- •Глава 2. Полупроводниковые подложки, особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •Диффузия из бесконечного источника 331
- •Диффузия из ограниченного источника 332
- •Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии 334
- •Атомные механизмы диффузии 335
- •Факторы, влияющие на процессы диффузии 337
- •Способы контроля процессов диффузии 339
- •Глава 10. Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники .. 343
- •Типы интегральных микросхем..... 343
- •Корпуса имс и их конструкции 347
- •Требования к конструкции корпусов .............356
- •Глава 8. Фотолитографические процессы 265
- •Металлокерамические корпуса 357
- •Металлостеклянные корпуса 364
- •Пластмассовые корпуса.... ... 372
- •Корпуса чашечного типа 380
- •Глава 11. Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники 382
- •Разделение пластин на кристаллы 382
- •Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями 398
- •Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями 402
- •Автоматизированный монтаж кристаллов
- •11.5. Контроль качества сборочных операций 408
- •Глава 9. Получение электронно-дырочных переходов методом диффузии.... 303
- •9.10. Диффузия ..322
- •Назначение и задачи диффузии .......322
- •Модели и механизмы диффузии 323
- •Одномерное уравнение Фика 326
- •Постоянные коэффициенты диффузии......327
- •Механизмы диффузии в твердом теле 328
- •Глава 12. Микромонтаж изделий интегральной
- •Глава 13. Герметизация изделий электроники
- •Глава 14. Обеспечение качества и надежности изделий полупроводниковых приборов 488
- •Глава 1
- •Физико-химические основы и технологические маршруты изготовления полупроводниковых приборов и изделий интегральной электроники
- •1.1. Основные материалы изделий интегральной электроники
- •1.2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •1.2.1. Функции состояний
- •1.2.2. Однофазная диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •1.2.3. Фазовые переходы
- •1.2.4. Типы диаграмм состояния двойных систем
- •Pис. 1.11. Двухфазная диаграмма состояний, на которой показаны процессы отвердевания
- •1.3. Основные двойные диаграммы состояния широко используемых материалов в изделиях интегральной электроники
- •1.4. Твердая растворимость
- •1.5. Диаграммы состояния тройных систем
- •Высотой перпендикуляра (например, e0e5 на рис. 1.22, б) к данной точке; и
- •Кривыми, отражающими на диаграмме геометрические места точек с равными свойствами (так, например, на географической карте изображаются изогипсы).
- •1.6. Основные понятия и определения
- •1) Минимальным размером элемента, надежно воспроизводимым на полупроводниковой пластине, которым оценивается разрешающая способность процесса;
- •Предельными отклонениями размеров элементов одного топологического слоя от номинальных;
- •Ограниченное время межоперационного хранения партии пластин;
- •Высокие требования к производственной гигиене (1-2-й классы помещений по климатическим параметрам и 1-2-й классы по запыленности воздушной среды).
- •1.7. Основные тины структур интегральных микросхем
- •Сравнительные характеристики основных типов структур интегральных микросхем:
- •1.8. Процесс изготовления биполярных имс
- •1.9. Процесс изготовления кмоп имс
- •1.10. Технологический маршрут изготовления мощных диодов Шоттки
- •Проводимости
- •1.11. Технологический маршрут изготовления mosfet-транзисторов
- •1.12. Технологический маршрут изготовления мощных тиристоров
- •1.50). В закрытом состоянии сопротивление тиристора велико, что соответствует участку малого тока через прибор на воль-тамперной характеристике.
