- •Глава 2. Полупроводниковые подложки, особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •Диффузия из бесконечного источника 331
- •Диффузия из ограниченного источника 332
- •Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии 334
- •Атомные механизмы диффузии 335
- •Факторы, влияющие на процессы диффузии 337
- •Способы контроля процессов диффузии 339
- •Глава 10. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники .. 343
- •Типы интегральных микросхем..... 343
- •Корпуса имс и их конструкции 347
- •Требования к конструкции корпусов .............356
- •Глава 8. Фотолитографические процессы 265
- •Металлокерамические корпуса 357
- •Металлостеклянные корпуса 364
- •Пластмассовые корпуса.... ... 372
- •Корпуса чашечного типа 380
- •Глава 11. Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники 382
- •Разделение пластин на кристаллы 382
- •Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями 398
- •Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями 402
- •Автоматизированный монтаж кристаллов
- •11.5. Контроль качества сборочных операций 408
- •Глава 9. Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии.... 303
- •9.10. Диффузия ..322
- •Назначение и задачи диффузии .......322
- •Модели и механизмы диффузии 323
- •Одномерное уравнение Фика 326
- •Постоянные коэффициенты диффузии......327
- •Механизмы диффузии в твердом теле 328
- •Глава 12. Микромонтаж изделий интегральной
- •Глава 13. Герметизация изделий электроники
- •Глава 14. Обеспечение качества и надежности изделий полупроводниковых приборов 488
- •Глава 1
- •Физико-химические основы и технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и изделий интегральной электроники
- •1.1. Основные материалы изделий интегральной электроники
- •1.2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •1.2.1. Функции состояний
- •1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •1.2.3. Фазовые переходы
- •1.2.4. Типы диаграмм состояния двойных систем
- •Pис. 1.11. Двухфазная диаграмма состояний, на которой показаны процессы отвердевания
- •1.3. Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в изделиях интегральной электроники
- •1.4. Твердая растворимость
- •1.5. Диаграммы состояния тройных систем
- •Высотой перпендикуляра (например, e0e5 на рис. 1.22, б) к данной точке; и
- •Кривыми, отражающими на диаграмме геометрические места точек с равными свойствами (так, например, на географической карте изображаются изогипсы).
- •1.6. Основные понятия и определения
- •1) Минимальным размером элемента, надежно воспроизводимым на полупроводниковой пластине, которым оценивается разрешающая способность процесса;
- •Предельными отклонениями размеров элементов одного топологического слоя от номинальных;
- •Ограниченное время межоперационного хранения партии пластин;
- •Высокие требования к производственной гигиене (1-2-й классы помещений по климатическим параметрам и 1-2-й классы по запыленности воздушной среды).
- •1.7. Основные тины структур интегральных микросхем
- •Сравнительные характеристики основных типов структур интегральных микросхем:
- •1.8. Процесс изготовления биполярных имс
- •1.9. Процесс изготовления кмоп имс
- •1.10. Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки
- •Проводимости
- •1.11. Технологический маршрут изготовления mosfet-транзисторов
- •1.12. Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров
- •1.50). В закрытом состоянии сопротивление тиристора велико, что соответствует участку малого тока через прибор на воль-тамперной характеристике.
- •Глава 2
- •Особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •2.1. Основные характеристики полупроводниковых подложек
- •2.2. Физико-химические основы подготовки гладких поверхностей подложек
- •2.3. Разновидности загрязнений и их влияние на технологические храктеристики полупроводниковых подложек. Источники загрязнения поверхности подложек
- •2.4. Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел
- •2.5. Чистые производственные помещения
- •2.6. Контроль дефектности технологического процесса
- •Глава 3
- •Обработка поверхности полупроводниковых пластин в жидких средах
- •3.1. Классификация типов обработки поверхности
- •3.2. Кинетика процесса химического травления
- •3.3. Механизмы травления полупроводников
- •3.4. Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.5. Особенности жидкостного травления функциональных слоев
- •3.6. Электрохимическая обработка поверхности
- •3.7. Парогазовое травление
- •Парогазовое травление кремниевых подложек в различных
- •Глава 4
- •Ионно-плазменные методы обработки поверхности полупроводниковых пластин
- •4.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
- •4.2. Механизмы процесса ионно-плазменного травления
- •Размещение подложек на запитываемом электроде (катоде);
- •Относительно низкие рабочие давления (0,133-13,3 Па).
- •4.3. Методы плазменного травления
- •4.4. Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного травления
- •Изотропного плазмохимического травления;
- •Осаждения полимера.
