- •Глава 2. Полупроводниковые подложки, особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •Диффузия из бесконечного источника 331
- •Диффузия из ограниченного источника 332
- •Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии 334
- •Атомные механизмы диффузии 335
- •Факторы, влияющие на процессы диффузии 337
- •Способы контроля процессов диффузии 339
- •Глава 10. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники .. 343
- •Типы интегральных микросхем..... 343
- •Корпуса имс и их конструкции 347
- •Требования к конструкции корпусов .............356
- •Глава 8. Фотолитографические процессы 265
- •Металлокерамические корпуса 357
- •Металлостеклянные корпуса 364
- •Пластмассовые корпуса.... ... 372
- •Корпуса чашечного типа 380
- •Глава 11. Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники 382
- •Разделение пластин на кристаллы 382
- •Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями 398
- •Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями 402
- •Автоматизированный монтаж кристаллов
- •11.5. Контроль качества сборочных операций 408
- •Глава 9. Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии.... 303
- •9.10. Диффузия ..322
- •Назначение и задачи диффузии .......322
- •Модели и механизмы диффузии 323
- •Одномерное уравнение Фика 326
- •Постоянные коэффициенты диффузии......327
- •Механизмы диффузии в твердом теле 328
- •Глава 12. Микромонтаж изделий интегральной
- •Глава 13. Герметизация изделий электроники
- •Глава 14. Обеспечение качества и надежности изделий полупроводниковых приборов 488
- •Глава 1
- •Физико-химические основы и технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и изделий интегральной электроники
- •1.1. Основные материалы изделий интегральной электроники
- •1.2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •1.2.1. Функции состояний
- •1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •1.2.3. Фазовые переходы
- •1.2.4. Типы диаграмм состояния двойных систем
- •Pис. 1.11. Двухфазная диаграмма состояний, на которой показаны процессы отвердевания
- •1.3. Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в изделиях интегральной электроники
- •1.4. Твердая растворимость
- •1.5. Диаграммы состояния тройных систем
- •Высотой перпендикуляра (например, e0e5 на рис. 1.22, б) к данной точке; и
- •Кривыми, отражающими на диаграмме геометрические места точек с равными свойствами (так, например, на географической карте изображаются изогипсы).
- •1.6. Основные понятия и определения
- •1) Минимальным размером элемента, надежно воспроизводимым на полупроводниковой пластине, которым оценивается разрешающая способность процесса;
- •Предельными отклонениями размеров элементов одного топологического слоя от номинальных;
- •Ограниченное время межоперационного хранения партии пластин;
- •Высокие требования к производственной гигиене (1-2-й классы помещений по климатическим параметрам и 1-2-й классы по запыленности воздушной среды).
- •1.7. Основные тины структур интегральных микросхем
- •Сравнительные характеристики основных типов структур интегральных микросхем:
- •1.8. Процесс изготовления биполярных имс
- •1.9. Процесс изготовления кмоп имс
- •1.10. Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки
- •Проводимости
- •1.11. Технологический маршрут изготовления mosfet-транзисторов
- •1.12. Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров
- •1.50). В закрытом состоянии сопротивление тиристора велико, что соответствует участку малого тока через прибор на воль-тамперной характеристике.
- •Глава 2
- •Особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •2.1. Основные характеристики полупроводниковых подложек
- •2.2. Физико-химические основы подготовки гладких поверхностей подложек
- •2.3. Разновидности загрязнений и их влияние на технологические храктеристики полупроводниковых подложек. Источники загрязнения поверхности подложек
- •2.4. Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел
- •2.5. Чистые производственные помещения
- •2.6. Контроль дефектности технологического процесса
- •Глава 3
- •Обработка поверхности полупроводниковых пластин в жидких средах
- •3.1. Классификация типов обработки поверхности
- •3.2. Кинетика процесса химического травления
- •3.3. Механизмы травления полупроводников
- •3.4. Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.5. Особенности жидкостного травления функциональных слоев
- •3.6. Электрохимическая обработка поверхности
- •3.7. Парогазовое травление
- •Парогазовое травление кремниевых подложек в различных
- •Глава 4
- •Ионно-плазменные методы обработки поверхности полупроводниковых пластин
- •4.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
- •4.2. Механизмы процесса ионно-плазменного травления
- •Размещение подложек на запитываемом электроде (катоде);
- •Относительно низкие рабочие давления (0,133-13,3 Па).
