- •Глава 2. Полупроводниковые подложки, особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •Диффузия из бесконечного источника 331
- •Диффузия из ограниченного источника 332
- •Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии 334
- •Атомные механизмы диффузии 335
- •Факторы, влияющие на процессы диффузии 337
- •Способы контроля процессов диффузии 339
- •Глава 10. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники .. 343
- •Типы интегральных микросхем..... 343
- •Корпуса имс и их конструкции 347
- •Требования к конструкции корпусов .............356
- •Глава 8. Фотолитографические процессы 265
- •Металлокерамические корпуса 357
- •Металлостеклянные корпуса 364
- •Пластмассовые корпуса.... ... 372
- •Корпуса чашечного типа 380
- •Глава 11. Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники 382
- •Разделение пластин на кристаллы 382
- •Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями 398
- •Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями 402
- •Автоматизированный монтаж кристаллов
- •11.5. Контроль качества сборочных операций 408
- •Глава 9. Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии.... 303
- •9.10. Диффузия ..322
- •Назначение и задачи диффузии .......322
- •Модели и механизмы диффузии 323
- •Одномерное уравнение Фика 326
- •Постоянные коэффициенты диффузии......327
- •Механизмы диффузии в твердом теле 328
- •Глава 12. Микромонтаж изделий интегральной
- •Глава 13. Герметизация изделий электроники
- •Глава 14. Обеспечение качества и надежности изделий полупроводниковых приборов 488
- •Глава 1
- •Физико-химические основы и технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и изделий интегральной электроники
- •1.1. Основные материалы изделий интегральной электроники
- •1.2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •1.2.1. Функции состояний
- •1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •1.2.3. Фазовые переходы
- •1.2.4. Типы диаграмм состояния двойных систем
- •Pис. 1.11. Двухфазная диаграмма состояний, на которой показаны процессы отвердевания
- •1.3. Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в изделиях интегральной электроники
- •1.4. Твердая растворимость
- •1.5. Диаграммы состояния тройных систем
- •Высотой перпендикуляра (например, e0e5 на рис. 1.22, б) к данной точке; и
- •Кривыми, отражающими на диаграмме геометрические места точек с равными свойствами (так, например, на географической карте изображаются изогипсы).
- •1.6. Основные понятия и определения
- •1) Минимальным размером элемента, надежно воспроизводимым на полупроводниковой пластине, которым оценивается разрешающая способность процесса;
- •Предельными отклонениями размеров элементов одного топологического слоя от номинальных;
- •Ограниченное время межоперационного хранения партии пластин;
- •Высокие требования к производственной гигиене (1-2-й классы помещений по климатическим параметрам и 1-2-й классы по запыленности воздушной среды).
- •1.7. Основные тины структур интегральных микросхем
- •Сравнительные характеристики основных типов структур интегральных микросхем:
- •1.8. Процесс изготовления биполярных имс
- •1.9. Процесс изготовления кмоп имс
- •1.10. Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки
- •Проводимости
- •1.11. Технологический маршрут изготовления mosfet-транзисторов
- •1.12. Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров
- •1.50). В закрытом состоянии сопротивление тиристора велико, что соответствует участку малого тока через прибор на воль-тамперной характеристике.
- •Глава 2
- •Особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •2.1. Основные характеристики полупроводниковых подложек
- •2.2. Физико-химические основы подготовки гладких поверхностей подложек
- •2.3. Разновидности загрязнений и их влияние на технологические храктеристики полупроводниковых подложек. Источники загрязнения поверхности подложек
- •2.4. Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел
- •2.5. Чистые производственные помещения
- •2.6. Контроль дефектности технологического процесса
- •Глава 3
- •Обработка поверхности полупроводниковых пластин в жидких средах
- •3.1. Классификация типов обработки поверхности
- •3.2. Кинетика процесса химического травления
- •3.3. Механизмы травления полупроводников
- •3.4. Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.5. Особенности жидкостного травления функциональных слоев
- •3.6. Электрохимическая обработка поверхности
- •3.7. Парогазовое травление
- •Парогазовое травление кремниевых подложек в различных
- •Глава 4
- •Ионно-плазменные методы обработки поверхности полупроводниковых пластин
- •4.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
- •4.2. Механизмы процесса ионно-плазменного травления
- •Размещение подложек на запитываемом электроде (катоде);
- •Относительно низкие рабочие давления (0,133-13,3 Па).
