- •Глава 2. Полупроводниковые подложки, особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •Диффузия из бесконечного источника 331
- •Диффузия из ограниченного источника 332
- •Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии 334
- •Атомные механизмы диффузии 335
- •Факторы, влияющие на процессы диффузии 337
- •Способы контроля процессов диффузии 339
- •Глава 10. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники .. 343
- •Типы интегральных микросхем..... 343
- •Корпуса имс и их конструкции 347
- •Требования к конструкции корпусов .............356
- •Глава 8. Фотолитографические процессы 265
- •Металлокерамические корпуса 357
- •Металлостеклянные корпуса 364
- •Пластмассовые корпуса.... ... 372
- •Корпуса чашечного типа 380
- •Глава 11. Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники 382
- •Разделение пластин на кристаллы 382
- •Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями 398
- •Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями 402
- •Автоматизированный монтаж кристаллов
- •11.5. Контроль качества сборочных операций 408
- •Глава 9. Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии.... 303
- •9.10. Диффузия ..322
- •Назначение и задачи диффузии .......322
- •Модели и механизмы диффузии 323
- •Одномерное уравнение Фика 326
- •Постоянные коэффициенты диффузии......327
- •Механизмы диффузии в твердом теле 328
- •Глава 12. Микромонтаж изделий интегральной
- •Глава 13. Герметизация изделий электроники
- •Глава 14. Обеспечение качества и надежности изделий полупроводниковых приборов 488
- •Глава 1
- •Физико-химические основы и технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и изделий интегральной электроники
- •1.1. Основные материалы изделий интегральной электроники
- •1.2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •1.2.1. Функции состояний
- •1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •1.2.3. Фазовые переходы
- •1.2.4. Типы диаграмм состояния двойных систем
- •Pис. 1.11. Двухфазная диаграмма состояний, на которой показаны процессы отвердевания
- •1.3. Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в изделиях интегральной электроники
- •1.4. Твердая растворимость
- •1.5. Диаграммы состояния тройных систем
- •Высотой перпендикуляра (например, e0e5 на рис. 1.22, б) к данной точке; и
- •Кривыми, отражающими на диаграмме геометрические места точек с равными свойствами (так, например, на географической карте изображаются изогипсы).
- •1.6. Основные понятия и определения
- •1) Минимальным размером элемента, надежно воспроизводимым на полупроводниковой пластине, которым оценивается разрешающая способность процесса;
- •Предельными отклонениями размеров элементов одного топологического слоя от номинальных;
- •Ограниченное время межоперационного хранения партии пластин;
- •Высокие требования к производственной гигиене (1-2-й классы помещений по климатическим параметрам и 1-2-й классы по запыленности воздушной среды).
- •1.7. Основные тины структур интегральных микросхем
- •Сравнительные характеристики основных типов структур интегральных микросхем:
- •1.8. Процесс изготовления биполярных имс
- •1.9. Процесс изготовления кмоп имс
- •1.10. Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки
- •Проводимости
- •1.11. Технологический маршрут изготовления mosfet-транзисторов
- •1.12. Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров
- •1.50). В закрытом состоянии сопротивление тиристора велико, что соответствует участку малого тока через прибор на воль-тамперной характеристике.
- •Глава 2
- •Особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •2.1. Основные характеристики полупроводниковых подложек
- •2.2. Физико-химические основы подготовки гладких поверхностей подложек
- •2.3. Разновидности загрязнений и их влияние на технологические храктеристики полупроводниковых подложек. Источники загрязнения поверхности подложек
- •2.4. Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел
- •2.5. Чистые производственные помещения
- •2.6. Контроль дефектности технологического процесса
- •Глава 3
- •Обработка поверхности полупроводниковых пластин в жидких средах
- •3.1. Классификация типов обработки поверхности
- •3.2. Кинетика процесса химического травления
- •3.3. Механизмы травления полупроводников
- •3.4. Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.5. Особенности жидкостного травления функциональных слоев
- •3.6. Электрохимическая обработка поверхности
- •3.7. Парогазовое травление
- •Парогазовое травление кремниевых подложек в различных
- •Глава 4
- •Ионно-плазменные методы обработки поверхности полупроводниковых пластин
- •4.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
- •4.2. Механизмы процесса ионно-плазменного травления
- •Размещение подложек на запитываемом электроде (катоде);
- •Относительно низкие рабочие давления (0,133-13,3 Па).