- •4.3. Методы плазменного травления
- •4.4. Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного травления
- •Изотропного плазмохимического травления;
- •Осаждения полимера.
- •Глава 5
- •Эпитаксиальные процессы в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- •5.1. Эпитаксиальные процессы
- •5.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии
- •5.3. Автоэпитаксия кремния
- •Вентили
- •5.4. Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксиальные соотношения в гетероэпитаксиальных слоях кремния на сапфире
- •5.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений aiiibv и твердых растворов на их основе
- •Диэлектрические слои и методы их нанесения
- •6.1. Стабилизация и защита поверхности имс и полупроводниковых приборов
- •5.6. Дефекты эпитаксиальных слоев
- •Глава 6
- •6.2. Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев
- •6.3. Формирование тонких слоев методом химического осаждения из газовой фазы
- •6.4, Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из газовой фазы
- •6.5. Атомно-слоевое осаждение (ald)
- •Сравнение атомно-слоевого осаждения и осаждения из газовой фазы
- •6.6. Пленки, получаемые центрифугированием из растворов кремнийорганических соединений (нцр-пленки)
- •Глава 7
- •7.1. Термическое испарение материалов в вакууме
- •7.2. Краткая характеристика испарителей
- •7.3. Индукционные испарители
- •7.4. Электронно-лучевое испарение
- •7.5. Метод ионного распыления
- •7.6. Катодное распыление
- •7.7. Магнетронное распыление
- •7.8. Лазерно-плазменное распыление
- •7.9. Вакуумное оборудование для формирования пленок
- •7.9.1. Термическое испарение материала
- •Вакуумные установки увн-2м2 (урм.3.279.017; увн-75р1)
- •7.9.2. Формирование пленок электронно-лучевым методом Установка 01нэ-7-004 «Оратория-9»
- •Каркас, в котором размещается высоковакуумная системах рабочей камерой;
- •Стойка питания и управления, служащая для автоматического управления вакуумной откачкой, устройством нагрева, вращением подложек и электронно-лучевыми пушками;
- •Две стойки управления, раздельно для каждой электроннолучевой пушки.
- •7.9.3. Установка увнрэ-э60 (прототип уbh-z400 фирмы Leybold Heraeus)
- •7.9.4. Формирование металлических пленок магнетронным распылением
- •7.10. Установка лазерного распыления
- •Тонких пленок
- •Глава 8
- •8.1. Процессы в фоторезистах
- •Фоторезистов
- •8.3. Методы литографии
- •8.3.1. Оптическая литография (фотолитография)
- •8.3.2. Технология контактной фотолитографии
- •Низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;
- •Высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.
- •8.4. Методы повышения качества формирования изображения
- •8.4.1. Рентгенолитография
- •8.4.2. Электронолитография
- •8.5. Метод самосовмещения
- •Затворами
- •Глава 9
- •Получение электронно-дырочных - переходов методом диффузии
- •9.1. Основы диффузионной технологии
- •9.2. Легирующие примеси и источники диффузии
- •9.3. Технология проведения процессов диффузии
- •9.4. Контроль параметров диффузионных слоев
- •9.5. Ионная имплантация
- •9.5.1. Назначение и применение ионной имплантации
- •9.5.2. Применение ионной имплантации в технологии сбис. Создание мелких переходов
- •9.6. Геттерирование
- •9.7. Эффекты, используемые в технологии сбис
- •9.7.1. Оборудование для ионной имплантации
- •9.7.2. Механизм проникновения ионов в подложку Распределение внедренных атомов по глубине подложки оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:
- •9.8. Дефекты ионного легирования и способы их устранения
- •9.8.1. Ионное каналирование
- •9.8.2. Радиационные дефекты
- •9.9. Отжиг легированных структур
- •9.9.1. Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
- •9.9.2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором
- •9.9.3. Изотермический отжиг
- •9.9.4. Диффузия имплантированных примесей
- •9.9.5. Быстрый отжиг
- •9.9.6. Отжиг в атмосфере кислорода
- •9.10. Диффузия
- •9.10.1. Назначение и задачи диффузии
- •9.10.2. Модели и механизмы диффузии
- •1) Теории сплошных сред с использованием уравнений диффу-
- •9.11. Одномерное уравнение Фика
- •9.12. Постоянные коэффициенты диффузии
- •9.13. Механизмы диффузии в твердом теле
- •Механизм диффузии, когда соседний атом, будь то атом примеси или собственный атом кристалла, мигрирует на место вакансии, называется вакансионным.