- •4.3. Методы плазменного травления
- •4.4. Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного травления
- •Изотропного плазмохимического травления;
- •Осаждения полимера.
- •Глава 5
- •Эпитаксиальные процессы в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- •5.1. Эпитаксиальные процессы
- •5.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии
- •5.3. Автоэпитаксия кремния
- •Вентили
- •5.4. Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксиальные соотношения в гетероэпитаксиальных слоях кремния на сапфире
- •5.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений aiiibv и твердых растворов на их основе
- •Диэлектрические слои и методы их нанесения
- •6.1. Стабилизация и защита поверхности имс и полупроводниковых приборов
- •5.6. Дефекты эпитаксиальных слоев
- •Глава 6
- •6.2. Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев
- •6.3. Формирование тонких слоев методом химического осаждения из газовой фазы
- •6.4, Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из газовой фазы
- •6.5. Атомно-слоевое осаждение (ald)
- •Сравнение атомно-слоевого осаждения и осаждения из газовой фазы
- •6.6. Пленки, получаемые центрифугированием из растворов кремнийорганических соединений (нцр-пленки)
- •Глава 7
- •7.1. Термическое испарение материалов в вакууме
- •7.2. Краткая характеристика испарителей
- •7.3. Индукционные испарители
- •7.4. Электронно-лучевое испарение
- •7.5. Метод ионного распыления
- •7.6. Катодное распыление
- •7.7. Магнетронное распыление
- •7.8. Лазерно-плазменное распыление
- •7.9. Вакуумное оборудование для формирования пленок
- •7.9.1. Термическое испарение материала
- •Вакуумные установки увн-2м2 (урм.3.279.017; увн-75р1)
- •7.9.2. Формирование пленок электронно-лучевым методом Установка 01нэ-7-004 «Оратория-9»
- •Каркас, в котором размещается высоковакуумная системах рабочей камерой;
- •Стойка питания и управления, служащая для автоматического управления вакуумной откачкой, устройством нагрева, вращением подложек и электронно-лучевыми пушками;
- •Две стойки управления, раздельно для каждой электроннолучевой пушки.
- •7.9.3. Установка увнрэ-э60 (прототип уbh-z400 фирмы Leybold Heraeus)
- •7.9.4. Формирование металлических пленок магнетронным распылением
- •7.10. Установка лазерного распыления
- •Тонких пленок
- •Глава 8
- •8.1. Процессы в фоторезистах
- •Фоторезистов
- •8.3. Методы литографии
- •8.3.1. Оптическая литография (фотолитография)
- •8.3.2. Технология контактной фотолитографии
- •Низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;
- •Высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.