- •4.3. Методы плазменного травления
- •4.4. Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного травления
- •Изотропного плазмохимического травления;
- •Осаждения полимера.
- •Глава 5
- •Эпитаксиальные процессы в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- •5.1. Эпитаксиальные процессы
- •5.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии
- •5.3. Автоэпитаксия кремния
- •Вентили
- •5.4. Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксиальные соотношения в гетероэпитаксиальных слоях кремния на сапфире
- •5.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений aiiibv и твердых растворов на их основе
- •Диэлектрические слои и методы их нанесения
- •6.1. Стабилизация и защита поверхности имс и полупроводниковых приборов
- •5.6. Дефекты эпитаксиальных слоев
- •Глава 6
- •6.2. Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев
- •6.3. Формирование тонких слоев методом химического осаждения из газовой фазы
- •6.4, Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из газовой фазы
- •6.5. Атомно-слоевое осаждение (ald)
- •Сравнение атомно-слоевого осаждения и осаждения из газовой фазы
- •6.6. Пленки, получаемые центрифугированием из растворов кремнийорганических соединений (нцр-пленки)
- •Глава 7
- •7.1. Термическое испарение материалов в вакууме
- •7.2. Краткая характеристика испарителей
- •7.3. Индукционные испарители
- •7.4. Электронно-лучевое испарение
- •7.5. Метод ионного распыления
- •7.6. Катодное распыление
- •7.7. Магнетронное распыление
- •7.8. Лазерно-плазменное распыление
- •7.9. Вакуумное оборудование для формирования пленок
- •7.9.1. Термическое испарение материала
- •Вакуумные установки увн-2м2 (урм.3.279.017; увн-75р1)
- •7.9.2. Формирование пленок электронно-лучевым методом Установка 01нэ-7-004 «Оратория-9»
- •Каркас, в котором размещается высоковакуумная системах рабочей камерой;
- •Стойка питания и управления, служащая для автоматического управления вакуумной откачкой, устройством нагрева, вращением подложек и электронно-лучевыми пушками;
- •Две стойки управления, раздельно для каждой электроннолучевой пушки.
- •7.9.3. Установка увнрэ-э60 (прототип уbh-z400 фирмы Leybold Heraeus)
- •7.9.4. Формирование металлических пленок магнетронным распылением
- •7.10. Установка лазерного распыления
- •Тонких пленок
- •Глава 8
- •8.1. Процессы в фоторезистах
- •Фоторезистов
- •8.3. Методы литографии
- •8.3.1. Оптическая литография (фотолитография)
- •8.3.2. Технология контактной фотолитографии
- •Низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;
- •Высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.
- •8.4. Методы повышения качества формирования изображения
- •8.4.1. Рентгенолитография
- •8.4.2. Электронолитография
- •8.5. Метод самосовмещения
- •Затворами
- •Глава 9
- •Получение электронно-дырочных - переходов методом диффузии
- •9.1. Основы диффузионной технологии
- •9.2. Легирующие примеси и источники диффузии
- •9.3. Технология проведения процессов диффузии
- •9.4. Контроль параметров диффузионных слоев
- •9.5. Ионная имплантация
- •9.5.1. Назначение и применение ионной имплантации
- •9.5.2. Применение ионной имплантации в технологии сбис. Создание мелких переходов
- •9.6. Геттерирование
- •9.7. Эффекты, используемые в технологии сбис
- •9.7.1. Оборудование для ионной имплантации
- •9.7.2. Механизм проникновения ионов в подложку Распределение внедренных атомов по глубине подложки оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:
- •9.8. Дефекты ионного легирования и способы их устранения
- •9.8.1. Ионное каналирование
- •9.8.2. Радиационные дефекты
- •9.9. Отжиг легированных структур
- •9.9.1. Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
- •9.9.2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором
- •9.9.3. Изотермический отжиг
- •9.9.4. Диффузия имплантированных примесей
- •9.9.5. Быстрый отжиг
- •9.9.6. Отжиг в атмосфере кислорода
- •9.10. Диффузия
- •9.10.1. Назначение и задачи диффузии
- •9.10.2. Модели и механизмы диффузии
- •1) Теории сплошных сред с использованием уравнений диффу-
- •9.11. Одномерное уравнение Фика
- •9.12. Постоянные коэффициенты диффузии
- •9.13. Механизмы диффузии в твердом теле
- •Механизм диффузии, когда соседний атом, будь то атом примеси или собственный атом кристалла, мигрирует на место вакансии, называется вакансионным.
