- •Глава 2. Полупроводниковые подложки, особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •Диффузия из бесконечного источника 331
- •Диффузия из ограниченного источника 332
- •Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии 334
- •Атомные механизмы диффузии 335
- •Факторы, влияющие на процессы диффузии 337
- •Способы контроля процессов диффузии 339
- •Глава 10. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники .. 343
- •Типы интегральных микросхем..... 343
- •Корпуса имс и их конструкции 347
- •Требования к конструкции корпусов .............356
- •Глава 8. Фотолитографические процессы 265
- •Металлокерамические корпуса 357
- •Металлостеклянные корпуса 364
- •Пластмассовые корпуса.... ... 372
- •Корпуса чашечного типа 380
- •Глава 11. Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники 382
- •Разделение пластин на кристаллы 382
- •Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями 398
- •Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями 402
- •Автоматизированный монтаж кристаллов
- •11.5. Контроль качества сборочных операций 408
- •Глава 9. Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии.... 303
- •9.10. Диффузия ..322
- •Назначение и задачи диффузии .......322
- •Модели и механизмы диффузии 323
- •Одномерное уравнение Фика 326
- •Постоянные коэффициенты диффузии......327
- •Механизмы диффузии в твердом теле 328
- •Глава 12. Микромонтаж изделий интегральной
- •Глава 13. Герметизация изделий электроники
- •Глава 14. Обеспечение качества и надежности изделий полупроводниковых приборов 488
- •Глава 1
- •Физико-химические основы и технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и изделий интегральной электроники
- •1.1. Основные материалы изделий интегральной электроники
- •1.2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •1.2.1. Функции состояний
- •1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •1.2.3. Фазовые переходы
- •1.2.4. Типы диаграмм состояния двойных систем
- •Pис. 1.11. Двухфазная диаграмма состояний, на которой показаны процессы отвердевания
- •1.3. Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в изделиях интегральной электроники
- •1.4. Твердая растворимость
- •1.5. Диаграммы состояния тройных систем
- •Высотой перпендикуляра (например, e0e5 на рис. 1.22, б) к данной точке; и
- •Кривыми, отражающими на диаграмме геометрические места точек с равными свойствами (так, например, на географической карте изображаются изогипсы).
- •1.6. Основные понятия и определения
- •1) Минимальным размером элемента, надежно воспроизводимым на полупроводниковой пластине, которым оценивается разрешающая способность процесса;
- •Предельными отклонениями размеров элементов одного топологического слоя от номинальных;
- •Ограниченное время межоперационного хранения партии пластин;
- •Высокие требования к производственной гигиене (1-2-й классы помещений по климатическим параметрам и 1-2-й классы по запыленности воздушной среды).
- •1.7. Основные тины структур интегральных микросхем
- •Сравнительные характеристики основных типов структур интегральных микросхем:
- •1.8. Процесс изготовления биполярных имс
- •1.9. Процесс изготовления кмоп имс
- •1.10. Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки
- •Проводимости
- •1.11. Технологический маршрут изготовления mosfet-транзисторов
- •1.12. Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров
- •1.50). В закрытом состоянии сопротивление тиристора велико, что соответствует участку малого тока через прибор на воль-тамперной характеристике.
- •Глава 2
- •Особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •2.1. Основные характеристики полупроводниковых подложек
- •2.2. Физико-химические основы подготовки гладких поверхностей подложек
- •2.3. Разновидности загрязнений и их влияние на технологические храктеристики полупроводниковых подложек. Источники загрязнения поверхности подложек
- •2.4. Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел
- •2.5. Чистые производственные помещения
- •2.6. Контроль дефектности технологического процесса
- •Глава 3
- •Обработка поверхности полупроводниковых пластин в жидких средах
- •3.1. Классификация типов обработки поверхности
- •3.2. Кинетика процесса химического травления
- •3.3. Механизмы травления полупроводников
- •3.4. Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.5. Особенности жидкостного травления функциональных слоев
- •3.6. Электрохимическая обработка поверхности
- •3.7. Парогазовое травление
- •Парогазовое травление кремниевых подложек в различных
- •Глава 4
- •Ионно-плазменные методы обработки поверхности полупроводниковых пластин
- •4.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
- •4.2. Механизмы процесса ионно-плазменного травления
- •Размещение подложек на запитываемом электроде (катоде);
- •Относительно низкие рабочие давления (0,133-13,3 Па).