- •8.4. Методы повышения качества формирования изображения
- •8.4.1. Рентгенолитография
- •8.4.2. Электронолитография
- •8.5. Метод самосовмещения
- •Затворами
- •Глава 9
- •Получение электронно-дырочных - переходов методом диффузии
- •9.1. Основы диффузионной технологии
- •9.2. Легирующие примеси и источники диффузии
- •9.3. Технология проведения процессов диффузии
- •9.4. Контроль параметров диффузионных слоев
- •9.5. Ионная имплантация
- •9.5.1. Назначение и применение ионной имплантации
- •9.5.2. Применение ионной имплантации в технологии сбис. Создание мелких переходов
- •9.6. Геттерирование
- •9.7. Эффекты, используемые в технологии сбис
- •9.7.1. Оборудование для ионной имплантации
- •9.7.2. Механизм проникновения ионов в подложку Распределение внедренных атомов по глубине подложки оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:
- •9.8. Дефекты ионного легирования и способы их устранения
- •9.8.1. Ионное каналирование
- •9.8.2. Радиационные дефекты
- •9.9. Отжиг легированных структур
- •9.9.1. Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
- •9.9.2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором
- •9.9.3. Изотермический отжиг
- •9.9.4. Диффузия имплантированных примесей
- •9.9.5. Быстрый отжиг
- •9.9.6. Отжиг в атмосфере кислорода
- •9.10. Диффузия
- •9.10.1. Назначение и задачи диффузии
- •9.10.2. Модели и механизмы диффузии
- •1) Теории сплошных сред с использованием уравнений диффу-
- •9.11. Одномерное уравнение Фика
- •9.12. Постоянные коэффициенты диффузии
- •9.13. Механизмы диффузии в твердом теле
- •Механизм диффузии, когда соседний атом, будь то атом примеси или собственный атом кристалла, мигрирует на место вакансии, называется вакансионным.
- •Механизм диффузии, при котором атом переходит из одного междоузлия в другое, не попадая при этом в узлы кристаллической решетки, называется механизмом перемещения атомов по междоузлиям.
- •9.14. Диффузия из бесконечного источника Диффузия из бесконечного источника описывается уравнением:
- •9.15. Диффузия из ограниченного источника
- •9.16. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
- •9.7. Атомные механизмы диффузии
- •I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными де-
- •9.19. Способы контроля процессов диффузии
- •Глава 10
- •Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники
- •10.1. Типы интегральных микросхем
- •10.2. Корпуса имс и их конструкции
- •10.3. Требования к конструкции корпусов
- •10.4. Металлокерамические корпуса
- •10.5. Металлостеклянные корпуса
- •10.6. Пластмассовые корпуса
- •Температура;
- •Удельное давление;
- •Продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
- •10.7. Корпуса чашечного типа
- •Глава 11
- •Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники
- •11.1. Разделение пластин на кристаллы
- •11.2. Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями
- •11.3. Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями
- •11.4. Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой
- •11.5. Контроль качества сборочных операций
- •Перемычками
- •Глава 12
- •12.1. Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники
- •12.2. Процессы термокомпрессионной микросварки
- •12.3. Ультразвуковая и термозвуковая микросварка
- •12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
- •12.5. Монтаж жесткими объемными выводами
- •12.6. Монтаж кристаллов на плате
- •Глава 13
- •Герметизация изделий электроники и контроль герметичности
- •13.1. Герметизация корпусов сваркой
- •Относительная деформация и удельное давление для холодной сварки некоторых металлов
- •13.2. Герметизация корпусов пайкой
- •13.3. Герметизация пластмассами
- •13.4. Бескорпусная герметизация
- •13.5. Контроль герметичности изделий
- •13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
- •Глава 14
- •Обеспечение качества и надежности полупроводниковых
- •Приборов
- •14.1. Качество и надежность приборов электронной техники
- •14.2. Конструктивно-технологические особенности изделий интегральной электроники, влияющие на их надежность
- •14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
- •14.3.1. Анализ технологических процессов с использованием качественных диаграмм
- •14.3.2. Статистическое регулирование технологических процессов
- •14.4. Система контроля технологического процесса
- •14.4.1. Контроль качества изделий в процессе производства
- •14.4.2. Контроль технологического процесса
- •Ануфриев Леонид Петрович Бордусов Сергей Валентинович Гурский Леонид Ильич и др. Технология изделий интегральной электроники
нию (100 циклов при температурах -55...+150 °С) соединения золотой проволоки с медными печатными проводниками получаются ТЗС при температуре подложки 105-200 °С. Практически ТЗС начинают широко применять и для сборки ИМС массовых серий с целью смягчения режимов и снижения критичности сварочного процесса к колебаниям качества соединяемых материалов.
