Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Игнатов. Полевые транзисторы(5.02.08).doc
Скачиваний:
9
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
49 Мб
Скачать
☆

Список литературы

1. Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение. – М.: Радио и связь, 1984. – 216с.

2. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Фадеева Н.Е. Микросхемотехника и наноэлектроника. Часть 2. Новосибирск. СибГУТИ, 2007. – 244с.

3. Севин Л.Д. Полевые транзисторы: Пер. с англ./Под ред. Е.З. Мазеля. – М.: Сов. Радио, 1967. – 181с.

4. Кроуфорд Р.Г. Схемные применения МОП-транзисторов: Пер. с англ./Под ред. М.С. Сонина. – М.: Мир, 1970. – 191 с.

5. Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором: Пер. с англ./Под ред. Г.Г. Смолко. – М.: Сов. Радио, 2971. – 142с.

6. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов: Пер. с англ./Пер. В.В. Макарова. – Л.: Энергия, 1975. – 304с.

7. Полевые транзисторы. Физика, технология и применения: Пер. с англ./Под ред. С.А. Майорова. – М.: Сов. Радио, 1971. – 374с.

8. Гритченко В.Н., Курочкин В.А, Пресс Ф.П. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. – Итоги науки и техники. Сер. Электроника. – М., ВИНИТИ, 1982, т.14, с. 3-75.

9. Лементуева Н.В., Пыхтунова А.И. Мощные полевые транзисторы с p-n-переходом. – М., 1978. – 84с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы/ЦНИИ «Электроника», вып. 7.)

10. Интегральные схемы на МДП-приборах: Пер. с англ./Под ред. А.Н. Кармазинского. – М.: Мир, 1975. – 527с.

11. Фишер В. Эквивалентная схема и коэффициент усиления полевых МОП-транзистров. – Зарубежная электроника, 1967, № 4, с. 99-109.

12. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1977. – 672с.

13. Попов В.Н. Формальная аппроксимация вольтамперных характеристик полевых транзисторов. – Радиотехника и радиоэлектроника, 1966, т. 11, №11, с. 2628.

14. Бакалов В.П., Игнатов А.Н., Крук Б.И. Основы теории электрических цепей и электроники. – М.: Высшая школа, 1989. – 528с.

15. Ван дер Зил. Тепловые шумы в полевых транзисторах. – ТИИЭР, 1962, т. 50, № 8, с. 1848-1853.

16. Са К. Теория генерации НЧ шумов в полевых транзисторах с плоским затвором. – ТИИЭР, 1964, т. 52, № 7, с. 849-869.

17. Карпов Ю.С. О причине возникновения избыточного шума в полевых транзисторах с изолированным затвором. – Радиотехника и электроника, 1969, т. 14, № 4, с. 742-743.

18. Baxandal P.J. Noise in transistor circuits. 1. Mainly on fundamental noise concepts. – Wireless World, 1968, N 11, p. 338-392.

19. Baxandal P.J. Noise in transistor circuits. 2. Noise figure. Negative feedback. Measurements. – Wireless World, 1968, N 12, p. 454-459.

20. Кобболд, Трофименков. Полевой транзистор со смещением прехода затвор-канал в прямом направлении. – ТИИЭР, 1964, № 9, с. 1153-1154.

21. Игнатов А.Н. Микроэлектронные устройства связи и радиовещания. – Томск: Радио и связь, 1990. – 400с.

22. Дьяконов В.П., Маскимчук А.А., Ремнев А.М., Смердов В.Ю. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. – М.: СОЛОН – Р, 2002. – 512с.

23. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники. Новосибирск, 2005. – 323с.

24. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. - Новосибирск, 2004г. – 494с.

25. Кобаяси Н. Введение в нанотехнологию. - М.: Бином. 2005. - 134с.

Нанотехнология в полупроводниковой электронике/ под ред. Асеева А.Л. - Новосибирск: Изд. СО РАН, 2004. - 368с.

26. Нанотехнология в полупроводниковой электронике/ под ред. Асеева А.Л. - Новосибирск: Изд. СО РАН, 2004. - 368с.

27. Пул Ч., Оуэнс ф. Нанотехнологии. - М.: Техносфера, 2004. - 328с.

28. Щука А.А. Электроника - СПб.: БВХ - Петербург, 2006. - 800с.

29. Щука А.А. Нанотранзисторы - приборы наноэлектроники. - Электронная промышленность, 2006, №4.

30. Нефедов А.В., Аксенов А.И. Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Справочное пособие. – М.: СОЛОН-Пресс, 2006. – 600с.

325