- •4.3. Методы плазменного травления
- •4.4. Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного травления
- •Изотропного плазмохимического травления;
- •Осаждения полимера.
- •Глава 5
- •Эпитаксиальные процессы в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- •5.1. Эпитаксиальные процессы
- •5.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии
- •5.3. Автоэпитаксия кремния
- •Вентили
- •5.4. Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксиальные соотношения в гетероэпитаксиальных слоях кремния на сапфире
- •5.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений aiiibv и твердых растворов на их основе
- •Диэлектрические слои и методы их нанесения
- •6.1. Стабилизация и защита поверхности имс и полупроводниковых приборов
- •5.6. Дефекты эпитаксиальных слоев
- •Глава 6
- •6.2. Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев
- •6.3. Формирование тонких слоев методом химического осаждения из газовой фазы
- •6.4, Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из газовой фазы
- •6.5. Атомно-слоевое осаждение (ald)
- •Сравнение атомно-слоевого осаждения и осаждения из газовой фазы
- •6.6. Пленки, получаемые центрифугированием из растворов кремнийорганических соединений (нцр-пленки)
- •Глава 7
- •7.1. Термическое испарение материалов в вакууме
- •7.2. Краткая характеристика испарителей
- •7.3. Индукционные испарители
- •7.4. Электронно-лучевое испарение
- •7.5. Метод ионного распыления
- •7.6. Катодное распыление
- •7.7. Магнетронное распыление
- •7.8. Лазерно-плазменное распыление
- •7.9. Вакуумное оборудование для формирования пленок
- •7.9.1. Термическое испарение материала
- •Вакуумные установки увн-2м2 (урм.3.279.017; увн-75р1)
- •7.9.2. Формирование пленок электронно-лучевым методом Установка 01нэ-7-004 «Оратория-9»
- •Каркас, в котором размещается высоковакуумная системах рабочей камерой;
- •Стойка питания и управления, служащая для автоматического управления вакуумной откачкой, устройством нагрева, вращением подложек и электронно-лучевыми пушками;
- •Две стойки управления, раздельно для каждой электроннолучевой пушки.
- •7.9.3. Установка увнрэ-э60 (прототип уbh-z400 фирмы Leybold Heraeus)
- •7.9.4. Формирование металлических пленок магнетронным распылением
- •7.10. Установка лазерного распыления
- •Тонких пленок
- •Глава 8
- •8.1. Процессы в фоторезистах
- •Фоторезистов
- •8.3. Методы литографии
- •8.3.1. Оптическая литография (фотолитография)
- •8.3.2. Технология контактной фотолитографии
- •Низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;
- •Высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.
- •8.4. Методы повышения качества формирования изображения
- •8.4.1. Рентгенолитография
- •8.4.2. Электронолитография
- •8.5. Метод самосовмещения
- •Затворами
- •Глава 9
- •Получение электронно-дырочных - переходов методом диффузии
- •9.1. Основы диффузионной технологии
- •9.2. Легирующие примеси и источники диффузии
- •9.3. Технология проведения процессов диффузии
- •9.4. Контроль параметров диффузионных слоев
- •9.5. Ионная имплантация
- •9.5.1. Назначение и применение ионной имплантации
- •9.5.2. Применение ионной имплантации в технологии сбис. Создание мелких переходов
- •9.6. Геттерирование
- •9.7. Эффекты, используемые в технологии сбис
- •9.7.1. Оборудование для ионной имплантации
- •9.7.2. Механизм проникновения ионов в подложку Распределение внедренных атомов по глубине подложки оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:
- •9.8. Дефекты ионного легирования и способы их устранения
- •9.8.1. Ионное каналирование
- •9.8.2. Радиационные дефекты
- •9.9. Отжиг легированных структур
- •9.9.1. Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
- •9.9.2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором
- •9.9.3. Изотермический отжиг
- •9.9.4. Диффузия имплантированных примесей
- •9.9.5. Быстрый отжиг
- •9.9.6. Отжиг в атмосфере кислорода
- •9.10. Диффузия
- •9.10.1. Назначение и задачи диффузии
- •9.10.2. Модели и механизмы диффузии
- •1) Теории сплошных сред с использованием уравнений диффу-
- •9.11. Одномерное уравнение Фика
- •9.12. Постоянные коэффициенты диффузии
- •9.13. Механизмы диффузии в твердом теле
- •Механизм диффузии, когда соседний атом, будь то атом примеси или собственный атом кристалла, мигрирует на место вакансии, называется вакансионным.