- •Механизм диффузии, при котором атом переходит из одного междоузлия в другое, не попадая при этом в узлы кристаллической решетки, называется механизмом перемещения атомов по междоузлиям.
- •9.14. Диффузия из бесконечного источника Диффузия из бесконечного источника описывается уравнением:
- •9.15. Диффузия из ограниченного источника
- •9.16. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
- •9.7. Атомные механизмы диффузии
- •I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными де-
- •9.19. Способы контроля процессов диффузии
- •Глава 10
- •Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники
- •10.1. Типы интегральных микросхем
- •10.2. Корпуса имс и их конструкции
- •10.3. Требования к конструкции корпусов
- •10.4. Металлокерамические корпуса
- •10.5. Металлостеклянные корпуса
- •10.6. Пластмассовые корпуса
- •Температура;
- •Удельное давление;
- •Продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
- •10.7. Корпуса чашечного типа
- •Глава 11
- •Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники
- •11.1. Разделение пластин на кристаллы
- •11.2. Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями
- •11.3. Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями
- •11.4. Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой
- •11.5. Контроль качества сборочных операций
- •Перемычками
- •Глава 12
- •12.1. Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники
- •12.2. Процессы термокомпрессионной микросварки
- •12.3. Ультразвуковая и термозвуковая микросварка
- •12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
- •12.5. Монтаж жесткими объемными выводами
- •12.6. Монтаж кристаллов на плате
- •Глава 13
- •Герметизация изделий электроники и контроль герметичности
- •13.1. Герметизация корпусов сваркой
- •Относительная деформация и удельное давление для холодной сварки некоторых металлов
- •13.2. Герметизация корпусов пайкой
- •13.3. Герметизация пластмассами
- •13.4. Бескорпусная герметизация
- •13.5. Контроль герметичности изделий
- •13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
- •Глава 14
- •Обеспечение качества и надежности полупроводниковых
- •Приборов
- •14.1. Качество и надежность приборов электронной техники
- •14.2. Конструктивно-технологические особенности изделий интегральной электроники, влияющие на их надежность
- •14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
- •14.3.1. Анализ технологических процессов с использованием качественных диаграмм
- •14.3.2. Статистическое регулирование технологических процессов
- •14.4. Система контроля технологического процесса
- •14.4.1. Контроль качества изделий в процессе производства
- •14.4.2. Контроль технологического процесса
- •Ануфриев Леонид Петрович Бордусов Сергей Валентинович Гурский Леонид Ильич и др. Технология изделий интегральной электроники
В прогнозах, касающихся перспектив развития керамики для подложек и корпусов ИС, особо отмечается, что наиболее быстрыми темпами будет увеличиваться производство бескислородной керамики (AlN, SiC, BN), стеклокерамических и других композиционных материалов на основе керамики, в которых сохраняются наиболее важные свойства нескольких керамических материалов. Например, можно изготавливать подложки, имеющие высокую теплопроводность нитрида алюминия и низкую диэлектрическую проницаемость муллита (3Аl2O3 . SiO2).
Переход к управлению свойствами создаваемой «электронной» керамики, к предварительному прогнозированию и расчету этих свойств станет, по-видимому, обычной практикой в технологии производства керамики в ближайшие годы.
В Японии в настоящее время резко увеличивается объем работ по получению и использованию тонких алмазных пленок. Применение алмазных пленок и алмазной керамики открывает большие перспективы в микроэлектронике благодаря их колоссальной теплопроводности (до 900-1000 Вт/м.К) и очень высокой электрической прочности (порядка 40 кВ/мм). Уже удается получить алмазные пленки толщиной 0,025 мкм и более, площадью до 20-30 см2 на различных подложках. Рекордная скорость осаждения пленок (до 180 мкм/ч) достигнута в настоящее время в Японии. Алмазную керамику, получаемую прессованием при высоких температурах и давлениях и содержащую до 70-95 % зерен алмаза, выпускают многие фирмы Японии и США. Подложки из этой керамики используются в приборах высокотемпературной электроники.