- •Механизм диффузии, при котором атом переходит из одного междоузлия в другое, не попадая при этом в узлы кристаллической решетки, называется механизмом перемещения атомов по междоузлиям.
- •9.14. Диффузия из бесконечного источника Диффузия из бесконечного источника описывается уравнением:
- •9.15. Диффузия из ограниченного источника
- •9.16. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
- •9.7. Атомные механизмы диффузии
- •I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными де-
- •9.19. Способы контроля процессов диффузии
- •Глава 10
- •Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники
- •10.1. Типы интегральных микросхем
- •10.2. Корпуса имс и их конструкции
- •10.3. Требования к конструкции корпусов
- •10.4. Металлокерамические корпуса
- •10.5. Металлостеклянные корпуса
- •10.6. Пластмассовые корпуса
- •Температура;
- •Удельное давление;
- •Продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
- •10.7. Корпуса чашечного типа
- •Глава 11
- •Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники
- •11.1. Разделение пластин на кристаллы
- •11.2. Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями
- •11.3. Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями
- •11.4. Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой
- •11.5. Контроль качества сборочных операций
- •Перемычками
- •Глава 12
- •12.1. Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники
- •12.2. Процессы термокомпрессионной микросварки
- •12.3. Ультразвуковая и термозвуковая микросварка
- •12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
- •12.5. Монтаж жесткими объемными выводами
- •12.6. Монтаж кристаллов на плате
- •Глава 13
- •Герметизация изделий электроники и контроль герметичности
- •13.1. Герметизация корпусов сваркой
- •Относительная деформация и удельное давление для холодной сварки некоторых металлов
- •13.2. Герметизация корпусов пайкой
- •13.3. Герметизация пластмассами
- •13.4. Бескорпусная герметизация
- •13.5. Контроль герметичности изделий
- •13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
- •Глава 14
- •Обеспечение качества и надежности полупроводниковых
- •Приборов
- •14.1. Качество и надежность приборов электронной техники
- •14.2. Конструктивно-технологические особенности изделий интегральной электроники, влияющие на их надежность
- •14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
- •14.3.1. Анализ технологических процессов с использованием качественных диаграмм
- •14.3.2. Статистическое регулирование технологических процессов
- •14.4. Система контроля технологического процесса
- •14.4.1. Контроль качества изделий в процессе производства
- •14.4.2. Контроль технологического процесса
- •Ануфриев Леонид Петрович Бордусов Сергей Валентинович Гурский Леонид Ильич и др. Технология изделий интегральной электроники
10.2. Корпуса имс и их конструкции
Корпус служит для защиты полупроводникового кристалла от различных воздействий окружающей среды, включая повышенную влажность, механические нагрузки, электромагнитные излучения, воздействие агрессивных химических веществ и т.д. Он должен обеспечивать коммутацию электрических сигналов и подвод электропитания к элементам, расположенным на и в объеме кристалла, отводить выделяемое им тепло, допускать проверку электрических параметров микросхемы и применение высокопроизводительных, в том числе автоматизированных, процессов сборки ИМС и их монтажа в аппаратуру. Корпус ИМС должен сохранять ее работоспособность при повышенна (до 125 °С и более) и пониженных (до -60 °С) температурах. Такие разнообразные функции корпусов довольно жестко регламентируют номенклатуру используемых материалов, а также основные конструктивно-технологические решения, которые лежат в основе изготовления корпусов.