- •Глава 2
- •Особенности подготовки их поверхности, разновидности загрязнений
- •2.1. Основные характеристики полупроводниковых подложек
- •2.2. Физико-химические основы подготовки гладких поверхностей подложек
- •2.3. Разновидности загрязнений и их влияние на технологические храктеристики полупроводниковых подложек. Источники загрязнения поверхности подложек
- •2.4. Процессы удаления загрязнений с поверхности твердых тел
- •2.5. Чистые производственные помещения
- •2.6. Контроль дефектности технологического процесса
- •Глава 3
- •Обработка поверхности полупроводниковых пластин в жидких средах
- •3.1. Классификация типов обработки поверхности
- •3.2. Кинетика процесса химического травления
- •3.3. Механизмы травления полупроводников
- •3.4. Особенности жидкостного травления полупроводников и полупроводниковых соединений
- •3.5. Особенности жидкостного травления функциональных слоев
- •3.6. Электрохимическая обработка поверхности
- •3.7. Парогазовое травление
- •Парогазовое травление кремниевых подложек в различных
- •Глава 4
- •Ионно-плазменные методы обработки поверхности полупроводниковых пластин
- •4.1. Классификация процессов ионно-плазменного травления
- •4.2. Механизмы процесса ионно-плазменного травления
- •Размещение подложек на запитываемом электроде (катоде);
- •Относительно низкие рабочие давления (0,133-13,3 Па).
- •4.3. Методы плазменного травления
- •4.4. Факторы, определяющие технологические параметры процесса плазменного травления
- •Изотропного плазмохимического травления;
- •Осаждения полимера.
- •Глава 5
- •Эпитаксиальные процессы в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- •5.1. Эпитаксиальные процессы
- •5.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии
- •5.3. Автоэпитаксия кремния
- •Вентили
- •5.4. Гетероэпитаксия кремния
- •Эпитаксиальные соотношения в гетероэпитаксиальных слоях кремния на сапфире
- •5.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений aiiibv и твердых растворов на их основе
- •Диэлектрические слои и методы их нанесения
- •6.1. Стабилизация и защита поверхности имс и полупроводниковых приборов
- •5.6. Дефекты эпитаксиальных слоев
- •Глава 6
- •6.2. Процессы окисления и свойства диэлектрических слоев
- •6.3. Формирование тонких слоев методом химического осаждения из газовой фазы
- •6.4, Формирование тонких слоев низкотемпературным плазмохимическим осаждением из газовой фазы
- •6.5. Атомно-слоевое осаждение (ald)
- •Сравнение атомно-слоевого осаждения и осаждения из газовой фазы
- •6.6. Пленки, получаемые центрифугированием из растворов кремнийорганических соединений (нцр-пленки)
- •Глава 7
- •7.1. Термическое испарение материалов в вакууме
- •7.2. Краткая характеристика испарителей
- •7.3. Индукционные испарители
- •7.4. Электронно-лучевое испарение
- •7.5. Метод ионного распыления
- •7.6. Катодное распыление
- •7.7. Магнетронное распыление
- •7.8. Лазерно-плазменное распыление
- •7.9. Вакуумное оборудование для формирования пленок
- •7.9.1. Термическое испарение материала
- •Вакуумные установки увн-2м2 (урм.3.279.017; увн-75р1)
- •7.9.2. Формирование пленок электронно-лучевым методом Установка 01нэ-7-004 «Оратория-9»
- •Каркас, в котором размещается высоковакуумная системах рабочей камерой;
- •Стойка питания и управления, служащая для автоматического управления вакуумной откачкой, устройством нагрева, вращением подложек и электронно-лучевыми пушками;
- •Две стойки управления, раздельно для каждой электроннолучевой пушки.
- •7.9.3. Установка увнрэ-э60 (прототип уbh-z400 фирмы Leybold Heraeus)
- •7.9.4. Формирование металлических пленок магнетронным распылением
- •7.10. Установка лазерного распыления
- •Тонких пленок
- •Глава 8
- •8.1. Процессы в фоторезистах
- •Фоторезистов
- •8.3. Методы литографии
- •8.3.1. Оптическая литография (фотолитография)
- •8.3.2. Технология контактной фотолитографии
- •Низкотемпературная выдержка нанесенного слоя;
- •Высокотемпературная выдержка нанесенного слоя.
