- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
Расчет авторегулятора уровня на ПТ рассмотрим на примере ограничителя потенциометрического типа с параллельным включением ПТ, схема которого приведена на рисунке 2.36. Для обеспечения малых нелинейных искажений авторегулятор выполнен по симметричной двухтактной системе.
Автоматическая регулировка уровня производиться двумя аттенюаторами, образованными резистором R1 и сопротивлением канала VT1, резистором R2 и сопротивлением канала VT2. Транзисторы VT1 и VT2 используются в качестве управляемых сопротивлений при отсутствии постоянного напряжения в цепях каналов. Благодаря такому режиму работы в процессе регулировки через каналы транзисторов VT1 и VT2 не протекает постоянная составляющая тока, и отсутствуют специфические нелинейные искажения. Такая схема оказывается проще схем на электронных лампах аналогичного назначения, в частности, из-за отсутствия в ней дросселей с большой индуктивностью используемых для уменьшения специфических искажений.
Рис. 2.36. Двухтактный регулятор уровней на ПТ
Начальная рабочая точка регулируемых транзисторов VT1 и VT2 выбирается с таким расчетом, чтобы сопротивления каналов были максимальными. Это достигается соответствующим выбором напряжения смещения U0, снимаемым с резистора R7. Коэффициент передачи регулируемых каскадов при этом максимален.
В режиме ограничения по мере заряда конденсатора С3 общее напряжение смещения уменьшается, т.к. полярность регулирующего напряжения на С3 обратна U0. Сопротивления каналов VT1 и VT2 уменьшаются. Происходит перераспределение напряжения сигнала между элементами образующими аттенюаторы, что приводит к уменьшению коэффициента передачи. С целью реализации широкого диапазона регулировки коэффициента передачи, регулируемые аттенюаторы рассматриваемого типа должны работать на высокоомные нагрузки. Это нетрудно обеспечить, если использовать в двухтактном усилительном каскаде полевые транзисторы VT3 и VT4. Чтобы использовать в схеме аттенюатора только один источник питания, они должны иметь тип проводимости каналов обратный этому, что имеют регулируемые ПТ. Регулируемые ПТ потребляют крайне незначительную управляющую мощность. Поэтому в авторегуляторе можно использовать простую цепь управления, содержащую двухполупериодный выпрямитель без дополнительного усилителя.
Порядок расчета.
Производят выбор типа и режима работы регулируемых ПТ. Так как схема двухтактная, то желательно, чтобы VT1 и VT2 имели близкие характеристики. В этом случае целесообразно использовать сдвоенные ПТ. Строят зависимость G=f(Uзи) для вбыранных регулируемых элементов (рисунок 2.37).
Определяют минимальную Gмин и максимальную Gмакс проводимости каналов регулируемых ПТ и соответствующие им напряжения смещения Е0 и Емин.
Находят сопротивления резисторов R1 и R2:
.
(2.83)
Определяют максимальный коэффициент передачи каждого регулируемого плеча:
.
(2.84)
Вычисляют предел изменения напряжения смещения ЕЗ:
.
.
(2.85)
Определяют напряжение задержки Езад:
.
(2.86)
Определяют коэффициент трансформации Тр.2 для половины вторичной обмотки цепи управления:
.
(2.87)
Находят сопротивление цепи заряда конденсатора С3:
,
(2.88)
где Riд – сопротивление диода в отпертом состоянии, rу – активное сопротивление половины вторичной обмотки Тр.2 цепи управления.
Определяют емкость конденсатора С3:
.
(2.89)
Определяют резистор цепи разряда конденсатора С3:
.
(2.90)
Для того чтобы диоды VD1 и VD2 не влияли на время разряда конденсатора С3, они должны иметь высокие обратные сопротивления (желательно использовать кремниевые диоды).
Сопротивления резисторов делителя R7, R8, R9 используемого для обеспечения требуемых значений напряжений E0 и EЗАД определяют задавшись током делителя (например 0,1 мА)
;
(2.91)
;
(2.92)
.
(2.93)
Емкость конденсатора С4 выбирают таким образом, чтобы исключить влияние резистора R8 на время заряда:
,
(2.94)
где Н – нижняя рабочая частота авторегулятора.
Выбирают сопротивления резисторов R3 и R4, используя соотношения:
.
(2.95)
Рассчитывают сопротивления резистора R5:
,
(2.96)
где UЗО – напряжение смещения VT3 и VT4, IС – ток стока в режиме покоя VT3 и VT4.
В заключение производят расчет регулировочной характеристики, используя рисунок 2.37. Делят отрезок ЕЗ на N равных частей и определяют промежуточные значения проводимостей каналов, как показано на рисунке 2.37.
Рис. 2.37. К расчету регулировочной характеристики
Затем составляют таблицу 2.6
Таблица 2.6. Расчет характеристики ограничения
Номер расчетной точки |
1 |
2 |
3 |
N |
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
D |
По данным таблицы
2.6 строят характеристику ограничения
,
изображенную на рисунке 2.38.
Рис. 2.38. Амплитудная характеристика авторегулятора уровней
В тех случаях, когда отсутствует экспериментальная зависимость G=f(Uзи), расчет авторегулятора можно произвести аналитически, используя паспортные данные ПТ и учитывая взаимосвязь параметров ПТ. Формулы для аналитического расчета регуляторов на ПТ приведены в п. 2.9.
Остальные элементы и характеристики рассчитываются по известным методикам расчета усилительных устройств.