В зависимости от требований, предъявляемых к полупроводниковым приборам, корпуса могут быть герметичными и негерметичными. Применяют также бескорпусные полупроводниковые приборы, представляющие собой кристалл (плату) с электродными выводами. Для закрепления выводов и защиты кристалла (платы) его заливают пластмассой (компаундом). После монтажа в аппаратуре бескорпусные приборы вместе с другими элементами схемы обычно опрессовывают пластмассой.
Корпуса ИМС классифицируют по назначению, свойствам помещаемых в корпус полупроводниковых приборов, конструкции и материалу изоляторов, методу герметизации, тепловому сопро-тивлению.
В зависимости от назначения корпуса бывают для диодов, транзисторов, интегральных микросхем, оптических приборов, модулей и других устройств.
В зависимости от свойств помещаемого полупроводникового прибора и мощности рассеивания корпуса бывают для жало-мощных, средней и большой мощности, а по частотным свойствам — для низкочастотных, средней, высокой и сверхвысокой частоты изделий.
В зависимости от конструкции изоляторов корпуса бывают с одиночными и несколькими выводами, проходящими через одну изолирующую деталь, а также чашечного типа, с отдельными проходными, скрытыми внутри изолятора, наружными одно- и многорядными выводами.
В зависимости от того, какой материал в конструкции корпуса служит механической опорой для монтируемого кристалла и каким осуществляется изоляция выводов, корпуса, принято делить на керамические, металлокерамические, металлостек-лянные, стеклокерамические, пластмассовые, стеклянные.
По методу герметизации корпуса подразделяются на герметизируемые контурной контактной электросваркой, холодной сваркой, пайкой, стеклом, пластмассой, клеем и т.д.
Загерметизированный корпус образует замкнутый объем, в котором располагается кристалл и соединяющие его с внутренними контактными площадками корпуса (траверсами) проволочные проводники. Вместо разварки проволокой применяются также методы электрического соединения кристалла с корпусом с помощью балочных или столбиковых выводов. Корпус любого типа состоит из основания (с выводами) или подложки, выводной рамки (когда поставляется подложка без выводов) и крышки, используемой для герметизации ИМС.
Каждый из перечисленных выше типов корпусов имеет свои достоинства и недостатки (табл. 10.1), однако в целом принято считать, что наиболее надежными являются керамические корпуса, несколько уступают им металлостеклянные и стеклокерамические. Вместе с тем большинство керамических корпусов (особенно многовыводных) имеют недостаточную для получения высокого быстродействия микросхем проводимость выводов вследствие использования в конструкции печатных проводников из тугоплавких высокоомных металлов, а также высокую стоимость обусловленную значительным расходом драгоценных металлов (припои, покрытия).
Под пластмассовыми корпусами понимают такой способ сборки, когда кристалл монтируется на выводную рамку (имеющую в центре не пустое пространство, как в стеклокерамических корпусах, а прямоугольную площадку-держатель), а затем герметизируется заливкой жидкими компаундами или опрессовкой порошкообразными пресс-композициями. При этом корпус образует с кристаллом монолитное (без внутреннего воздушного объема) тело, которое может повторять форму любых корпусов с тем же числом выводов.
Пластмассовые корпуса приобрели большую популярность благодаря низкой стоимости герметизирующих полимерных материалов, простой, легко автоматизируемой технологии групповой сборки ИМС, высокой механической прочности и малой массе корпуса. Однако герметизация пластмассой не обеспечивает надежной защиты кристалла в условиях эксплуатации ИМС
при повышенных значениях влажности и температуры окружающей среды. Влагопроницаемость полимерных материалов, наличие в них агрессивных примесей, мигрирующих с влагой к кристаллу, приводят к коррозии металлических покрытий, а низкая теплопроводность пластмассы затрудняет отвод тепла. Поэтому пластмассовые корпуса используются для массовых серий микросхем с малой рассеиваемой мощностью, рассчитанных на работу при нормальной и низкой влажности в ограниченном диапазоне температур окружающей среды. Старение полимерных материалов также снижает надежность ИМС при длительных сроках хранения и эксплуатации. Разработаны и применяются более надежные, хотя и более трудоемкие в изготовлении пластмассовые корпуса с полым внутренним объемом, конструктивно близкие к металлостеклянным и металлокерамическим корпусам.