10.5. Металлостеклянные корпуса
Другой большой группой диэлектрических материалов, применяемых в корпусах различного типа, являются стекла. Основу многих марок стекол составляет оксид кремния. Но чисто силикатное (кварцевое) стекло имеет малый КТР, порядка (0,3 -0,5).10-6 град-1, что не позволяет получать ненапряженные прочные спаи с металлами или керамикой.
Основные недостатки, присущие всем маркам стекол, - низкая теплопроводность, нестойкость к воздействию кислот. Кроме того, стекло - хрупкий материал, а его электрические свойства заметно изменяются с температурой.
Получение металлостеклянных спаев в производстве ИМС имеет специфические особенности. Одна из них - малый размер таких спаев. Другой особенностью является то, что при изготовлении полупроводниковых приборов металлостеклянный спай проходит ряд технологических операций, связанных с нагреванием, травлением, гальванической обработкой. Герметизация полупроводниковых приборов электроконтактной или холодной сваркой требует создания металлостеклянных спаев, исключающих их разрушение под действием возникающих напряжений. Кроме того, к металлостеклянным спаям в полупроводниковом производстве предъявляют высокие требования в отношении надежности.
По кривым теплового (термического) расширения некоторых стекол, керамических материалов и металлов в зависимости от температуры можно легко определить, что согласованными будут спаи стекла С49-2, а также форстеритовой и корундовой керамики ВК94-1 с коваром. Напряжения, возникающие вследствие несовпадения КТР стекла (керамики) и металла в этих спаях, не превышают безопасных значений.
Несогласованными будут спаи стекла С87-1 с молибденом и керамики ВК94-1 с медью. Напряжения, возникающие в несогласованном спае вследствие несовпадения КТР стекла (керамики) и металла, могут достигать опасного для целостности слоя значения. Для сохранения спая в этом случае применяют особую конструкцию металлических деталей или специальные сплавы. Примером несогласованного спая может служить спай платинита со стеклом С97-1. Высокая упругость медной оболочки платинита значительно снижает напряжения, которые могут возникать вследствие разности КТР различных материалов.
Если напряжения превышают допустимые значений, происходит разрушение металлостеклянного спая, которое может быть двух видов: 1) в стекле образуются трещины; и 2) втекло отлипает от металла. Образование трещин происходит, когда сцеп-
ление между стеклом и металлом настолько велико, что превышает напряжение, разрушающее стекло (напряжение растяжения). Отлипание стекла от металла происходит, когда силы сцепления между частицами обоих материалов малы.
Различают механическое и оксидное спаивание стекла с металлом. При механическом спаивании стекло при непосредственном контакте с поверхностью металла смачивает металл и соединяется с ним. Такой спай обеспечивает хорошую герметичность, но он механически не прочен. При оксидном спаивании поверхностный оксидный слой диффундирует в размягченное стекло, образуя промежуточный слой, в котором концентрация металла постепенно уменьшается. Отсутствие резкого перехода от металла к стеклу снижает создаваемые напряжения и увеличивает прочность спая. При большой толщине оксида на поверхности металла спай может оказаться негерметичным.
Основными условиями получения надежных металлостеклянных спаев являются:
создание на поверхности тонкой и плотной пленки оксида и наличие у стекла хороших адгезионных свойств по отношению к металлу;
нагрев металла и стекла до температуры спаивания;
подбор пар стекло-металл с равными или близкими КТР в широком интервале температур;
создание спаев, для которых напряжение, возникающие вследствие разности КТР стекла и металла, не являются опасными;
использование металла с хорошей формоустойчивостью;
обязательный отжиг стекла после получения металлостек-лянногр спая;
создание технологического процесса, исключающего образование газовых пузырьков в стекле, которые могут нарушить прочность и герметичность спая.