- •Механизм диффузии, при котором атом переходит из одного междоузлия в другое, не попадая при этом в узлы кристаллической решетки, называется механизмом перемещения атомов по междоузлиям.
- •9.14. Диффузия из бесконечного источника Диффузия из бесконечного источника описывается уравнением:
- •9.15. Диффузия из ограниченного источника
- •9.16. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
- •9.7. Атомные механизмы диффузии
- •I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными де-
- •9.19. Способы контроля процессов диффузии
- •Глава 10
- •Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники
- •10.1. Типы интегральных микросхем
- •10.2. Корпуса имс и их конструкции
- •10.3. Требования к конструкции корпусов
- •10.4. Металлокерамические корпуса
- •10.5. Металлостеклянные корпуса
- •10.6. Пластмассовые корпуса
- •Температура;
- •Удельное давление;
- •Продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
- •10.7. Корпуса чашечного типа
- •Глава 11
- •Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники
- •11.1. Разделение пластин на кристаллы
- •11.2. Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями
- •11.3. Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями
- •11.4. Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой
- •11.5. Контроль качества сборочных операций
- •Перемычками
- •Глава 12
- •12.1. Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники
- •12.2. Процессы термокомпрессионной микросварки
- •12.3. Ультразвуковая и термозвуковая микросварка
- •12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
- •12.5. Монтаж жесткими объемными выводами
- •12.6. Монтаж кристаллов на плате
- •Глава 13
- •Герметизация изделий электроники и контроль герметичности
- •13.1. Герметизация корпусов сваркой
- •Относительная деформация и удельное давление для холодной сварки некоторых металлов
- •13.2. Герметизация корпусов пайкой
- •13.3. Герметизация пластмассами
- •13.4. Бескорпусная герметизация
- •13.5. Контроль герметичности изделий
- •13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
- •Глава 14
- •Обеспечение качества и надежности полупроводниковых
- •Приборов
- •14.1. Качество и надежность приборов электронной техники
- •14.2. Конструктивно-технологические особенности изделий интегральной электроники, влияющие на их надежность
- •14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
- •14.3.1. Анализ технологических процессов с использованием качественных диаграмм
- •14.3.2. Статистическое регулирование технологических процессов
- •14.4. Система контроля технологического процесса
- •14.4.1. Контроль качества изделий в процессе производства
- •14.4.2. Контроль технологического процесса
- •Ануфриев Леонид Петрович Бордусов Сергей Валентинович Гурский Леонид Ильич и др. Технология изделий интегральной электроники
10.3. Требования к конструкции корпусов
Развитие ИМС, увеличивающаяся их сложность и увеличение количества выводов, связывающих ИМС с внешней сетью, потребителями и источниками входящей информации, повышающиеся с каждым годом требования к надежности ставят очень трудные проблемы перед разработчиками корпусов ИМС.
Корпуса должны удовлетворять требованиям по минимизации размеров и массы, высокой надежности при большом количестве выводов и малых расстояниях между ними.
В мировой практике установлены две категории требований для корпусов:
а) требования, способствующие совершенствованию работы изготовителей корпусов:
уменьшение стоимости изготовления;
возможность размещения больших кристаллов;
большое количество выводов;
улучшенные частотные характеристики;
улучшенные электрические характеристики;
повышенное теплорассеяние;
повышенное качество и надежность;
использование новых технологий для уменьшения размеров;
б) требования для удовлетворения запросов изготовителей ИМС:
уменьшение затрат на сборку;
увеличение плотности расположения компонентов на кристалле;
уменьшение массы;
повышение качества и надежности;
улучшение электрических характеристик;
автоматизация сборки ИМС.
При создании высоконадежных корпусов ИМС, оптимальных как по характеристикам, так и по стоимости, необходимо иметь в виду ограничения по пяти группам параметров: геомет-
рическим, электрическим, тепловым, механическим и стоимостным как при изготовлении, так и при обслуживании.
Электрические и тепловые параметры корпусов выдвигают два основных требования к используемым. Это, по возможности, высокие значения диэлектрической проницаемости материала и повышенная теплопроводность материала. Теплопроводность определяет возможность отвода тепла через корпус, выделяемого при работе микросхемы на кристалле; диэлектрическая проницаемость определяет задержку сигнала при прохождении его в корпусе и из корпуса, либо в корпус, т.е. определяет возможность реализации быстродействия ИС.