Конструкции корпусов ИМС отличаются большим разнообразием, большинство их стандартизировано и разбито по конструктивным типам. Отличительными признаками последних, независимо от технологического варианта изготовления, являются форма корпуса и расположение выводов. С этими признаками связан выбор способа монтажа изделий и конструкции печатной платы. В настоящее время известны и широко используются семь типов корпусов (табл. 10.2).
Одним из первых для ИМС был применен металлостеклян-ный корпус с круглой крышкой и штырьковыми выводами, расположенными перпендикулярно основанию корпуса, как правило, по окружности. Такие корпуса типов TO-3 (с фланцем в качестве теплоотвода), TO-5, ТО-8, ТО-78 и ТО-99 неудобны для проверки электрических параметров схем и монтажа на печатные платы. Гибкие проволочные выводы корпусов типа TO-5 легко перепутать, они часто ломаются при испытаниях или сборке изделий.
Поэтому созданные в 1965 г. фирмой Fairchild (США) DIP-корпуса с жесткими выводами быстро стали популярными и до сих пор остаются самыми массовыми. Габариты корпусов этого типа зависят от числа выводов в ряду и расстояния между их рядами (растра). Растр, как и шаг 2,54 мм между выводами в
ряду, стандартизован и равен 7,62 мм для корпусов с числом выводов от 8 до 20 и 15,24 мм - при числе выводов от 24 до 64. Применяются две разновидности DIP-корпусов: с выводами, припаянными к керамическому телу корпуса, и выступающими за него, последние из которых формируются до или после сборки ИМС под углом 90° к телу корпуса. Такие выводы имеют все DIP-корпуса в стеклокерамическом или пластмассовом вариантах изготовления и некоторые конструкции керамических корпусов. Естественно, что при одном и том же растре корпуса с припаянными выводами имеют несколько более широкое тело, что допускает монтаж кристалла больших габаритов.
Таблица 10.2
Стремясь уменьшить длину DIР-корпуса с большим числом выводов при сохранении его общей конфигураций и стандартного шага 2,54 мм, изготовители корпусов разработали и внедрили его QUIP-модификацию с ленточными выводами, припаянными к телу корпуса или выходящими из середины боковых
сторон пластмассового или стеклокерамического корпуса с шагом 1,27 мм. После сборки ИМС они формуются под прямым углом в четыре ряда и располагаются при этом в каждом соседнем ряду в шахматном порядке с шагом 2,54 мм.
Другой стандартизированный тип корпуса (плоский) при поставке может ничем не отличаться от корпуса QUIP, он имеет гибкие ленточные выводы, параллельные основанию корпуса с шагом 1,27 мм, но при монтаже ИМС на печатные платы эти выводы S-образыо изгибают или не формуют совсем, если они припаяны под основанием корпуса. В обоих случаях ИМС припаивают к контактным площадкам печатной платы внахлест. При таком способе сборки РЭА ИМС могут располагаться на поверхности платы (или теплоотвода) без зазора, благодаря чему достигается хороший кондуктивный отвод тепла от кристалла и обеспечивается меньшая, по сравнению с корпусами DIP и QUIP, высота ИМС на плате.
Высоконадежные плоские корпуса, включая керамические и металлостеклянные, пользуются большим спросом изготовителей военной и авиакосмической аппаратуры. В последние годы в связи с расширением применения метода поверхностного монтажа и возрастанием требований к миниатюризации коммерческой аппаратуры внедряются плоские корпуса с четырехсторонним расположением выводов и расстоянием между ними 0,635 мм, причем среди которых не только керамические, но и более дешевые стеклокерамические и пластмассовые корпуса.
Наиболее обширное семейство корпусов ИМС - кристалле-носители. Это, вероятно, самый быстроразвивающийся тип корпусов. Авторство в их изобретении принадлежит фирме ЗМ, которая в 1972 г. запатентовала, а с 1975 г. стала применять кристаллоносители в своих разработках.