- •Глава 5
- •Эпитаксиальные процессы в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- •5.1. Эпитаксиальные процессы
- •5.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии
- •5.3. Автоэпитаксия кремния
- •Вентили
- •5.4. Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксиальные соотношения в гетероэпитаксиальных слоях кремния на сапфире
- •5.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений aiiibv и твердых растворов на их основе
- •Диэлектрические слои и методы их нанесения
- •6.1. Стабилизация и защита поверхности имс и полупроводниковых приборов
- •5.6. Дефекты эпитаксиальных слоев
- •Глава 6
- •6.2. Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев
- •6.3. Формирование тонких слоев методом химического осаждения из газовой фазы
- •6.4, Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из газовой фазы
- •6.5. Атомно-слоевое осаждение (ald)
- •Сравнение атомно-слоевого осаждения и осаждения из газовой фазы
- •6.6. Пленки, получаемые центрифугированием из растворов кремнийорганических соединений (нцр-пленки)
- •Глава 7
- •7.1. Термическое испарение материалов в вакууме
- •7.2. Краткая характеристика испарителей
- •7.3. Индукционные испарители
- •7.4. Электронно-лучевое испарение
- •7.5. Метод ионного распыления
- •7.6. Катодное распыление
- •7.7. Магнетронное распыление
- •7.8. Лазерно-плазменное распыление
- •7.9. Вакуумное оборудование для формирования пленок
- •7.9.1. Термическое испарение материала
- •Вакуумные установки увн-2м2 (урм.3.279.017; увн-75р1)
- •7.9.2. Формирование пленок электронно-лучевым методом Установка 01нэ-7-004 «Оратория-9»
- •Каркас, в котором размещается высоковакуумная системах рабочей камерой;
- •Стойка питания и управления, служащая для автоматического управления вакуумной откачкой, устройством нагрева, вращением подложек и электронно-лучевыми пушками;
- •Две стойки управления, раздельно для каждой электроннолучевой пушки.
- •7.9.3. Установка увнрэ-э60 (прототип уbh-z400 фирмы Leybold Heraeus)
- •7.9.4. Формирование металлических пленок магнетронным распылением
- •7.10. Установка лазерного распыления
- •Тонких пленок
- •Глава 8
- •8.1. Процессы в фоторезистах
- •Фоторезистов
- •8.3. Методы литографии
- •8.3.1. Оптическая литография (фотолитография)
- •8.3.2. Технология контактной фотолитографии
- •Низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;
- •Высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.
- •8.4. Методы повышения качества формирования изображения
- •8.4.1. Рентгенолитография
- •8.4.2. Электронолитография
- •8.5. Метод самосовмещения
- •Затворами
- •Глава 9
- •Получение электронно-дырочных - переходов методом диффузии
- •9.1. Основы диффузионной технологии
- •9.2. Легирующие примеси и источники диффузии
- •9.3. Технология проведения процессов диффузии
- •9.4. Контроль параметров диффузионных слоев
- •9.5. Ионная имплантация
- •9.5.1. Назначение и применение ионной имплантации
- •9.5.2. Применение ионной имплантации в технологии сбис. Создание мелких переходов
- •9.6. Геттерирование
- •9.7. Эффекты, используемые в технологии сбис
- •9.7.1. Оборудование для ионной имплантации
- •9.7.2. Механизм проникновения ионов в подложку Распределение внедренных атомов по глубине подложки оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:
- •9.8. Дефекты ионного легирования и способы их устранения
- •9.8.1. Ионное каналирование
- •9.8.2. Радиационные дефекты
- •9.9. Отжиг легированных структур
- •9.9.1. Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
- •9.9.2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором
- •9.9.3. Изотермический отжиг
- •9.9.4. Диффузия имплантированных примесей
- •9.9.5. Быстрый отжиг
- •9.9.6. Отжиг в атмосфере кислорода
- •9.10. Диффузия
- •9.10.1. Назначение и задачи диффузии
- •9.10.2. Модели и механизмы диффузии
- •1) Теории сплошных сред с использованием уравнений диффу-
- •9.11. Одномерное уравнение Фика
- •9.12. Постоянные коэффициенты диффузии
- •9.13. Механизмы диффузии в твердом теле
- •Механизм диффузии, когда соседний атом, будь то атом примеси или собственный атом кристалла, мигрирует на место вакансии, называется вакансионным.
- •Механизм диффузии, при котором атом переходит из одного междоузлия в другое, не попадая при этом в узлы кристаллической решетки, называется механизмом перемещения атомов по междоузлиям.