10.4. Металлокерамические корпуса
Совершенная по качеству, разнообразная по химическому составу и физико-химическим характеристикам керамика стала важнейшим конструкционным материалом для полупроводниковых изделий.
Разработка и широкое применение металлокерамических (в последнее время их стали называть просто керамическими) корпусов для ИМС имеют огромное значение для создания надежных, герметичных, быстродействующих изделий. Развитие этих корпусов привело к разработке керамических корпусов со штырьевыми выводами, позволивших существенно увеличить число выводов ИМС.
На рис. 10.1 показан металлокерамический корпус типа КТ-97С (TO-258). Корпуса данного типа применяются в основном для мощных полупроводниковых приборов с рабочими напряжениями до 1500В и токами до 50А.
Металлокерамический корпус типа КТ-97С (см. рис. 10.1) изготовлен следующим образом. Металлическое основание (1) изготавливают из бескислородной меди, закрепляют на нем тер-мокомпенсатрр (2) из материала МД40 пайкой. Обечайку (3), изготовленную из профильной медной трубы, присоединяют к металлическому основанию (1) серебросодержащим припоем. В обечайке (3) выполняют два сквозных отверстия (4) требуемого диаметра и выемку (6) для третьего вывода (7). В отверстиях
(4) и (6), снаружи обечайки, выполняют разгрузочные канавки (16). Полые керамические изоляторы (8) покрытые слоем молибдена толщиной от 20 до 40 мкм за исключением торцов, располагают в сквозных отверстиях (4) обечайки (3). Выводы (5) с медным сердечником (10) и траверсами (11) располагают в полых изоляторах (8) так, что траверсы (11) выходят внутрь корпуса, а другой конец вывода (5) выходит наружу. Выводы (5) присоединяют серебросодержащим припоем к внутренней части полых изоляторов (8). Ободок (12) из ковара присоединяют к внешней части обечайки (3) серебросодержащим припоем, затем все элементы корпуса и выводы (5, 7) покрывают слоем никеля (13) и слоем золота (14. 19). Металлическую крышку (15) соединяют с ободком (12), присоединенным к обечайке (3), по периметру с помощью шовно-роликовой сварки. Посадку полупроводникового кристалла на поверхность термокомпенсатора (2) производят контактно-реактивной пайкой с помощью эвтектики золото-кремний.
На рис. 10.2 показан полый изолятор (8) из вакуум-плотной керамики с нанесенным на боковую поверхность слоем металлизации (9). На внутреннем отверстии изолятора выполнены фаски (17).
Рис. 10.2. Керамический изолятор металлокерамического корпуса . типа КТ-97С
Изготовление таких керамических деталей производят горд-ним литьем, основанным на том, что керамический порошок и органическая связка в определенных условиях образуют устойчивую дисперсную систему — термопластичный шликер. Такая система в жидком состоянии обладает высокой подвижностью и под действием внешних сил может легко заполнять полость металлической формы. За счет теплоотвода на форму жидкий шликер затвердевает, образуя изделие заданной конфигурации.
Технологически метод горячего литья включает в себя два наиболее важных процесса — изготовление литьевого шликера и собственно литье. Процесс изготовления шликера состоит в смешивании керамического порошка с органической связкой и последующего вакуумирования смеси с целью удалений воздуш-ных включений. Основные характеристики шликера: вязкость, литейная способность, плотность упаковки частиц, однородность - зависят от вида связки, количества порошка, метода их размешивания.
Процесс литья деталей осуществляется на полуавтомате М-902 или на машинах типов ЛМК-12, А-120-03 и других с автоматическим регулированием температуры и времени выдержки. При выборе параметров процесса литья важно правильно установить соотношение между давлением и температурой шликера, а также температурой отдельных элементов литьевой формы. Повышенные температуры и давление нарушают процесс плавного заполнения объема формы, и в теле отливки может оказаться большое количество воздушных пузырей. При повышенной температуре шликера при охлаждении отливки могут возникнуть усадочные раковины. Если отливка ведется при низких давлении и температуре, в обожженных изделиях может быть скрытый брак из-за малой механической прочности в местах выхода избытка шликера.