Термозвуковая сварка «шариком» используется для соединения золотой проволоки с алюминиевыми и золотыми контактными площадками (рис. 12.2). Нагрев подложки производится до 300 °С, прикладываемое усилие до 50 г. Соединения, полученные «шариком», более прочные, чем полученные методом «клина»
Рис. 12.2. Термозвуковая сварка золотой проволоки методом шарика - клина: а - образование шарика с помощью водородной микрогорелки - золотая проволока (1) в капилляре инструмента (2); б - соединение с кристаллом (3), проволока согнута в петлю (4) и присоединена клином
12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
Разработаны автоматы присоединения выводов для ИМС массовых серий ЭМ-4060П и ЭМ-4020П» в которых используется единая стойка управления, состоящая из однотипных блоков управления, распознавания, питания ультразвуковые генерато-ров (УЗГ). В автомате применены также однотипные загрузоч-но-разгрузочные устройства (ЗРУ) и оптико-телевизионные системы.
Система технического зрения (СТЗ) позволяет распознавать и определять положение кристаллов ИМС и траверс. Положение корпуса определяется по одной траверсе при смещении только по линейным координатам и по двум траверсам - при смещении по линейным координатам и углу. СТЗ может определять положение каждой траверсы индивидуально.
Усовершенствованная УЗ система автоматов имеет непрерывную амплитудно частотную характеристику (АПЧ) в полосе не менее 5 кГц с погрешностью отслеживания частоты резонанса УЗ преобразователя (УЗП) не более 20 Гц и времени захвата не более 20 мс.
Встроенная модернизированная система контроля функцию нирования и компенсации ошибок позволяет вдвое (по сравнению с ЭМ-4020Б) уменьшить максимальную длительность компенсации ошибок (время модуляции), увеличивает устойчивость резонанса и обеспечивает заблаговременную сигнализацию об отказе системы; Имеется датчик, сигнализирующий о создании требуемого акустического контакта между инструментом и соединяемыми деталями и позволяющий не только определить позицию сварки по координате Z, но и увеличить воспроизводимость качества соединений.
Подача на инструмент ультразвука (дежурного сигнала) в промежутках между сварками снижает трение между инструментом и проволокой при формировании петли, облегчает отделение инструмента от сформированного соединения. Встроенное устройство контроля сварочных систем, программно и аппарат-но поддержанное управляющей системой установки, позволяет осуществить функциональное диагностирование системы и непрерывное наблюдение за ходом процесса формирования каждого сварного соединения и на этой основе осуществить 100% -ный контроль качества при обработке ИМС любого типа и в любом корпусе.
Автоматическое уменьшение амплитуды колебаний инструмента по мере образования соединения в сочетаний с малой длительностью сварки позволяет устранить усталостное разрушение материалов в зоне сварки, что увеличивает процент выхода годных изделий и стойкость инструмента.
Новая система согласования генератора и параметров ультразвуковой пайки в совокупности с широкой полосой ампли-тудо-частотной характеристики обеспечивает стабильность эксплуатационных свойств УЗ системы. Использование сварочных автоматов, работающих при повышенных скоростях перемещения ИМС, а также в отсутствие оператора повышает требования к гарантированному совмещению проволоки с контактной площадкой, требуемой деформации соединения и обеспечению за-
данной формы петли проволочной перемычки.
Автомат ЭМ-4020б предназначен для присоединения по за-
данной программе проволочных выводов внахлестку к контактным площадкам кристалла и корпуса полупроводниковых приборов интегральных микросхем с числом выводов до 128 методом УЗС без подогрева изделий внахлестку. Автомат оснащен системой распознавания для автоматического считывания информации о неточностях расположения кристалла. Ввод координат сварных точек на кристалле и корпусе осуществляется в режиме «Самообучение». Имеется система самодиагностики основных функциональных устройств. Структурная схема установки присоединения проволочных выводов приведена на рис. 12.3.
Основными режимами установки являются: автоматический, полуавтоматический, ремонт, а также ряд вспомогательных, позволяющих запрограммировать установку на разварку определенного типа прибора.