- •8.4. Методы повышения качества формирования изображения
- •8.4.1. Рентгенолитография
- •8.4.2. Электронолитография
- •8.5. Метод самосовмещения
- •Затворами
- •Глава 9
- •Получение электронно-дырочных - переходов методом диффузии
- •9.1. Основы диффузионной технологии
- •9.2. Легирующие примеси и источники диффузии
- •9.3. Технология проведения процессов диффузии
- •9.4. Контроль параметров диффузионных слоев
- •9.5. Ионная имплантация
- •9.5.1. Назначение и применение ионной имплантации
- •9.5.2. Применение ионной имплантации в технологии сбис. Создание мелких переходов
- •9.6. Геттерирование
- •9.7. Эффекты, используемые в технологии сбис
- •9.7.1. Оборудование для ионной имплантации
- •9.7.2. Механизм проникновения ионов в подложку Распределение внедренных атомов по глубине подложки оценивается с помощью симметричной функции распределения Гаусса:
- •9.8. Дефекты ионного легирования и способы их устранения
- •9.8.1. Ионное каналирование
- •9.8.2. Радиационные дефекты
- •9.9. Отжиг легированных структур
- •9.9.1. Изохорный отжиг структур, имплантированных бором
- •9.9.2. Изохорный отжиг структур, имплантированных фосфором
- •9.9.3. Изотермический отжиг
- •9.9.4. Диффузия имплантированных примесей
- •9.9.5. Быстрый отжиг
- •9.9.6. Отжиг в атмосфере кислорода
- •9.10. Диффузия
- •9.10.1. Назначение и задачи диффузии
- •9.10.2. Модели и механизмы диффузии
- •1) Теории сплошных сред с использованием уравнений диффу-
- •9.11. Одномерное уравнение Фика
- •9.12. Постоянные коэффициенты диффузии
- •9.13. Механизмы диффузии в твердом теле
- •Механизм диффузии, когда соседний атом, будь то атом примеси или собственный атом кристалла, мигрирует на место вакансии, называется вакансионным.
- •Механизм диффузии, при котором атом переходит из одного междоузлия в другое, не попадая при этом в узлы кристаллической решетки, называется механизмом перемещения атомов по междоузлиям.
- •9.14. Диффузия из бесконечного источника Диффузия из бесконечного источника описывается уравнением:
- •9.15. Диффузия из ограниченного источника
- •9.16. Концентрационно-зависимые коэффициенты диффузии
- •9.7. Атомные механизмы диффузии
- •I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными де-
- •9.19. Способы контроля процессов диффузии
- •Глава 10
- •Конструктивно-технологические характеристики и методы формирования корпусов для изделий интегральной электроники
- •10.1. Типы интегральных микросхем
- •10.2. Корпуса имс и их конструкции
- •10.3. Требования к конструкции корпусов
- •10.4. Металлокерамические корпуса
- •10.5. Металлостеклянные корпуса
- •10.6. Пластмассовые корпуса
- •Температура;
- •Удельное давление;
- •Продолжительность выдержки герметизируемых изделий под давлением в пресс-форме.