По конструкции спая стекла с металлом металлостеклян-ные ножки (корпуса) разделяют на четыре группы:
1. Ножки, имеющие металлостеклянный спай, с одиночными выводами. В этом случае стекло непосредственно спаивается с выводами и металлическим фланцем (см. рис. 10.3, а). Такие
металлостеклянные спаи в основном применяют для маломощных приборов, так как они создают меньшую опасность нарушения герметичности ввиду отсутствия паек. Для надежного спая нужна его достаточная протяженность. При герметизации приборов электроконтактной или холодной сваркой на спай не должны передаваться опасные для его целостности напряжения. Металл по своим свойствам должен быть пригодным для получения надежного спая и хорошо свариваться электроконтактной и холодной сваркой.
2. Ножки, имеющие металлостеклянный спай, с несколькими выводами, проходящими через один стеклянный изолятор (см. рис. 10.3, б). Такие металлостеклянные спаи применяются в корпусах высокочастотных приборов, выводы которых электрически изолированы от корпуса.
Ножки имеющие металлостеклянный спай чашечного типа (см. рис. 10.3, в). Такие спаи применяются в корпусах малогабаритных приборов, выводы которых также электрически изолированы от корпуса. Спай достаточно протяженный, что обеспечивает его герметичность.
Ножки, имеющие металлостеклянный спай, с отдельными проходными изоляторами (см. рис. 10.3, г). Такие спаи используют в корпусах мощных приборов, достоинством которых является возможность применения различных металлов для фланца и спая со стеклом. Недостатками их следует считать сложность технологического процесса изготовления, наличие паяных соединений, создающих дополнительную опасность нарушения герметичности, а также невозможность применения таких изоляторов в малогабаритных корпусах.
При подготовке стеклянных деталей к спаиванию с их поверхности удаляют грязь, жир, металлическую пыль и другие загрязнения, которые могут способствовать образованию газовых пузырей в стекле, затруднять спаивание и ослаблять сцепление стекла с металлом.
Стеклянные бусы травят в течение 1,5—2 мин в 28%-ном водном растворе плавиковой кислоты. После травления бусы тщательно промывают холодной, а затем горячей водой в течение 5-10 мин и сушат на фильтровальной бумаге в сушильном шкафу. Более эффективным способом очистки поверхности стекла от механических загрязнений является ультразвуковая мойка.
Таблетки из стеклопорошка перед спаиванием промывают в насыщенном растворе дихромата калия в течение 2-3 мин, а затем в горячей и холодной проточной воде до удаления окраски дихромата калия и сушат 30 мин в сушильном шкафу при температуре 100-110 °С.
Если окажется, что на стеклянных бусах и таблетках имеются следы металлической пыли, их травят 3-5 мин в водородном растворе азотной кислоты (в соотношении 1:1), осторожно перемешивая, а затем промывают и сушат. Стеклянные детали должны быть чистыми, без следов глифталевой замазки и дихромата калия. Хранить обработанные детали следует в чистой таре с крышками.
Коваровые детали для очистки травят в водородном растворе серной и соляной кислот (1:1:1) при 60-80 °С в течение 10-20 мин (в зависимости от толщины их стенок). При травлении вместе с оксидами и другими загрязнениями снимается тонкий слой металла. Затем детали последовательно промывают в проточной горячей и холодной дистиллированной воде, осушают в спирте и сушильном шкафу 10-15 мин.
После травления коваровые детали отжигают, а так как газовые пузырьки ослабляют спай и нарушают герметичность, наибольшее распространение нашел отжиг в водороде.
Для получения надежного спая стекла с металлом необходимо, чтобы шероховатость поверхностей металлических деталей была 5-7-го классов. Установлено, что сцепление стекла с шероховатой поверхностью металла значительно прочнее, чем с гладкой, но шероховатая поверхность легко загрязняется и трудно отмывается. Глубокие следы обработки нежелательны, так как спай может получиться негерметичным.
В производстве полупроводниковых приборов и ИМС в основном применяют два метода изготовления металлостеклянных спаев: в конвейерных печах и высокочастотным нагревом.
Метод получения спаев в конвейерных печах является наиболее распространенным, так как обладает высокой производительностью, воспроизводимостью результатов при стабилизированных технологических режимах, возможностью независимого регулирования газового и температурного режимов, а также режимов огневой полировки стекла, сравнительной простотой технологической оснастки и возможностью механизации сборки кассет.