- •9.14. Диффузия из бесконечного источника Диффузия из бесконечного источника описывается уравнением:
- •9.15. Диффузия из ограниченного источника
- •9.16. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
- •9.7. Атомные механизмы диффузии
- •I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными де-
- •9.19. Способы контроля процессов диффузии
- •Глава 10
- •Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники
- •10.1. Типы интегральных микросхем
- •10.2. Корпуса имс и их конструкции
- •10.3. Требования к конструкции корпусов
- •10.4. Металлокерамические корпуса
- •10.5. Металлостеклянные корпуса
- •10.6. Пластмассовые корпуса
- •Температура;
- •Удельное давление;
- •Продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
- •10.7. Корпуса чашечного типа
- •Глава 11
- •Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники
- •11.1. Разделение пластин на кристаллы
- •11.2. Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями
- •11.3. Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями
- •11.4. Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой
- •11.5. Контроль качества сборочных операций
- •Перемычками
- •Глава 12
- •12.1. Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники
- •12.2. Процессы термокомпрессионной микросварки
- •12.3. Ультразвуковая и термозвуковая микросварка
- •12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
- •12.5. Монтаж жесткими объемными выводами
- •12.6. Монтаж кристаллов на плате
- •Глава 13
- •Герметизация изделий электроники и контроль герметичности
- •13.1. Герметизация корпусов сваркой
- •Относительная деформация и удельное давление для холодной сварки некоторых металлов
- •13.2. Герметизация корпусов пайкой
- •13.3. Герметизация пластмассами
- •13.4. Бескорпусная герметизация
- •13.5. Контроль герметичности изделий
- •13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
- •Глава 14
- •Обеспечение качества и надежности полупроводниковых
- •Приборов
- •14.1. Качество и надежность приборов электронной техники
- •14.2. Конструктивно-технологические особенности изделий интегральной электроники, влияющие на их надежность
- •14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
- •14.3.1. Анализ технологических процессов с использованием качественных диаграмм
- •14.3.2. Статистическое регулирование технологических процессов
- •14.4. Система контроля технологического процесса
- •14.4.1. Контроль качества изделий в процессе производства
- •14.4.2. Контроль технологического процесса
- •Ануфриев Леонид Петрович Бордусов Сергей Валентинович Гурский Леонид Ильич и др. Технология изделий интегральной электроники
Изобарно-изотерический потенциал, или свободную энергию Гиббса G, можно представить с использованием энтальпии Н: G = F + PV = Е - TS =Н - TS.
1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
Любая термодинамическая система может в зависимости от условий находиться в 4 агрегатных состояниях или фазах: газ, плазма, жидкость, твердое тело. В термодинамике обычно плазму не выделяют в отдельное агрегатное состояние, ее относят к газообразному состоянию и рассматривают три основных агрегатных состояния - газообразное, жидкое и твердое.
Однофазные диаграммы состояний - это графики, на которых в зависимости от давления, объема и температуры изображают фазовые состояния только одного материала.
Обычно не принято рисовать трехмерный график на двухмерной плоскости. Такой график изображают в виде его проекции на плоскость температура—давление. Пример однофазной диаграммы состояний приведен на рис. 1.2. На диаграмме четко разграничены области, в которых материал может существовать только в одном агрегатном (фазовом) состоянии - как твердое тело, жидкость или газ. Вдоль разграничительных линий вещество может иметь два агрегатных состояния (две фазы), находящихся в равновесии друг с другом. Возможна любая из комбинаций агрегатных состояний: твердое тело — жидкость, твердое тело — газ, жидкость — газ.
На рис. 1.2 О - равновесие трех фаз, тройная точка; OR -кривая испарения; ОB - кривая плавления; OA - кривая возгонки; А, К, В - критические точки, в точке K исчезает различие агрегатных состояний газ— жидкость (G - L); в точке В -агрегатных состояний жидкость - твердое тело (L - S); в точке А - агрегатных состояний твердое тело - газ (S - G).
В точке пересечения линий диаграммы, так называемой тройной точке (точка О на рисунке), могут одновременно существовать все три фазы. Причем это возможно при одной-единственной температуре, поэтому тройная точка служит хорошей точкой отсчета температур. Обычно в качестве одной из точек отсчета выступает тройная точка воды (например, в прецизионных измерениях с использованием термопар, где спай термопары контактирует с системой лед - вода - пар).
Полиморфные превращения, например, алмаз - графит усложняют фазовую диаграмму. Еще более сложная фазовая диаграмма у диоксида кремния SiO2, у которого может быть 11 полиморфных превращений в температурном интервале, в котором происходит синтез изделий интегральной электроники. Необходимо отметить, что при полиморфных превращениях изменяется не только тип кристаллической решетки, но и мольный объем V. Особенности этих процессов будут рассмотрены в следующем разделе.
1.2.3. Фазовые переходы
Фазовые переходы - это переходы из одного фазового состояния в другое при изменении параметров системы. Полиморфные превращения также относятся к фазовым переходам. Общая классификация фазовых переходов была предложена в 1933 г. Эренфестом. Согласно этой классификации фазовые переходы подразделяются на переходы (превращения) первого и
и второго родов.
Фазовые переходы первого рода - испарение, конденсация, плавление, кристаллизация, переходы из одной кристалличес-кой модификации в другую (см. рис. 1.3).