Однако при сборке СБИС с числом выводов свыше 100 кристаллоносители уступают матричным корпусам, которые, начиная с конца 60-х годов, выпускает и применяет в производстве ЭВМ фирма IBM (США). Отличные массо-габаритные и электрические характеристики этих корпусов обусловлены особенностями расположения штырьковых выводов (или контактов), благодаря которым при одинаковом числе выводов основание мат-
ричного корпуса по площади меньше кристаллоносителя. Так, 160-выводной корпус с шагом матрицы 2,54 мм занимает менее половины площади, необходимой для монтажа кристаллоносителя с таким же числом контактов и шагом между ними 1,27 мм. Выпускается несколько вариантов корпусов: с матрицей выводов, занимающей всю нижнюю плоскость основания, с выводами, обращенными в ту же сторону, что и монтажный колодец (неполная матрица выводов); с двумя массивами выводов (разделенная матрица).
Матричные корпуса сложнее в изготовлении кристаллоноси-телей в связи с тем, что они выполняются спеканием нескольких слоев керамики, и поэтому дороже их примерно в 1,5-2,0 раза. Кроме того, для монтажа ИМС в таких корпусах требуются многослойные печатные платы, стоимость которых высока; недостатком является также невозможность визуальной проверки качества паяных контактов, расположенных внутри матрицы. Наряду с керамическими, созданы конструкции металло-стеклянных корпусов этого типа, не уступающих первым в надежности, но более дешевых и удобных в производстве.
Развитие техники корпусирования осуществляется в направлении увеличения числа выводов, уменьшения расстояния между выводами и снижения общих размеров корпусов. Мировая электронная промышленность около 90 % всех приборов выпускает в пластмассовых и до 10 % - в керамических корпусах.
Технологические изменения, связанные с поверхностным монтажом, которые начались с пассивных компонентов, все более распространяются и на ИМС Наблюдается годовой рост объема продаж приборов, выполненных по технологии монтажа на поверхность, по сравнению с приборами для монтажа в отверстия;
Сохраняется тенденция к увеличению числа выводов, которая наиболее отчетливо проявляется в заказных ИМС, вентильных матрицах и микропроцессорах.
Ведущие ассоциации и организации по стандартизации, такие как EIAJ в Японии и JEDEC в США, проводят большие работы в области нормирования параметров корпусов. Ведущее
положение в области разработки новых корпусов, особенно для бытовой аппаратуры, занимает Япония. Основными направлениями в стандартизации JEDEC являются переход на метрическую, систему, уменьшение расстояния (шага) между выводами, уменьшение длины выводов, снижение зазора корпус - плата и толщины корпусов.
Применение плоских корпусов у изготовителей аппаратуры связано с определенными трудностями, что является результатом снижения расстояния между выводами и увеличением их числа.
Основной проблемой, сдерживающей широкое применение корпусов с шагом меньше 0,5 мм, является миниатюрность выводов и необходимость обеспечения их высокой компланарности. Отклонение от нормального положения хотя бы одного вывода приводит к отказу аппаратуры.
В разных странах проблема решается различными способами. Так, при малом числе выводов такие корпуса поставляются в лентах, а при большом числе выводов - в поддонах. Таким образом фирмы-изготовители корпусов идут по пути совершенствования существующей технологии, не меняя системы взаимных отношений между изготовителями и потребителями элект-ронных компонентов.
В США существует другой подход к решению проблемы. Электронные фирмы поставляют ИМС в плоских корпусах с защитной рамкой, которая удаляется изготовителем аппаратуры перед монтажом схемы на плату. Таким образом, проблемы, связанные о сохранением формы и компланарности выводов, переложены с изготовителей ИМС на разработчиков аппаратуры.
По сравнению с монтажом в отверстия технология монтажа на поверхность создает в компонентах в процессе пайки более высокие термомеханические напряжения. При пайке оплавлением в пластмассовых корпусах больших размеров в результате испарения поглощенной ранее влаги возможно возникновение эффекта «воздушной кукурузы», что может привести к появлению трещин как в корпусе, так и в кристалле. По этой причине ИМС в больших корпусах обычно поставляются во влагонепроницаемой упаковке.
