1.3.3. Статические характеристики

В зависимости от электрических параметров каждый тип полевых транзисторов имеет несколько классификационных групп. Статические характеристики зависимости тока стока от напряжения на затворе, например, транзисторов КП103 лежат между характеристиками, приведенными на рисунке 1.3, а. Семейство стоковых характеристик транзистора КП103 промежуточной группы К приведено на рисунке 1.3, б.

Стоковые характеристики можно условно разбить на 4 области: крутую область, пологую область, область пробоя и область возникновения прямых токов затвора. В крутой области наблюдается резко выраженная зависимость тока стока (I_С) от напряжения сток-исток (U_СИ). В пологой области зависимость I_С = f(U_СИ) выражена слабо.

а)	б)
в)
Рис. 1.3. Статические характеристики транзисторов

Ориентировочно, крутую область можно отделить от пологой области геометрическим местом точек, для которых U_СИ = U_ЗИ – U₀. При больших напряжениях на стоке наблюдается резкое увеличение тока стока и, если мощность, рассеиваемая на стоке, превышает допустимую, то происходит необратимый пробой участка затвор-исток. В отличие от электронных ламп ПТ могут работать и при смене полярности выходного напряжения. Однако при этом следует помнить, что как только напряжение на стоке превысит напряжение затвор-исток на величину контактной разности потенциалов p-n-перехода, возникает прямой ток затвора и входное сопротивление транзистора резко падает. Входные характеристики транзистора КП103 показаны на рисунке 1.3, в. Область возникновения токов затвора, как показано на рисунке 1.3, б, отделена от крутой области геометрическим местом точек (кривая «в»), для которых выполняется соотношение: U_СИ = U_ЗИ + U_К.

Характеристики передачи МДП-транзисторов типа КП305 располагаются между граничными характеристиками, изображенными на рисунке 1.4, а. Семейство выходных характеристик транзистора КП305 промежуточной группы показано на рисунке 1.4, б.

а)	б)
Рис. 1.4. Семейство выходных характеристик транзистора КП305

Выходные характеристики полевого транзистора с индуцированным каналом типа КП301Б представлены на рисунке 1.5. Очевидно, что выходные характеристики МДП-транзисторов также можно условно разбить на вышеупомянутые области, исключив область возникновения прямых токов затвора. Однако следует учитывать, что аналогичная область будет иметь место и у МДП-транзисторов, если их подложка соединена с истоком.

В последнем случае, при обратной полярности стокового напряжения, возникают прямые токи подложки, и стоковые характеристики принимают вид, показанный на рисунке 1.5 пунктирными линиями.

ПТ с барьером Шоттки и алюминиевый затвор, приведена на рисунке 1.6,а. Семейство выходных характеристик приведено на рисунке 1.6.

Рис. 1.6. Семейство выходных характеристик транзистора с барьером Шоттки