Приготовленные к соединению стеклянные и металлические детали загружают в графитовые кассеты. Загрузку выполняют вручную пинцетами или используют напальчники, чтобы загрязняющие вещества не попадали на детали. При механизированной загрузке используют графитовые кассеты на 50-80 мест. При этом кассету ставят на стол вибростенда и накладывают на него металлический кондуктор с ящиком, в котором находятся стеклянные бусы. Отверстия в кондукторе совпадают с отверстиями кассеты, но по диаметру немного больше диаметра
бус. Под действием вибрации в течение нескольких секунд в каждое отверстие кондуктора, а следовательно, и кассеты попадает только по одной бусине. Вибростенд включают и, предварительно наклонив кассету с кондуктором и ящиком на 90°, снимают их. Затем на место снятого ставят другой кондуктор с ящиком, в котором находятся выводы. Процесс повторяют. После этого загружают фланцы и собранную кассету передают на операцию спаивания.
Технологический процесс получения металлостеклянного спая определяется температурным, газовым и временным режимами работы конвейерной печи. Различают три этапа получения спая стекла с металлом в конвейерной печи.
На первом этапе осуществляется разогрев стеклянных и металлических спаев. При повышении температуры происходит размягчение стекла и окисление коваровых деталей кислородом, содержащимся в азоте. Скорость подъема температуры на этом этапе 60 °С/мин и может быть увеличена до 80-100 °С/ мин и более.
На втором этапе происходит спаивание стекла с металлом в атмосфере азота. Температура в печи достигает максимального значения. Расплавленное стекло смачивает окисленную поверхность коваровых деталей, оксидная пленка растворяется в нем и частично в самом коваре, образуя промежуточный слой. Время образования спая несколько минут. Хорошая смачиваемость ковара расплавленным стеклом С49-2 происходит в интервале температур 900-1000 °С.
На третьем этапе восстанавливается оксидная пленка на поверхностях коваровых деталей, свободных от стекла, и выполняется отжиг стекла в атмосфере водорода. Температура снижается со скоростью примерно 50-60 °С/мин до температуры верхней границы зоны отжига. Для стекла С49-2 верхняя граница зоны отжига 575 °С.
В интервале температур зоны отжига охлаждение производится со скоростью 6-10 °С/мин до температуры 110 °С. Вблизи нижней границы зоны отжига скорость снижения температуры желательно иметь еще ниже, поэтому ниже зоны отжига стекла скорость снижения температуры составляет 3 °С/мин. Время
прохождения зоны (20 мин) можно считать достаточным для снятия остаточных напряжений в стекле. При скорости движения конвейерной ленты печи от 0,1 до 0,12 м/мин получение спая происходит примерно за 1 ч. Вышедшие из печи кассеты охлаждают до комнатной температуры, разгружают и передают на последующие операции.
Качество спая стекла с металлом зависит от стабильности давления газов в магистралях и рабочем туннеле цепи. В связи с тем что водород в семь раз легче азота, возможно разложение атмосферы и проникновение водорода в зону образования спая. Водород, попавший в зону спаивания, восстанавливает оксидную пленку, на коваровых деталях и увеличивает хрупкость стекла. При смещении восстановленной водородной зоны по тунне-лю возможны выбросы пламени. При смещении защитней азот-ной зоны в сторону восстановительной зоны возможны потемнения спекаемых деталей вследствие окисления. Поэтому необходимо следить, чтобы водород в зону спекания не попадал, а газовый режим был стабилен.
Водород и азот, применяемые в конвейерных электрокечах, необходимо контролировать на влажность (по точке росы) и содержанию кислорода. Пригодным для работы считают водород и азот с содержанием кислорода соответственно до 0,3-1 %. Температура точки росы для водорода составляет -30 °С, а для азота -25 °С.
Водород имеет большую скорость диффузии в стекле, поэтому подача его в процессе охлаждения кассет при высокой температуре (выше 600 °С) может вызвать восстановление оксида ковара и снижение прочности спая. При подаче водорода в зону печи с меньшей температурой (при охлаждении кассет) прочность спая увеличивается.
Метод получения спаев высокочастотным нагревом имеет ограниченное применение й используется в основном для изготовления баллонов диодов. Основные достоинства этого метода - сравнительная чистота процесса получения оная, а также механизация загрузки деталей и автоматизация процесса спаивания стекла с металлом, а недостаток — сложность оборудования.
