атмосфере. При повышенной влажности пластмасс возрастает усадка, увеличивается деформация изделий (коробление) и время выдержки при прессовании, что отрицательно сказывается на качестве герметизации. Радикальными средствами уменьшения влажности пресс-материалов являются их сушка за счет предварительного прогрева.
Герметизация прессованием пластмасс основана на особенности ряда полимерных материалов расплавляться и течь под действием температуры и давления, заполняя при этом пустоты металлической формы с изделиями. Применяют в основном два способа герметизации прессованием: компрессионное и литьевое. При компрессионном прессовании пресс-материал помещают непосредственно в пресс-форму, при литьевом — в загрузочную камеру.
Герметизация компрессионным прессованием (см. рис. 13.7) происходит следующим образом. В пресс-форму (2) загружают арматуру изделия и таблетированный или порошкообразный материал (3). При смыкании пресс-формы пресс-материал под воздействием теплоты и давления, развиваемого прессом, переходит в пластическое состояние и заполняет формующую полость (4). По окончании выдержки спрессованные изделия вынимают из пресс-форм. При компрессионном прессовании давление не остается постоянным. В начале прессования, когда материал переходит в пластифицированное состояние, заполняет формующую полость пресс-формы и начинает полимеризовать-ся, давление достигает максимума. К этому времени формующая полость заполняется полностью, но пластмасса еще не затвердев ла. При дальнейшей выдержке высокое давление сохранять не нужно. Выдержку проводят при незначительном давлении, чтобы обеспечить выход летучих веществ и воды, выделяемых пресс-материалом. Основными параметрами технологического режима прессования являются температура, удельное давление и продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
При литьевом прессовании (см. рис. 13.8) загрузочная камера пресс-формы отделена от формующей полости. Пресс-материал помещают в загрузочную камеру, где он подвергается воздействию теплоты и давления. Переходя в полужидкое состояние, пресс-материал по специальным каналам-литникам поступает в формующую полость пресс-формы, в рабочих гнездах которой заложена арматура полупроводниковых изделий, что обеспечивает полный равномерный прогрев всего пресс-материала.
Основные требования, предъявляемые к полимерным материалам, используемым для герметизации, это способность к хорошему измельчению, формованию при низких давлениях, сохранению высокой текучести на период протекания состава и заполнения пресс-формы, а также отсутствие абразивного действия на пресс-форму. Это надо учитывать при выборе наполнителей, поскольку приходится иметь дело с литниками, имеющими диаметры несколько десятых долей миллиметра.
При заполнении пресс-формы пластмассой, представляющей собой вязкие жидкие композиции, можно вызвать повреждения изделий и монтажных соединений. Эти повреждения могут появиться в результате возникновения механических воздействий на изделия из-за гидравлического сопротивления протеканию пластмассы в оформляющей полости пресс-формы.
Способность формоваться при низких давлениях (0,5 - 5) 106 Па имеют специально разработанные эпоксидные составы ЭФП, К81-39С, кремнийорганический пресс-порошок ЭКП-200 и др.
Технологический процесс литьевого прессования (трансфер-ного литья) на съемных пресс-формах состоит из подготовки материала к прессованию, подготовки пресс-форм и размещения в них арматур, собственно трансферного литья, доделочных операций, контроля качества спрессованных приборов.
В подготовку пресс-материалов входят просев, окрашивание, отмеривание дозы пресс-порошка и таблетирование и сушка. Эти операции направлены на ускорение технологического процесса, улучшение качества и внешнего вида пластмассовых корпусов. Указанные операции не являются общепринятыми для всех видов и марок пресс-материалов, а применяются при необходимости.
Так, при повышенном по сравнению с допустимым содержанием влаги и других летучих веществ в пресс-материалах производят сушку пресс-порошков при 80 °С. При повышенных требованиях к пластмассовым корпусам приборов или микросхем пресс-порошки дополнительно просеивают через специальное сито.
При герметизации пластмассами способом литьевого прессования большое значение приобретает точная дозировка пресс-
материала, загружаемого в загрузочную камеру. Такая дозировка обычно обеспечивается таблетированием пресс-материала, т.е. его механическим прессованием в твердые таблетки различной формы на специальных таблеточных машинах.
К преимуществам таблетирования порошкообразных материалов относят: уменьшение объема исходного материала, а следовательно, размеров загрузочных камер пресс-формы и упрощение их загрузки; сокращение потерь сырья; ускорение процесса предварительного подогрева и сокращение цикла прессования.
