- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
Список литературы
1. Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение. – М.: Радио и связь, 1984. – 216с.
2. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Фадеева Н.Е. Микросхемотехника и наноэлектроника. Часть 2. Новосибирск. СибГУТИ, 2007. – 244с.
3. Севин Л.Д. Полевые транзисторы: Пер. с англ./Под ред. Е.З. Мазеля. – М.: Сов. Радио, 1967. – 181с.
4. Кроуфорд Р.Г. Схемные применения МОП-транзисторов: Пер. с англ./Под ред. М.С. Сонина. – М.: Мир, 1970. – 191 с.
5. Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором: Пер. с англ./Под ред. Г.Г. Смолко. – М.: Сов. Радио, 2971. – 142с.
6. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов: Пер. с англ./Пер. В.В. Макарова. – Л.: Энергия, 1975. – 304с.
7. Полевые транзисторы. Физика, технология и применения: Пер. с англ./Под ред. С.А. Майорова. – М.: Сов. Радио, 1971. – 374с.
8. Гритченко В.Н., Курочкин В.А, Пресс Ф.П. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. – Итоги науки и техники. Сер. Электроника. – М., ВИНИТИ, 1982, т.14, с. 3-75.
9. Лементуева Н.В., Пыхтунова А.И. Мощные полевые транзисторы с p-n-переходом. – М., 1978. – 84с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы/ЦНИИ «Электроника», вып. 7.)
10. Интегральные схемы на МДП-приборах: Пер. с англ./Под ред. А.Н. Кармазинского. – М.: Мир, 1975. – 527с.
11. Фишер В. Эквивалентная схема и коэффициент усиления полевых МОП-транзистров. – Зарубежная электроника, 1967, № 4, с. 99-109.
12. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1977. – 672с.
13. Попов В.Н. Формальная аппроксимация вольтамперных характеристик полевых транзисторов. – Радиотехника и радиоэлектроника, 1966, т. 11, №11, с. 2628.
14. Бакалов В.П., Игнатов А.Н., Крук Б.И. Основы теории электрических цепей и электроники. – М.: Высшая школа, 1989. – 528с.
15. Ван дер Зил. Тепловые шумы в полевых транзисторах. – ТИИЭР, 1962, т. 50, № 8, с. 1848-1853.
16. Са К. Теория генерации НЧ шумов в полевых транзисторах с плоским затвором. – ТИИЭР, 1964, т. 52, № 7, с. 849-869.
17. Карпов Ю.С. О причине возникновения избыточного шума в полевых транзисторах с изолированным затвором. – Радиотехника и электроника, 1969, т. 14, № 4, с. 742-743.
18. Baxandal P.J. Noise in transistor circuits. 1. Mainly on fundamental noise concepts. – Wireless World, 1968, N 11, p. 338-392.
19. Baxandal P.J. Noise in transistor circuits. 2. Noise figure. Negative feedback. Measurements. – Wireless World, 1968, N 12, p. 454-459.
20. Кобболд, Трофименков. Полевой транзистор со смещением прехода затвор-канал в прямом направлении. – ТИИЭР, 1964, № 9, с. 1153-1154.
21. Игнатов А.Н. Микроэлектронные устройства связи и радиовещания. – Томск: Радио и связь, 1990. – 400с.
22. Дьяконов В.П., Маскимчук А.А., Ремнев А.М., Смердов В.Ю. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. – М.: СОЛОН – Р, 2002. – 512с.
23. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники. Новосибирск, 2005. – 323с.
24. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. - Новосибирск, 2004г. – 494с.
25. Кобаяси Н. Введение в нанотехнологию. - М.: Бином. 2005. - 134с.
Нанотехнология в полупроводниковой электронике/ под ред. Асеева А.Л. - Новосибирск: Изд. СО РАН, 2004. - 368с.
26. Нанотехнология в полупроводниковой электронике/ под ред. Асеева А.Л. - Новосибирск: Изд. СО РАН, 2004. - 368с.
27. Пул Ч., Оуэнс ф. Нанотехнологии. - М.: Техносфера, 2004. - 328с.
28. Щука А.А. Электроника - СПб.: БВХ - Петербург, 2006. - 800с.
29. Щука А.А. Нанотранзисторы - приборы наноэлектроники. - Электронная промышленность, 2006, №4.
30. Нефедов А.В., Аксенов А.И. Транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры. Справочное пособие. – М.: СОЛОН-Пресс, 2006. – 600с.
