- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
В паспортных данных
ПТ обычно приводятся данные о крутизне
S0,
напряжении отсечки U0
и токе насыщения стока
IС0
в типовом режиме. В случае ПТ с
характеристиками передачи близкими к
квадратичной параболе достаточно знать
только два из упомянутых параметров,
чтобы отыскать третий, используя
соотношение:
(2.37).
Кроме этого, зная
значения крутизны ПТ в пологой области
можно предсказать какие значения будет
иметь проводимость канала в крутой
области. Это объясняется следующим
образом. Сравнив выражение (2.4) описывающее
зависимость крутизны идеального
транзистора от напряжения на затвор-исток
в пологой области с выражением 2.24,
описывающим зависимость проводимости
канала от напряжения затвор-исток в
крутой области нетрудно заметить, что
они идентичны. Представляет интерес
сравнение реальных зависимостей. На
рисунке 2.14 сплошными линиями представлены
экспериментальные зависимости
,
пунктирными – зависимости
.
Хорошее совпадение указанных зависимостей
наблюдается у МДП-транзисторов с
индуцированным каналом типа КП301 и у ПТ
с p-n-переходами,
состоящих из одной или малого количества
ячеек. Эту особенность можно использовать
при расчете устройств с ПТ указанных
типов. У ПТ сложной конструкции (мощных
и КП302), а также у МДП-транзисторов со
встроенным каналом типа КП305 наблюдаются
существенные различия в ходе характеристик.
2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
Диапазон изменения крутизны и проводимости канала ПТ может превышать 80 ÷ 120 дБ. В практических случаях такой широкий диапазон не удается реализовать из-за нелинейных и частотных искажений, а также из-за температурной нестабильности параметров ПТ.
Ниже приводятся основные соотношения, определяющие диапазоны регулирования ПТ в случае, когда его характеристика передачи близка к квадратичной. Приведенные соотношения справедливы для ПТ с p-n-переходом и МДП-транзисторов со встроенным каналом.
Диапазон изменения крутизны в пологой области при заданном коэффициенте гармоник, согласно уравнению – (2.9) равен:
.
(2.38)
Диапазон изменения проводимости канала в крутой области при заданном коэффициенте гармоник согласно уравнению (2.29) составляет:
. (2.39)
Максимальное напряжение смещения затвора, при котором еще не наблюдается отсечка сигнала, равно:
.
(2.40)
В регулируемых апериодических усилителях, на частотах, где влиянием междуэлектродных емкостей можно пренебречь, максимально допустимый диапазон регулирования, с учетом (2.4) составляет:
.
(2.41)
Максимально возможный диапазон регулирования на верхних частотах ограничен влиянием емкостей шунтирующих канал равен:
,
(2.42)
где СЭ – эквивалентная емкость, шунтирующая канал.
У каскадов с регулировкой крутизны ПТ, на верхних частотах диапазон регулирования ограничен проводимостью обратной связи Y12:
.
(2.43)
На верхних частотах эффективность ПТ как регулируемого элемента снижается из-за частотной зависимости его параметров. Наличие немодулированных сопротивлений стока и истока является причиной появления у ПТ на высоких частотах эффектов второго порядка. При этом активные составляющие параметров ПТ становятся частотно зависимыми, что иллюстрирует рисунок 2.15.
Рис. 2.15. Частотные зависимости сопротивлений ПТ