В автоматическом режиме загрузочно-разгрузочное устройство (ЗРУ) осуществляет подачу в рабочую зону прибора предназначенного к разварке проволочными выводами. Система технического зрения распознает и определяет положение кристалла и корпуса. По окончании разварки ЗРУ подает очередной прибор в рабочую зону.
В полуавтоматическом режиме введение коррекции на положение кристалла или прибора относительно инструмента выполняется оператором, который совмещает визир сначала с первой, затем со второй, наиболее удаленной от первой контактной площадкой кристалла ИМС. Оператор дает команду на выполнение разварки прибора после окончания совмещения, а
также подачу очередного прибора на рабочую позицию после окончания разварки проволочных выводов.
Рис. 12.3. Структурная схема установки УЗС проволочных выводов
При ремонте прибора оператор разваривает выборочную проволочную перемычку. Если ремонт одного или нескольких выводов осуществляется на том же приборе, на котором производится автоматическая разварка, и коррекция на его положение введена, то от оператора требуется определить только номер ремонтируемого вывода и удалить, если это необходимо, оборван-
ный вывод. В противном случае он с помощью визиров вводит поправки на неточное положение кристалла и корпуса прибора.
Количество вспомогательных режимов может быть достаточно большим, и связаны они с изменением циклограммы работы, введением данных в систему технического зрения, проверкой работоспособности установки и т.д.
В оборудовании УЗС используются системы управления: централизованные, иерархические, распределенные (с различными управляющими устройствами от комбинированных микросхем до микропроцессоров). Их отличительной особенностью является большое количество преобразований координат (пространственная, в которой расположен объект, механическая система координат привода, пространственная система после оптического преобразования изображения объекта, электрическая система ТВ датчиков, электрическая система после дискретизации и квантования видеосигнала).
Автомат ЭМ-4260 (см. рис. 12.4, а) предназначен для автоматического присоединения проволочных выводов из золота к контактным площадкам и выводов корпусов ИМС методом термозвуковой сварки. Двухкоординатный X—У-линейный шаговый двигатель с датчиками обратной связи обеспечивает высокую точность и скорость перемещения сварочной головки. Перемещение сварочного инструмента по координате Z осуществляется с помощью «звуковой катушки» с обратной связью. Автомат оснащен системой контроля качества сварки. Основные параметры технологического процесса (скорость перемещения, диаметр шарика, усилие сварки и др.) программируются. Встроенная программно управляемая библиотека петель и высокая точность исполнительных механизмов обеспечивают разварку различных типов изделий с длиной перемычки до 7 мм, в том числе многовыводных СБИС в тонких корпусах. Подача обрабатываемых рамок - магазинная с программируемой переналадкой, при этом конфигурация рамок не регламентируется.
Автомат ЭМ-4480 (см. рис. 12.4, б) предназначен для автоматического присоединения алюминиевых проволочных выводов большой номенклатуры изделий, требующих большого
поля, повышенной точности монтажа выводов, в том числе многокристальных и многоуровневых ГИС, методом ультразвуковой сварки внахлестку. Автомат обеспечивает требуемую динамику формообразования выводов, снижение влияния механических вибраций инструмента и «мягкое» касание за счет применения легкой, размещенной отдельно от приводов X, У, Z, вращающейся сварочной головки, а также автоматическое определение положения контактных площадок кристаллов, траверс и многоуровневых изделий, индивидуальное программирование режимов присоединения и формы петель для каждого вывода. Автомат универсален за счет использования многоместных матричных кассет и большого рабочего поля и имеет самодиагностику работы основных функциональных устройств.
Рис. 12.4. Автоматы присоединения проволочных выводов: ЭМ-4260 - а и ЭМ-4480 - б
Установка 1484 фирмы Kulicke and Sof}fa Industries (США) для монтажа проволочных выводов, созданная в 1990-е годы, обладает высокими уровнями скорости, точностью, надежностью и производительностью. В ней используется микропроцессорное управление, которое в сочетании с вращающейся соеди-
няющей головкой и телевизионной системой контроля с программируемым фокусом делают модель исключительно удобной в эксплуатации. Установка 1484 обеспечивает термозвуко-вую сварку при сравнительно низких температурах (200-240 °С). Такие же возможности имеются и у установки ЭМ-4360К при температуре нагрева 100-400 °С (см. рис. 12.5).