- •10.7. Корпуса чашечного типа
- •Глава 11
- •Сборочные процессы в производстве изделий интегральной электроники
- •11.1. Разделение пластин на кристаллы
- •11.2. Монтаж кристаллов в корпусах эвтектическими припоями или клеями
- •11.3. Монтаж кристаллов в корпусах легкоплавкими припоями
- •11.4. Автоматизированный монтаж кристаллов в корпусах вибрационной пайкой
- •11.5. Контроль качества сборочных операций
- •Перемычками
- •Глава 12
- •12.1. Проволочный микромонтаж изделий интегральной электроники
- •12.2. Процессы термокомпрессионной микросварки
- •12.3. Ультразвуковая и термозвуковая микросварка
- •12.4. Автоматическое оборудование и инструмент
- •12.5. Монтаж жесткими объемными выводами
- •12.6. Монтаж кристаллов на плате
- •Глава 13
- •Герметизация изделий электроники и контроль герметичности
- •13.1. Герметизация корпусов сваркой
- •Относительная деформация и удельное давление для холодной сварки некоторых металлов
- •13.2. Герметизация корпусов пайкой
- •13.3. Герметизация пластмассами
- •13.4. Бескорпусная герметизация
- •13.5. Контроль герметичности изделий
- •13.6. Основные причины снижения влагоустойчивости приборов
- •Глава 14
- •Обеспечение качества и надежности полупроводниковых
- •Приборов
- •14.1. Качество и надежность приборов электронной техники
- •14.2. Конструктивно-технологические особенности изделий интегральной электроники, влияющие на их надежность
- •14.3. Статистические методы управления качеством в производстве интегральных микросхем
- •14.3.1. Анализ технологических процессов с использованием качественных диаграмм
- •14.3.2. Статистическое регулирование технологических процессов
- •14.4. Система контроля технологического процесса
- •14.4.1. Контроль качества изделий в процессе производства
- •14.4.2. Контроль технологического процесса
- •Ануфриев Леонид Петрович Бордусов Сергей Валентинович Гурский Леонид Ильич и др. Технология изделий интегральной электроники
7.3. Индукционные испарители
На рис. 7.5 показана схема устройства для нанесения покрытия в вакууме, имеющего испарительные тигли с индукционным нагревом. Это устройство имеет два тигля с индукционным нагревом. Тигли достаточно близко расположены один от другого, причем между двумя отдельными катушками, окружающими тигли, существует индукционная связь. В устройство входит приспособление для индуцирования в электрической цепи питания каждой катушки напряжения, одинакового по величине и противоположного по знаку напряжению, индуцируемому в этой катушке рядом расположенной катушкой.
Известно, что испаряемые материалы могут вступить во взаимодействие с материалом испарителя. Это приводит к быстрому разрушению испарителя и загрязнению пленки материалом испарителя. Экспериментально установлено, что вольфрамовые проволочные спирали при испарении алюминия и никеля выходят из строя уже после одного двух циклов испарения. Что касается ленточных вольфрамовых испарителей, то их срок службы ограничивается в основном одним - тремя циклами испарения. При испарении смеси Rh с Gf ленточные испарители выходят из строя раньше окончания первого цикла напыления.
Одним из способов устранения взаимодействия испаряемого материала с материалом испарителя является выбор определён-ных материалов для нагревателей в виде тиглей. Это достигается применением тигельных испарителей (тигли графитовые для из оксидов металлов). Рассмотрим, в какой степени пригодны тигли для испарения различных материалов. Тигли из Аl2О3 и ВеО пригодны для испарения при температурах до 1600-1750 °С. Технология изготовления этих тиглей заключается в многократном нанесении на вольфрамовую спираль водной суспензии оксидов Аl или Be с последующим отжигом каждого слоя. Процесс повторяется несколько раз до получения стенок тигля необходимой толщины. Тигли из А12О3 успешно применяются для испарения металлов с низким давлением паров: Сu, Ge, Mn, Fe, Ni, Ag, Sn. Тигли из ВеО используются для испарения Со, Ре, Si. Недостатком бтих испарителей является то, что они сильно подвержены образованию трещин при высокой температуре, вследствие чего вольфрамовый нагреватель становится доступным воздействию расплавленных материалов.
Тигли из оксида тория могут применяться для испарения металлов при температурах, достигающих 2200 °С. Но они, как и предыдущие, подвержены растрескиванию покрытия на вольфрамовой спирали. Тигли из оксида кремния, самые неэффективные из класса тигельных испарителей, выполненных из оксидов металлов, так как верхний предел рабочих температур у них равен 1100 °С.