Подготовка пресс-форм для герметизации состоит из очистки и протирки рабочих поверхностей миткалем или бязью, смоченной в спирте; смазки их кремнийорганическими жидкостями во избежание прилипания материала; загрузки арматуры; предварительного прогрева пресс-формы при повышенных температурах (150-180 °С).
Наиболее удобно герметизировать прессованием полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы, собранные на отрезках ленты или рамках, где имеются специальные технологические отверстия, которые совмещают с фиксирующими штырьками пресс-форм для точной посадки арматуры в формующие полости. Загрузка арматуры для компенсации потери теплоты выполняется на рабочей плите пресса, нагретой до 180—200 °С. После этого пресс-форму собирают и под прессом смыкают ее верхнюю и нижнюю части. Качество герметизации в большой степени зависит от конструкции пресс-форм, которые являются сложным и дорогостоящим инструментом. Устройство пресс-форм разнообразно и зависит от конструкции герметизируемого изделия, имеющегося оборудования и требуемой производительности. Пресс-формы, используемые для трансферного литья, по характеру эксплуатации могут быть съемными и стационарными; по количеству одновременно прессуемых изделий - одно- и многогнездными; по положению плоскости разъема - с одной или несколькими плоскостями разъема. Съемные пресс-формы в процессе прессования не закрепляются на плитах и снимаются с них для извлечения готового изделия и загрузки новой партии приборов. Стационарные пресс-формы закреплены на плитах пресса неподвижно, поэтому загрузка изделий и извлечение их после герметизации осуществляются без съема пресс-формы.
Оптимальные технологические режимы прессования выбирают в результате предварительных расчетов и оценки качества готовых изделий (визуально, сравнением физико-химических показателей и полноты отверждения). Давление прессования определяют по формуле
Средняя скорость впрыскивания пластмассы определяется давлением прессования и сечением литников и оформляющих полостей пресс-формы. По мере увеличения давления прессования возрастает средняя скорость впрыскивания пластмассы, сокращается время заполнения пресс-формы, но одновременно возрастают динамические нагрузки, которые могут привести к нарушению целостности герметизируемой арматуры. Снижение скорости впрыскивания, а следовательно, и увеличение времени заполнения пресс-формы возможны лишь в определенных пределах, поскольку это связано с ограничением времени жизни пресс-порошка в жидком состоянии (для пресс-материалов ЭФП оно составляет 40-50 с). Переход герметизирующего материала ЭФП из жидкого состояния в отвержденное длится 180-200 с с момента засыпки порции порошка в загрузочную камеру. Исходя из этого и учитывая время разогрева порции пресс-порошка в загрузочной камере до подачи давления, и рассчитывают время, необходимое для герметизации корпусов.
Герметизация приклеиванием крышки к основанию (см. рис. 13.9) — наиболее простой способ, не требующий применения сложного специализированного оборудования. При этом к клеевому составу предъявляются следующие требования: высокая адгезия к материалу корпуса; максимально близкое согласование в значениях коэффициента температурного расширения клея и материала корпуса; невысокая вязкость, обеспечиваю-
щая получение клеевого шва толщиной 0,1-0,2 мм; умеренная температура отверждения (не выше 70-80 °С). Наиболее полно удовлетворяют таким требованиям эпоксидные клеи и компаунды с минеральным наполнителем.
Рис. 13.9. Микросхема в полом пластмассовом корпусе: 1 - основание корпуса; 2 - крышка; 3 - микросхема; 4 - клеевой шов
Перед нанесением компаунда торцы боковых сторон основания и край крышки по периметру зачищают для получения шероховатой поверхности. После приклеивания крышки к основанию корпуса их плотно зажимают.
Основными видами брака при данном способе герметизации могут быть щели в клеевом соединении крышки и основания корпуса, перекос крышки относительно корпуса, значительные раковины, пузыри, посторонние включения в клеевом шве.
Способ герметизации свободной заливкой во вспомогательные съемные формы обычно применяют для приборов мелких серий со сложной арматурой. Сущность способа состоит в заполнении жидким компаундом специальных форм, в которых размещены блоки арматур полупроводниковых приборов или микросхем. В качестве заливочных компаундов используют чаще Жидкие компаунды на основе эпоксидных смол.