Рис. 12.5. Автоматы ТЗС модели 1484 (а) и ЭМ-4360К (б)
Комплексным и основным показателем, характеризующим установки в наибольшей степени, является производительность.
Часовая производительность для приборов, имеющих перемычки не более 1,5 мм, ориентировочно может быть рассчитана по формуле
Общие требования, предъявляемые к инструментам: обеспечение концентрации энергии в зоне сварки; возможность визуального контроля процесса сборки прибора; высокая механическая прочность и износостойкость; удобство в эксплуатации. В зависимости от назначения и конструкции инструмента общие требования подразделяются на более конкретные частные, например, при термокомпрессионной сварке холодным инструментом для обеспечения концентрации энергии в зоне сварки он должен иметь минимальную теплопроводность, при сварке нагретым инструментом, наоборот, максимальную и т.д.
Требования к инструменту для УЗС с точки зрения особенностей этого вида сварки можно сформулировать следующим образом:
форма и размеры инструмента должны обеспечивать эффективную передачу энергии УЗ колебаний;
материал инструмента должен обеспечивать минимальное затухание УЗ колебаний и не должен вступать во взаимодействие с материалами проволоки вывода.
Для сохранения спектра собственных частот и вида колебаний (в частности, изгибных) необходимо соблюдать условие
(12.2)
- длина волны изгибных колебаний; d -макс, диаметр сечения
где
инструмента.
Для расчета длины инструмента УЗС используется уравнение Олсона:
(12.3)
Часто длина инструмента, определенная из уравнения (12.3), оказывается слишком малой. Инструмент должен иметь отверстие для подачи проволоки и достаточную длину для закрепле-
ния на концентраторе. В этом случае рекомендуется рассчитывать инструмент на частоту, для которой основная частота УЗ генератора является второй гармоникой:
(12.4)
где fo - основная частота, fp - расчетная частота.
Практика показывает, что при этих частотах наиболее ста-
билен в работе инструмент длиной 21 мм. В этом случае длину инструмента определяют с использованием формулы:
(12.5)
Множитель 7,852 соответствует первой нечетной гармонике.
Форма заточенной части инструмента также имеет существенное значение для обеспечения стабильности сварки. При использовании инструмента с длиной клиновидной части 5-7,5 мм плоскости пучностей и узлов изгибной волны смещаются по длине инструмента, приводя к нестабильности. Длину клиновидной части инструмента рекомендуют выбирать не более 2,8 мм.
Для термозвуковой сварки рекомендуется изготавливать в инструменте рубиновые капилляры, имеющие более высокую износостойкость рабочих поверхностей, коррозионную стойкость и чистоту поверхности (см. рис. 12.6, а). Обозначение капилляра: КТ51 - 25 - 150 - 2 - 30: К - капилляр, Т - термокомпрессионная сварка, 25 - диаметр проволоки, 150 - диаметр на выходе капилляра D, 30 - радиус рабочей части инструмента R.
Функциональные особенности инструмента для УЗС определяются следующими факторами (рис. 12.6, б):
- длина рабочей части инструмента h - длиной деформируемой при сварке проволоки и выбирается из соотношения
(12.8)
Оптимальная величина h = 0,1 мм для проволоки 27 мкм и 0,2 для 60 мкм;
- глубина продольного паза - коэффициентом деформации
(12.9)
- для обеспечения симметрии петли проволочной перемычки удаление выхода отверстия от задней кромки рабочей площади должна удовлетворять соотношению
(12.10)
- угол наклона задней кромки рабочей площадки b - обеспечением подрезки, проволоки после второй сварки без остаточных напряжений в ней (60 градусов).