Напомним, что кристаллическое состояние вещества классифицируется по семи сингониям (триклинная, моноклинная, ромбическая, тетрагональная, тригональная, или ромбоэдричес-
кая, гексагональная, кубическая), при этом расположение атомов в этих сингониях характеризуется 14 типами решеток (решетки Браве). Степень упаковки атомов в этих семи сингониях и 14 решетках различна, различны и объемы f, занимаемые атомами, в этих сингониях и решетках. Например, для простой кубической решетки занимаемый атомами объем f составляет f = 0,52; объемно центрированной кубической - f = 0,68; гра-нецентрированной кубической - f = 0,74; гексагональной с плотной упаковкой - f = 0,74.
Аф4з пер
О 200 300 К
Рис. 1.3. Фазовые переходы первого рода в координатах: давление - температура (Р-Т) и энтальпия - температура (H-Т)
Из этих данных следует очень важный вывод, при фазовых переходах (превращениях с изменением типа кристаллической решетки) происходит изменение объема и, следовательно, физико-химических свойств материалов. Изменения объема при фазовых переходах приводят к возникновению остаточных напряжений в материале, что служит причиной нежелательных деформаций, приводящих к короблению материала, а в отдельных случаях и к его разрушению.
Термодинамический (химический) потенциал μ - функция состояния, определяющая изменение термодинамических потен-
циалов при изменении числа частиц в системе. Другими словами - есть функция, которая определяет направление и предел самопроизвольного перехода компонента из одной фазы в другую при соответствующих превращениях и условиях, определяемых параметрами Т, Р, V, S, хi.
Термодинамические потенциалы связаны с друг другом соотношением:
(1.1)
где μr0- количество вещества в граммах; μмоль - количества вещества в молях; М - молекулярный вес соответствующего вещества.
Для теории твердых растворов, которые широко используются при создании изделий интегральной электроники, особенно изделий опто- и квантовой электроники, огромное значение имеет развитый Гиббсом метод термодинамических, или химических, потенциалов. Химическое равновесие можно определить с помощью метода термодинамических, или химических, потенциалов.
Термодинамический (химический) потенциал μ, характеризуется энергией, приходящейся на 1 атом:
(1.2)
где G - энергия Гиббса; No - число Авогадро, No = 6,0222 1023моль-1.
При переходах первого рода в точке перехода сосуществует две фазы, например, a и β (рис. 1.3). Переход осуществляется при определенной температуре Тпер. При переходе изменяются скачком первые производные термодинамического потенциала по температуре и давлению: энтальпия, энтропия, объем, а следовательно, и плотность.
(1.3)
здесь S - энтропия, V - объем.
Так как термодинамический потенциал μ при фазовых переходах первого рода меняется скачкообразно и определяется выражением:
(1.4)
то и энергия Е также должна изменяться скачком. При этом разность значений термодинамических потенциалов для первой и второй фаз определяется выражением:
(1.5)
(1.6)
Она равна произведению температуры на разность энтропии фаз, т.е. имеет место скачкообразное изменение или поглощение теплоты.
Функция μ1(Р,Т) и μ2(P,T) характеризует особенности изменения термодинамического потенциала вблизи точки фазового перехода, при этом с обеих сторон точки фазового перехода имеются минимумы термодинамического потенциала. Этой особенностью объясняется возможность перегрева или переохлаждения фаз в случае фазовых переходов первого рода в системе.
Определим взаимосвязи между скачками термодинамических функций ΔS и ΔV при фазовых переходах. После дифференцирования по температуре соотношения μ1(Р,Т) = μ2(P,T) с учетом выражения для S, V и Q получим:
(1.7)
Это известная формула Клайперона-Клаузиса. Она позволяет определить изменение давлений, находящихся в равновесии фаз при изменении температуры либо изменения температуры перехода между двумя фазами при изменении давления. Скачкообразное изменение объема приводит к отсутствию определенной связи между структурой и системой фаз, преобразующихся при фазовом переходе первого рода, которые при переходе изменяются скачком.
Типичными для фазовых переходов первого рода являются переходы между агрегатными состояниями вещества, полиморфными (аллотропическими) превращениями, а также многие фазовые превращения в многокомпонентных материалах.
Принципиальное отличие фазовых переходов второго рода от фазовых переходов первого рода заключается в следующем: переходы второго рода характеризуются как непрерывностью
изменения термодинамического потенциала μ, так и непрерывностью изменения его производных. При переходах второго рода первые производные свободной энергии: энтальпия, энтропия, объем, плотность изменяются монотонно (см. рис. 1.4).
Обе кривые на рис. 1.4 характеризуют монотонное убывание с температурой, определяя значение энтропии фаз : S a и S β :
(1.8)