Наиболее предпочтительными тигельными испарителями являются графитовые тигли. Графитовые испарители могут применяться до температур порядка 2500 °С. К тому же графит достаточно технологичен и xoрошo поддается механической обработке. Эти тигли менее подвержены испаряемым материалом и могут использоваться для испарения значительных количеств материалов. Однако необходимо учитывать, что ряд материалов, например Al, Si, Ti, при высоких температурах реагирует с углеродом с образованием карбидов и поэтому для их испарения могут быть использованы графитовые тигли. Из графитовых испарителей эффективно испаряются Be, Ag, Sf.
Недостатком графитовых тиглей являются также их способность легко поглощать газы, что усложняет их технологи-
ческое использование в вакууме. Многие оксиды активно восстанавливаются углеродом, что дает возможность очистки металлов путем применения графитовых тиглей. Нельзя допускать контакта между графитом и вольфрамом, если желателен большой срок службы нагревателя, так как уже при температуре 1500 °С образуется карбид W, снижающий проводимость нагревателя и делающий его более хрупким. Большим недостатком графита является его малая теплопроводность, в результате чего графитовые тигли не обеспечивают быстрый нагрев испаряемого вещества. Недостаточная пластичность графита не позволяет изготавливать из него нагреватели малого сечения, и поэтому потери тепла при теплопередаче обычно высоки.
Все вышеперечисленные недостатки рассмотренных тигельных испарителей приводят к выводу о необходимости дальнейшего поиска способов устранения взаимодействия испаряемого материала и материала нагревателя. Такими способами устранения взаимодействия испаряемого материала с испарителем являются способы, основанные на применении специальных испарителей, т.е. испарителей с покрытием, материал которого не взаимодействовал бы с испаряемым веществом. В качестве испарителей используются обычно вольфрамовые, танталовые или молибденовые ленты с углублениями или без них. Углубление в вольфрамовой ленте, вследствие большой хрупкости лент, может быть получено фрезеровкой, в танталовой и молибденовой -штамповкой. В качестве материала покрытия используются карбиды и бориды тугоплавких металлов (Ti, Hf, Mo, Zr, V, Nb, Cr, W), образующиеся при высоких температурах.
Карбиды и бориды тугоплавких металлов являются метал-лоподобными фазами. Связь атомов металла с атомами углерода и атомами бора имеет металлический характер. Этим объясняется то, что карбиды и бориды имеют примерно такое же электросопротивление, как и металлы, и для них, как и для металлов, сохраняется постоянство отношения электропроводности к теплопроводности. Особенностью этих соединений является тугоплавкость, высокая твердость, способность некоторых из них переходить в состояние сверхпроводимости и др. Карбиды отличаются от боридов более высокой температурой плавления. Так, например, карбид гафния имеет температуру
плавления 3890 °С, а борид гафния - 3250 °С. Модули упругости этих соединений имеют высокое значение (21500 — 71000). Они хрупки и обладают пластичностью только при высоких температурах (1400 - 1900 °С). Бориды и карбиды обладают высокой химической стойкостью в различных агрессивных средах и хорошо сопротивляются окислению на воздухе при высоких температурах.
В настоящее время находят применение соединения боридов и карбидов нескольких металлов (Ni, Сr и др.). Такие многокомпонентные бориды и карбиды обладают повышенными прочностью, износостойкостью и акалиностойкостью по сравнению с однокомпонентными карбидами и боридами. Изделия из карбидов и боридов изготавливаются методом порошковой металлургии. Обычные методы механической обработки непригодны для изделий из карбидов и боридов. Для этой цели используется электроискровая и ультразвуковая обработка.
Рис. 7.6. Аппарат для нанесения алюминия на полупроводниковые пластины путем вакуумного напыления
На рис. 7.6 показано устройство для нанесения алюминия на полупроводниковые пластины путем вакуумного напыления. В данном устройстве применяется испаритель, который имеет поверхностный слой из соединения нитридов и карбидов металлов: Ti, Zr, Hf, V, Та и инертен к расплавленному алюминию. Поверхностный слой удерживает часть расплава металла в контакте с тиглем. Нагревание испарителя до температуры выше, чем температура расплава, осуществляется пропускани-
