- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
6.5. Применение силовых полевых транзисторов
Ключ на мощном МДП-транзисторе.
Ключ с резистивной нагрузкой по схеме с общим истоком показан на рисунке 6.25.
Рис. 6.25. Ключ на мощном МДП-транзисторе
Поскольку все мощные МДП-транзисторы имеют структуру с индуцированным каналом, при выполнении условия:
UЗИ<UЗИ ОТС , (6.4)
где U0 - пороговое напряжение на проходной характеристике транзистора, ключ заперт, а напряжение в цепи стока равно напряжению питания ключа UП. Обычно в закрытом состоянии ключа UЗИ =0. Однако, для высоковольтных транзисторов, с целью защиты от всплесков стокового напряжения рекомендуется устанавливать небольшое отрицательное смещение) UC-, порядка (2.. .5В). Отпирание ключа осуществляется подачей положительного входного импульса UC+. Амплитуда UC+ выбирают из условия
UC+>15(UЗИ ОТС+(UП/RГS)), (6.5)
где S - силовая крутизна транзистора.
Для стандартных схем управления UC+ составляет 12... 15 В. Переходный процесс включения состоит из трех этапов: задержки включения, фронта нарастания тока и установления напряжения во входной цепи транзистора. На первом этапе при постоянном напряжении в цепи стока (UВЫХ= UП) осуществляется заряд входной емкости транзистора от цепи генератора:
,
(6.6)
где СВХ=СЗС+СЗК.
Задержка включения tЗ(вкл) определяется при условии UЗИ=0:
tЗ(вкл) =RВХCВХln((UC++UC-)/( UC+- U0). (6.7)
На втором этапе включения транзистор отпирается и по цепи нагрузки начинает протекать ток. Из-за действия отрицательной обратной связи через проходную емкость ключа CЗС напряжение по входной цепи транзистора практически не изменяется (немного возрастает от значения U0 до порогового значения UП ≈U0 + (UП/RГS). Таким образом, изменение напряжения на транзисторе на данном этапе определяется перезарядом проходной емкости входным током затвора:
IЗ+~( UC+-UП)/RВХ. (6.8)
Переходя к конечным приращениям
CЗС(ΔUЗС/Δt)~ CЗС(UП/τ)= IЗ+ (6.9)
τ~ RВХCЗС (UП/ UC+ - UП). (6.10)
На последнем этапе процесса включения транзистор находится в открытом
состоянии:
UЗИ~RОТКР К(UП/RГ), (6.11)
где RОТКР К- сопротивление открытого канала.
При этом входное напряжение возрастает с постоянной времени RВХCВХ до максимального значения UC+. Длительность этапа установления оценивается выражением:
ts~ 3RВХCВХ. (6.12)
Переходный процесс включения также проходит в три этапа. Сначала, при переключении напряжения входного генератора, происходит разряд входной емкости:
UЗИ(t)=-UC+
+ UC-
(1 -
).
(6.13)
На данном этапе ток ключа не изменяется IС=( UП/ RГ), а длительность задержки выключения tЗ(выкл) определяется при условии уменьшения входного напряжения до порогового уровня:
tЗ(выкл) =RВХCВХln((UC++UC-)/( U0+ UC-)). (6.14)
Затем наступает этап активного выключения тока стока при действии сильной отрицательной обратной связи через проходную емкость CЗС. Длительность этапа спада тока можно также оценить, как и при включении, приравняв ток в цепи затвора IЗ-≈-(UП+ UC- )/ RВХ к току перезаряда проходной емкости:
CЗС(ΔUЗС/Δt)~ CЗС(-UП/τ)= IЗ . (6.15)
При этом длительность спада:
tF~ RВХCЗС (UП/UC-+ UП) (6.16)
На заключительном этапе выключения происходит установление входного напряжения до отрицательного значения UC- с постоянной времени RВХCВХ. Длительность этапа установления:
tS~3RВХCВХ. (6.17)