Наиболее важно обеспечить правильную конструкцию литьевой формы. Необходимыми условиями являются высокий класс обработки внутренней поверхности формы для обеспечения выемки деталей и достаточная толщина стенок для обеспечения нужного теплоотвода от шликера.
На примере керамического изолятора корпуса КТ-97С (рис. 10.2) рассмотрим технологический маршрут изготовления керамических деталей методом горячего литья под давлением, который включает:
приготовление шликера;
вакуумирование шликера в течение времени до 4-х часов, обеспечивающее его однородность и удаление воздушных включений;
литье керамических деталей, при температуре Т = 50-70 °С, давлении 20-30 МПа в течение 2-7 с. При этом производится постоянное перемешивание шликера для предотвращения расслоения составляющих компонентов шликера и вакуумирование шликера через каждые 3 часа в течение 45 минут для удаления воздушных пузырей;
контроль деталей. Под микроскопом контролируют пали-чие пор, пустот, раковин на внутренней и внешней поверхности изделий. При обнаружении вышеуказанных дефектов в шликер
добавляют пластификатор для повышения пластичности массы шликера;
загрузку деталей в лодочки с оксидом магния. Вкладыши ставят в лодочку с помощью пинцета вертикально, так, чтобы оксид магния входил в отверстия вкладышей, не допуская соприкосновения вкладышей друг с другом;
предварительный обжиг производится при температуре Т = 1150±50 °С в течение 8 часов;
выгрузку деталей из лодочки с оксидом магния;
отмывку от оксида магния;
контроль деталей;
нанесение металлических слоев;
предварительную сушку металлических слоев;
контроль деталей на наличие локальных непокрытий и замер толщины металлических слоев;
загрузку деталей в лодочки с окисью магния;
14. окончательный обжиг при температуре Т = 1580— 1720 °С в течение 8 часов;
химическое никелирование;
контроль деталей;
шлифование деталей;
контроль деталей.
Метод горячего литья имеет ряд важных достоинств:
изотропность облитых изделий;
высокая плотность заготовки и однородность ее структуры;
возможность одновременного формирования нескольких деталей в многоместных формах.
Основные характеристики применяемых керамических материалов для изготовления корпусов и деталей корпусов представлены в табл. 10.3.
Использование керамики в качестве изоляционного материала в корпусах ИМС обусловлено уникальным сочетанием его
высоких электрофизических свойств с механической прочностью, стойкостью к воздействию температуры, влаги, химически агрессивных веществ и вакуумплотностью. Наибольшее распространение получила алюминооксидная (корундовая) керамика (80-96 % Аl2O3), в меньшей степени используется бериллиевая керамика (95-99,5 % ВеО).
Чистый корунд (а-модификация оксида алюминия Аl2O3) плавится при температуре 2323 К. При массовом производстве деталей для электронных приборов (оснований и крышек корпусов, подложек, держателей, различных изолирующих вставок и т.д.) для снижения температуры спекания керамики до 1773-2073 К к исходному порошку добавляют оксиды марганца, магния, кремния, кальция, хрома, титана, циркония. В результате содержание а-Аl2O3, в зависимости от марки керамики, устанавливается в пределах от 26 до 97 масс. %. Для изготовления плат и корпусов ИС разработано и освоено около 20 марок корундовой керамики.
Все марки керамики, которые идут на изготовление корпусов, имеют практически нулевое водопоглощение, удельное объемное сопротивление при комнатной температуре не менее 10 Ом.см и пробивное напряжение не менее 10 кВ/мм. При необходимости создания большой рассеиваемой кристаллом мощности алю-мооксидную керамику заменяют бериллиевой. которая в 7-10 раз превосходит ее по теплопроводности.
Высокая стоимость и токсичность бериллиевой керамики препятствуют более широкому ее применению.
В последнее время стали использовать для этой цели керамику из нитрида кремния, хотя стоимость ее сейчас в десятки раз выше стоимости корунда.
В табл. 10.4 дано сравнение используемых в корпусах материалов по теплопроводности.
Таблица 10.4
Теплопроводность материалов
Материал |
Теплоемкость, Вт/м.К |
Стекло Кварцевое стекло Стеклокерамика Ковар (Ре; 29% Ni; 17,5% Со) Корунд (92 %-ный) Латунь Молибден Вольфрам Нитрид алюминия (AlN) Окись бериллия (ВеО) Золото Медь Серебро |
0,7 1,36 5 10 20 111 150 200 230 240 308 884 407 |
363
