- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
Применение ПТ во входных каскадах усилителей позволяет реализовать их низких уровень собственных шумов и высокое входное сопротивление. Высокое отношение шумовых параметров RТ к RН ПТ обеспечивает малые значения коэффициента шума усилителей при использовании как низкоомных так и высокоомных источников сигнала. Это выгодно отличает усилители с ПТ от усилителей на биполярных транзисторах.
Особенности малошумящих усилителей на ПТ рассмотрим на примерах микрофонного усилителя и установки для исследования шумовых свойств активных элементов.
Малошумящий микрофонный усилитель разработан для усиления сигналов в полосе частот 20 Гц ÷ 20 кГц, развиваемых пьезоэлектрическими и конденсаторными микрофонами низкой чувствительности (10 ÷ 50 мкВ/бар).
Основные требования, предъявляемые к усилителю: усиление напряжения, достаточное для регистрации типовой аппаратурой, низкий уровень собственных шумов, высокое входное сопротивление, малые габариты и малая потребляемая мощность.
Перечисленным требованиям удовлетворяет усилитель, первый каскад которого выполнен на малошумящем ПТ. Принципиальная схема разработанного усилителя приведена на рисунке 4.15.
Усилитель имеет следующие технические данные:
- коэффициент усиления напряжения 40 дБ;
- уровень собственных шумов, приведенный ко входу в полосе 20 Гц ÷ 20 кГц
– 120 дБ;
- неравномерность частотной характеристики в полосе 20 Гц ÷ 20 кГц < 1дБ;
- потребляемая мощность < 50 мВт;
- габариты корпуса: высота 105мм;
диаметр 24мм;
- питание осуществляется аккумуляторной батареи 7Д 0,1
Рис. 4.15. Схема малошумящего микрофонного усилителя
Из анализа шумовых
свойств активных элементов следует
(см. 4.5), что в схеме малошумящего усилителя
целесообразно использовать ПТ,
обеспечивающие максимальное отношение
шумовых параметров
.
Последнему требованию удовлетворяют
ПТ с
p-n-переходом
и каналом n-типа.
Ввиду того, что шумовые свойства
усилителя в основном определяется
первым каскадом, в нем использован
малошумящий ПТ типа КП303Г.
В схеме усилителя предусмотрены меры по снижению уровня шума, вносимого входной цепью. Эквивалентная схема входной цепи представляет собой параллельное соединение емкости (в основном определяемой емкостью пьезоэлектрического микрофона, равной 300 ÷ 3000 пФ) и резистора R1.
Тепловой шум входной цепи можно рассчитать по формуле Найквиста:
,
(4.96)
где RЭ – активная составляющая сопротивления входной цепи в полосе
Δ f=fМАКС ÷ fМИН.
Максимальное значение сопротивления RЭ определяется выражением:
.
(4.97)
Например, в случае работы рассматриваемого усилителя с микрофоном, имеющим собственную емкость 3000 пФ на нижней рабочей частоте 20 Гц оказывается порядка 30 кОм и падает с ростом частоты.
Таким образом, влияние шумов, обусловленных резистором R1, существенно снижается. Рассмотренная входная цепь уменьшает также влияние дробовых шумов тока затвора. В схеме усилителя целесообразно использовать ПТ с минимальным током утечки. Это с одной стороны позволяет получить максимальное значение шумового параметра RТ и с другой – использовать высокоомные резисторы в цепи затвора. Ток затвора увеличивается примерно в 2 раза при нагревании на 10°С. Он создает падение напряжения на резисторе R1, которое может нарушить стабильность режима работы схемы. Если из соображений получения минимального уровня шума необходима большая величина сопротивления резистора R1 чем допустимо с точки зрения температурной стабильности, то его следует добиваться введением обратной связи.
В схеме усилителя термостабилизация режима по постоянному току осуществляется отрицательной обратной связью, вводимой резисторами R3 и R5, а также выбором напряжения UЗИ транзистора VT1 вблизи температурно-стабильной точки тока стока. При этом UЗИ U0 – 0,6В.
Как видно из рисунка 4.16, экспериментально полученная спектральная плотность напряжения собственных шумов разработанного усилителя располагается ниже аналогичных зависимостей для микрофонного усилителя фирмы Брюль и Кьер (Дания) и для усилителя вольтметра В3-7. Следовательно, уровень собственных шумов разработанного усилителя существенно ниже, чем у последних.
При работе разработанного усилителя на вход микрофонного усилителя фирмы Брюль и Кьер удается реализовать низкий уровень собственных шумов первого и высокий коэффициент усиления второго. Малые габариты и масса разработанного усилителя позволяет разместить его в том же корпусе, где размещается микрофон.
Принципиальная схема установки для исследования шумовых свойств ПТ приведена на рисунке 4.17.
Устройство состоит из блока, обеспечивающего режим испытываемому ПТ, и малошумящего усилителя с входным каскадом, собранном на ПТ типа КП303Г. Напряжение собственных шумов, приведенное ко входу усилителя, в полосе частот 20 Гц ÷ 40 кГц не превышает 0,8 мкВ. В устройстве предусмотрена плавная регулировка коэффициента усиления в пределах от 150 до 5·I03 с помощью потенциометра R17.
Рассматриваемая установка позволяет исследовать шумовые свойства полевых транзисторов с p-n-переходом, со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) и с барьером Шоттки, а также полевых тетродов. При исследовании МДП транзисторов можно оценить влияние подложки на шумовые свойства прибора, Дня этого между подложкой и истоком прикладывается напряжение от источника U3. В случае исследования шумов полевых тетродов источник UЗ используется для подачи напряжения на второй затвор.
Рис. 4.16. Частотные зависимости спектральных плотностей шумового
напряжения
Подбором сопротивления нагрузки R10 и выбором питающих напряжений Ul, U2 устанавливается режим, обеспечивающий минимум собственных шумов каскада с исследуемым ПТ. Переключатель ПЧ в схеме, приведенной на рисунке 4.17, изображен в положении измерения собственных шумов транзистора.
Резисторы R4 – R8 имитируют входное сопротивление каскада на ПТ. С их помощью исследуется зависимость шумов усилительного каскада на ПТ от сопротивления источника сигнала. Резисторы R4 – R8 используются также при измерении коэффициента шума ПТ. В последнем случае в качестве калиброванного генератора используется генератор шума, выход усилителя подключается к фильтру с высокой селективностью, нагруженному на вольтметр с квадратичным детектором.
При выключенном генераторе замеряют мощность шума на выходе усилителя, затем с помощью потенциометра R17 вводят ослабленные 3дБ и при включенном генераторе добиваются прежних показаний вольтметра. Шкала генератора шума может быть проградуирована в дБ, позволяя сразу отсчитать коэффициент шума.
При исследовании спектральной плотности шумов к выходу усилителя подключается селективный вольтметр (спектрометр фирмы Брюль и Къер).
Зная частоты измерения и определив шумовые полосы f, нетрудно рассчитать уровни шумов, приведенные ко входу, приходящиеся на 1Гц:
,
(4.98)
где К – коэффициент усиления установки с учетом усиления исследуемого каскада.
Применение
малошумящего ПТ в схеме установки
позволило повысить ее чувствительность
и производить измерения спектральной
плотности шумов активных элементов
начиная с
.
